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公开(公告)号：CN110722234A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910960930.4
申请日：2019-10-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种镍钛基合金低温连接接头及其制备方法，属于低温焊接技术领域，所述镍钛基合金低温连接接头的制备方法，包括以下步骤：将镍钛基合金的待焊面进行打磨后，用洗液清洗；将金硅钎料用洗液清洗；将清洗后的金硅钎料置于清洗后的镍钛合金待焊面之间，用模具压紧，放入真空炉中；加热后冷却至室温，得到所述镍钛基合金低温连接接头。与现有技术比较，本发明采用金硅钎料作为焊接钎料，焊缝内形成纯金与弥散镍钛硅化合物的组织，实现了低温钎焊形成高熔点接头，获得的镍钛合金接头室温剪切强度可达130±7MPa，700℃剪切强度可达18±2MPa，且具有很好的生物相容性及耐腐蚀性。
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公开(公告)号：CN103922597B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410155309.8
申请日：2014-04-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C03C8/24
Abstract: 复合型绿色低熔玻璃钎料焊膏的制备方法，它涉及玻璃钎料焊膏的制备方法。本发明要解决现有制备方法制备的玻璃作为封接材料存在热膨胀系数可调范围小，接头强度差，应用范围有限，封接不同母材时，制备相应成分的玻璃钎料费时费力的问题。复合型绿色低熔玻璃钎料焊膏的制备方法：基础玻璃粉体分级，称取，晶须或碳纳米管的预处理，复合型无铅低温封接玻璃粉体的制备，混合搅拌，即得到复合型绿色低熔玻璃钎料焊膏。本发明用于复合型绿色低熔玻璃钎料焊膏的制备方法。
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公开(公告)号：CN103894694B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410155293.0
申请日：2014-04-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种复合型绿色低熔玻璃钎料连接碳化硅增强铝基复合材料的方法，它涉及一种连接碳化硅增强铝基复合材料的方法。本发明的目的是要解决现有碳化硅增强铝基复合材料中碳化硅增强体含量高时，现有连接方法存在连接后的碳化硅增强铝基复合材料强度不高，接头强度低和现有钎料与碳化硅增强铝基复合材料表面存在不相容的问题。步骤：一、基础玻璃粉体分级；二、称取；三、β-SiC晶须的预处理；四、复合型无铅低温封接玻璃粉体的制备；五、混合搅拌；六、去除杂质；七、涂覆；八、试件装配及焊接。本发明可获得一种碳化硅增强铝基复合材料低温钎焊连接的方法。
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公开(公告)号：CN105149890A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510679843.3
申请日：2015-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23P15/00
CPC classification number: B23P15/00
Abstract: 一种复合玻璃钎料连接Li系铁氧体的方法，它涉及一种连接Li系铁氧体的方法。本发明是为了解决金属基钎料的与铁氧体材料磁性能差别较大，用于Li铁氧体连接容易导致接头有气孔和裂纹的技术问题。本方法如下：用内圆切割机将Li系铁氧体材料切割，预处理后备用；制备涂覆复合钎料的试件；将2块涂覆复合钎料的试件表面相接触并对齐，得待焊试件，然后将待焊试件放置于电阻炉中加热，然后随炉冷却至室温，即完成连接Li系铁氧体。本发明方法所形成连接接头的耐腐蚀性、气密性较好，强度较高，焊缝对铁氧体连接件电磁性能的影响很小。经过测试表明，连接件的耐腐蚀性、气密性及电磁性能均满足使用要求，连接接头室温剪切强度达到69～89MPa。本发明属于Li系铁氧体的连接方法。
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公开(公告)号：CN118789162A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410817566.7
申请日：2024-06-24
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨邦定科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供了一种用于高导热碳材料与金属钎焊的活性钎料及低温直接钎焊方法，属于异种材料的低温连接技术领域。本发明克服现有高热导碳材料与金属的焊接不能同时低温直接钎焊并保证接头性能良好的问题。本发明提供的活性钎料包括Ag‑Cu粉、In粉、Sn粉和TiH2粉，通过元素含量调控能降低钎焊温度，实现高热导碳材料与金属的低温直接钎焊；这些元素在碳材料与金属界面处的化学变化能够提高界面润湿性与二者结合强度，缓解界面处的残余应力。本发明提供的低温直接钎焊方法包括以下步骤：(1)待焊接材料处理；(2)AgCuSnInTi活性钎料的制备与密封储存；(3)采用丝网印刷对样品进行装配；(4)在真空钎焊炉中进行钎焊。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116161985B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202310042039.9
