公开(公告)号：CN101432879A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780015451.0

申请日：2007-02-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 细井康成 ,  石原数也 ,  涉谷隆广 ,  大西哲也 ,  中野贵司

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1691 ,  Y10T29/49082

Abstract: 本发明提供一种可变电阻体的在电气上作出贡献的区域的面积是比由上部电极或下部电极等规定的面积更微细的面积的结构的可变电阻元件及其制造方法。在两个电极间施加电压脉冲时，在两个电极间经由可变电阻体而流过电流的电路路径的剖面形状，以比两个电极的任一个的线宽细的线宽形成，并以比制造工艺中的最小加工尺寸更小的线宽形成，所以，与以往的可变电阻元件中的在电气上作出贡献的区域相比，其面积被缩小。

公开(公告)号：CN101432878A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780015413.5

申请日：2007-02-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 细井康成 ,  石原数也 ,  瑟谷隆广 ,  大西哲也 ,  中野贵司

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L49/02

CPC classification number: H01L45/1253 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1691

Abstract: 本发明提供一种可变电阻体的在电气上作出贡献的区域的面积是比由上部电极或下部电极等规定的面积更微细的面积的结构的可变电阻元件及其制造方法。在配置于基底衬底(5)上的下部电极(1)的上部形成突起电极物(2)。突起电极物(2)在与下部电极(1)的接触面不同的面与可变电阻体(3)接触，该可变电阻体(3)在与突起电极物(2)的接触面不同的面上与上部电极(4)接触。由此，突起电极物(2)(可变电阻体(3))和上部电极(4)的交叉点部分成为可变电阻体的在电气上作出贡献的区域，因而与以往的可变电阻元件中的区域相比，其面积被缩小。

公开(公告)号：CN100442519C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200510125483.9

申请日：2005-11-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大西哲也 ,  新村尚之 ,  山崎信夫 ,  涩谷隆广 ,  中野贵司 ,  田尻雅之 ,  大西茂夫

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/822

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

Abstract: 交叉点结构的半导体存储装置具备在同一方向上延伸的多个上部电极(2)和在与上述上部电极(2)的延伸方向正交的方向上延伸的多个下部电极(1)，在上述上部电极(2)与上述下部电极(1)之间的层上形成用于存放数据的存储材料体，上述存储材料体由钙钛矿材料构成，并且以沿上述上部电极(2)延伸的方式形成于上述上部电极(2)各自的上述下部电极(1)一侧。

公开(公告)号：CN107341771B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201710288252.2

申请日：2017-04-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川端优 ,  中野贵司 ,  夏秋和弘 ,  泷本贵博 ,  山崎信夫 ,  本田大辅 ,  玉井幸夫

IPC: G06T5/00

Abstract: 本发明提供一种图像处理方法和图像处理装置，图像处理方法包括：亮度值信息获取步骤，从被摄体获取有效辐射亮度值；和图像生成步骤，从上述有效辐射亮度值中去除上述被摄体的表面的正反射光成分的至少一部分而得到亮度值，生成拍摄图像，该拍摄图像为具有该亮度值的单位区域的集合。

公开(公告)号：CN109033942A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810569895.9

申请日：2018-06-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 本田大辅 ,  中野贵司

IPC: G06K9/00 ,  G06F21/32

CPC classification number: G06K9/00604 ,  G06K9/0061 ,  G06K9/00617 ,  G06K9/628 ,  G06T7/62 ,  G06T2207/30041 ,  G06F21/32

Abstract: 本发明提供一种使虹膜认证的精度提高的认证装置及认证方法。信息处理装置(1)包括：映入去除部(110)，其从拍摄装置(11)获取的被摄体(H)的第一图像(IMG1)去除眼球(HE)的正反射光成分的至少一部分而生成第二图像(IMG2)；虹膜代码制成部(121)，其基于第二图像制成虹膜代码；以及瞳孔开度计算部(122)，其基于第二图像计算瞳孔开度。

公开(公告)号：CN105518870A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480048387.6

申请日：2014-09-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 泷本贵博 ,  夏秋和弘 ,  内田雅代 ,  粟屋信义 ,  石原数也 ,  中野贵司 ,  名仓满

IPC: H01L31/0232 ,  H01L27/146 ,  G01J3/51 ,  G01J3/02

CPC classification number: H01L27/14621 ,  G01J3/0259 ,  G01J3/513 ,  G02B5/008 ,  G02B5/20 ,  G02B5/204 ,  H01L31/02327

