公开(公告)号：CN108026630A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680054843.7

申请日：2016-09-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井上智 ,  川户伸一 ,  二星学 ,  小林勇毅

IPC: C23C14/24 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明提供材料利用效率比以往高的蒸镀源。蒸镀源(10)包括：蒸镀颗粒射出单元(30)，其具有：各自具有至少1个蒸镀喷嘴(32、52)且在垂直方向上彼此隔开间隔地叠层的多段的喷嘴单元、和设置在各段的蒸镀喷嘴之间的至少1个空间部(43)；和与至少1个空间部(43)连接的真空排气单元(14)。

公开(公告)号：CN107735509A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201680039615.2

申请日：2016-07-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川户伸一 ,  菊池克浩 ,  二星学 ,  井上智 ,  小林勇毅

IPC: C23C14/24 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明提供能够在成膜分布均匀的同时实现高的蒸镀材料利用效率的线源。线源(10)上设置的狭缝喷嘴(1)的长度/宽度比率为4～50，狭缝喷嘴(1)的宽度为1mm～5mm，狭缝喷嘴(1)的深度为5mm～20mm。

公开(公告)号：CN103781215B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201310487747.X

申请日：2013-10-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 波多野薰 ,  千田尚之 ,  二星学 ,  菊池克浩 ,  川户伸一 ,  越智贵志 ,  塚本优人 ,  小坂知裕 ,  大崎智文

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/02 ,  H01L51/50 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L33/36 ,  H01L27/3209 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/5044 ,  H01L51/525

Abstract: 本发明的课题是抑制具有串联元件的发光装置的串扰现象的发生。本发明的一个方式是一种发光装置，该发光装置包括：形成在绝缘层上的第一下部电极、第二下部电极；形成在所述绝缘层上并位于所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁；形成在所述隔壁上的突起物；形成在所述第一下部电极、所述隔壁、所述突起物和所述第二下部电极的每一个上的第一发光单元；形成在所述第一发光单元上的中间层；形成在所述中间层上的第二发光单元；以及形成在所述第二发光单元上的上部电极，其中由所述突起物的侧面和所述隔壁的侧面形成凹处。

公开(公告)号：CN104428439B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201380035621.7

申请日：2013-04-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 越智贵志 ,  川户伸一 ,  大崎智文 ,  二星学 ,  小坂知裕 ,  塚本优人 ,  菊池克浩

IPC: C23C14/04 ,  C23C14/24 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C16/042 ,  C23C14/042 ,  C23C16/44 ,  H01L51/0011

Abstract: 掩模单元在俯视时Y方向上没有被梁部覆盖的开口部的开口长度总和在X方向的任意位置均相等，梁部的与蒸镀掩模接触的部分不沿着Y方向架在框部上，而连续或断续地横切Y方向。

公开(公告)号：CN104094669B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201380007348.7

申请日：2013-01-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 越智贵志 ,  二星学 ,  川户伸一 ,  塚本优人 ,  菊池克浩 ,  小坂知裕

IPC: H05B33/12 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04 ,  H05B33/22 ,  H05B33/24

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/322 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5265 ,  H01L51/5275 ,  H01L51/5281 ,  H01L51/5284 ,  H01L2251/5315

Abstract: 在有机EL显示装置(1)的EC区域(第二区域)具有光学干涉层，该光学干涉层层叠有：由低折射率丙烯酸类树脂构成的边缘覆盖件(7)；有机层(8)；和由薄膜形成的半透过膜构成的第二电极(9)，所以显示区域不会变窄，能够抑制对比度降低，且能够实现可靠性高的有机EL显示装置。

公开(公告)号：CN104064578A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410108341.0

申请日：2014-03-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 杉泽希 ,  池田寿雄 ,  菊池克浩 ,  二星学 ,  井上智 ,  塚本优人 ,  川户伸一

IPC: H01L27/15 ,  G09F9/33

CPC classification number: H01L51/5218 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5215 ,  H01L51/5265

Abstract: 本发明的一个方式的目的是抑制显示装置的表面反射。本发明的一个方式是一种显示装置，包括：反射电极层110；以围绕所述反射电极层的方式形成的分隔壁118；形成于所述分隔壁以及所述反射电极层上的包含发光有机化合物的层120；形成于所述包含发光有机化合物的层上的半透射电极层122；以及形成于所述半透射电极层上的有色层162；其中，所述有色层与所述反射电极层以及所述分隔壁重叠，并且，所述分隔壁不与所述反射电极层重叠。

公开(公告)号：CN103985732A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410045551.X

申请日：2014-02-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 池田寿雄 ,  川田琢也 ,  二星学 ,  菊池克浩 ,  川户伸一 ,  越智贵志 ,  塚本优人 ,  小坂知裕 ,  大崎智文

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52

Abstract: 本发明的目的之一是提高应用了微腔结构的发光装置的发光效率。该发光装置的特征在于：在包括多个发光元件的发光装置中，所述多个发光元件的每一个具有依次层叠有反射电极、透明电极、多个发光层以及半透射半反射电极的结构，所述多个发光层的每一个分别发射颜色不同的光，而增强来自在所述多个发光元件中的设置于离所述反射电极最近的位置的发光层的光的强度并射出的发光元件中的透明电极的表面粗糙度比其他发光元件中的透明电极的表面粗糙度大。

公开(公告)号：CN107735509B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201680039615.2

申请日：2016-07-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川户伸一 ,  菊池克浩 ,  二星学 ,  井上智 ,  小林勇毅

IPC: C23C14/24 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明提供能够在成膜分布均匀的同时实现高的蒸镀材料利用效率的线源。线源(10)上设置的狭缝喷嘴(1)的长度/宽度比率为4～50，狭缝喷嘴(1)的宽度为1mm～5mm，狭缝喷嘴(1)的深度为5mm～20mm。

公开(公告)号：CN110214198A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201780084480.6

申请日：2017-01-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川户伸一 ,  二星学 ,  小池英士 ,  井上智 ,  井上毅 ,  小林勇毅

IPC: C23C14/24

Abstract: 本发明的蒸镀用掩模是包含设置有供蒸镀颗粒通过的多个开口(4)的金属制基板(2)的蒸镀用掩模(1)，其中，多个开口(4)由多个开口组构成，开口组中的开口(4)按照一定的规则反复配置，以能够从一侧支承整个基板(2)的配置方式，仅在开口组形成区域(3)的外侧设置有同一高度的多个凸部(5)。

公开(公告)号：CN109845404A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201780063427.8

申请日：2017-10-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 塚本优人 ,  川户伸一 ,  二星学 ,  今田裕士 ,  梅田时由 ,  张柏 ,  城智晃

IPC: H05B33/12 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/26 ,  H05B33/28

Abstract: 红色发光层(34R)在第一子像素(3B)、第二子像素(3G)和第三子像素(3R)共用地设置，蓝色发光层(34B)在第一子像素和第二子像素共用地设置，绿色发光层(34G)仅设置在第二子像素。