申请日：2023-01-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅焊前表面处理方法及碳化硅与高温合金的焊接方法，涉及异质材料连接技术领域。本发明通过激光对碳化硅陶瓷表面进行焊前改性处理，控制激光扫射的关键参数，实现对陶瓷表面的碳化及织构一体化处理。在后续与金属钎焊时，易于在陶瓷表面优先碳化生成碳化物，充当阻隔层，减少金属向陶瓷扩散，避免陶瓷金属化和脆化。同时，本发明对陶瓷材料基本上不产生破坏，且操作简单、成本低，改善了与金属钎焊时钎料的铺展情况，拓扑学上缓解残余应力以及形成钉扎效应。
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公开(公告)号：CN115491639B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202211261605.7
申请日：2022-10-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种表面改性金刚石膜片及其制备方法，涉及材料表面改性技术领域，其中表面改性金刚石膜片包括金刚石膜片和设置在金刚石膜片表面的金属化薄膜，金属化薄膜包括依次设置在金刚石膜片表面的Cr金属层和NiTi合金层，本发明的表面改性金刚石膜片引入多层金属化薄膜，从而达到同时改善金刚石与金属化薄膜结合强度和金刚石可加工性能的效果；本发明的表面改性金刚石膜片的制备方法采用磁控溅射表面改性技术，可以快速地实现多层金属及合金薄膜的沉积，镀层表面平整，厚度可以得到有效控制，进一步的热处理可有效提高金刚石与金属化薄膜的结合强度。
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公开(公告)号：CN114043026B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202111340811.2
申请日：2021-11-12
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨邦定科技有限责任公司
IPC: B23K1/008 , B23K1/20 , B23K103/18
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷‑金属中的应力缓解方法，涉及材料焊接技术领域，包括：在多孔陶瓷母材待焊面涂覆软质钎料，使所述软质钎料填充到所述多孔陶瓷母材待焊面的空隙内部，得到填充所述软质钎料的改性多孔陶瓷母材；将硬质钎料涂覆在处理后的金属母材表面，按照所述金属母材、所述硬质钎料、所述改性多孔陶瓷母材的顺序依次放置，用模具夹紧，并送入真空炉中进行热处理后，完成陶瓷‑金属的连接。本发明通过两步法，实现对软质钎料和硬质钎料的分布有效控制，以同时保证陶瓷‑金属接头的耐温性以及应力释放的问题。
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公开(公告)号：CN116231053A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310273634.3
申请日：2023-03-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M10/0562 , H01M10/42 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种Ga‑LLZO固体电解质及其晶粒异常长大的抑制方法，涉及锂电池技术领域，所述Ga‑LLZO固体电解质晶粒异常长大的抑制方法包括如下步骤：通过Li2CO3、La2O3、ZrO2和Yb2O3，得到LLYZO粉；通过Li2CO3、La2O3、ZrO2和Ga2O3，得到Ga‑LLZO粉；将所述LLYZO粉和所述Ga‑LLZO粉混合并球磨干燥后得到复合母粉；将所述复合母粉压力成型为片层结构，并经煅烧处理后，冷却至室温，得到晶粒细小且均匀的Ga‑LLZO固体电解质，不存在晶粒异常长大的现象。
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公开(公告)号：CN114310037B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202210098178.9
申请日：2022-01-27
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨邦定科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供了一种NiCrFeCuZrHf钎料及其制备方法，涉及材料焊接技术领域，NiCrFeCuZrHf钎料为高熵钎料，且所述NiCrFeCuZrHf钎料的成分及原子百分比包括：Ni：5％‑15％，Cr：10％‑20％，Fe：10％‑20％，Cu：15％‑25％，Zr：10％‑20％，Hf：10％‑20％，Sn：0.5％‑5％，In：0.01％‑2％，Ga：0.01％‑2％。与现有技术比较，本发明NiCrFeCuZrHf钎料与TiAl合金、Ni基高温合金两种极异材料相容性均较好，钎料中硬脆相含量低，组织均匀，以固溶体为主，相应钎焊接头中金属间化合物含量少，尺寸小，弥散分布，钎焊接头强度高。
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