Abstract: 光电转换装置包括：由导电材料膜构成的第一光学滤光片(6a)，其包括周期性地具有多个结构(11)的第一图案，并且隔着绝缘膜(5)配置在第一光电转换元件(A)之上；和由导电材料膜构成的第一光学滤光片(6b)，其包括周期性地具有多个结构(12)的第二图案，并且隔着绝缘膜(5)配置在第二光电转换元件(B)之上。相互相邻的上述第一图案与第二图案的间隔(a)比第一图案的结构(11)的周期(P1)和第二图案的结构(12)的周期(P2)长。

公开(公告)号：CN105144384A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480023309.0

申请日：2014-02-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 内田雅代 ,  夏秋和弘 ,  泷本贵博 ,  粟屋信义 ,  石原数也 ,  中野贵司

IPC: H01L27/14 ,  G02B5/20 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/02162

Abstract: 本发明提供难以在等离子体滤光部之下的绝缘层产生凹陷，能够准确地进行等离子体滤光部的微细加工的电路内置光电转换装置及其制造方法。在比配线层(11、12、13)靠上方的绝缘层(7)上设置同一金属层(31)。该金属层(31)具有等离子体滤光部(32)和遮蔽光的屏蔽金属部(33)，该等离子体滤光部(32)具有用于将进行波长选择后的光向第一光电转换元件(101)引导的周期性的开口(32a)。

公开(公告)号：CN103227282A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310033287.3

申请日：2013-01-29

Applicant: 夏普株式会社 ,  尔必达存储器股份有限公司

Inventor： 中野贵司 ,  玉井幸夫 ,  浅野勇 ,  相泽一雄

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00 ,  H01L27/24 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L45/145 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/249 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明实现了一种能以低电流成型，并能以低电压、低电流进行稳定的切换工作的可变阻抗元件以及一种通过具备该可变阻抗元件实现了低功耗且大容量的非易失性半导体存储装置。一种在第一电极（14）和第二电极（12）之间夹持可变阻抗体（13）而形成的可变阻抗元件（1），可变阻抗体（13）包含阻抗变化层（15）和高氧层（16）的至少2层的金属氧化物或金属氮氧化物。高氧层（16）插入在比第二电极功函数小的第一电极（14）与阻抗变化层（15）之间，以相对于对该金属元素的氧组成比的化学计量组成的比率比相对于对构成阻抗变化层（15）的金属氧化物的金属元素的氧组成比的化学计量组成的比率变大的方式，来调整金属氧化物的氧浓度。

公开(公告)号：CN101432878B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200780015413.5

申请日：2007-02-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 细井康成 ,  石原数也 ,  瑟谷隆广 ,  大西哲也 ,  中野贵司

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L49/02

CPC classification number: H01L45/1253 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1691

Abstract: 本发明提供一种可变电阻体的在电气上作出贡献的区域的面积是比由上部电极或下部电极等规定的面积更微细的面积的结构的可变电阻元件及其制造方法。在配置于基底衬底(5)上的下部电极(1)的上部形成突起电极物(2)。突起电极物(2)在与下部电极(1)的接触面不同的面与可变电阻体(3)接触，该可变电阻体(3)在与突起电极物(2)的接触面不同的面上与上部电极(4)接触。由此，突起电极物(2)(可变电阻体(3))和上部电极(4)的交叉点部分成为可变电阻体的在电气上作出贡献的区域，因而与以往的可变电阻元件中的区域相比，其面积被缩小。

公开(公告)号：CN101685828B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200910178533.8

申请日：2009-09-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 粟屋信义 ,  中野贵司

IPC: H01L27/24 ,  G11C11/40

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/005 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0033 ,  G11C14/00 ,  G11C14/0045 ,  G11C2211/4016 ,  G11C2213/31 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明涉及半导体存储装置。提供了一种廉价的高性能非易失性存储器，其能够无限次随机写入和读出。单位存储单元由MISFET(108)和电阻变化元件(113)构成，所述MISFET(108)具有与半导体衬底电隔离的沟道体，所述电阻变化元件具有一端与MISFET的漏极相连的二端子结构。MISFET(108)起易失性存储元件的作用，而电阻变化元件(113)起非易失性存储元件的作用，从而在电源关断之前MISFET(108)中所储存的信息被复制到电阻变化元件(113)，并且在电源接通时电阻变化元件中所储存的信息被传送到MISFET(108)，因而，MISFET(108)被用作能够随机写入和读出的易失性存储器。