-
公开(公告)号：CN105679846A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201510856132.9
申请日：2015-11-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/03529 , H01L31/022433 , H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/0376 , H01L31/0747 , H01L31/20 , Y02E10/50 , H01L31/022425
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，即使减小n型半导体层上的电极与p型半导体层上的电极的间隔，pn结也不易短路。光电转换装置具备在半导体基板(101)的背面形成的n型非晶态半导体层(102n)和p型非晶态半导体层(102p)。另外，在n型非晶态半导体层(102n)和p型非晶态半导体层(102p)中的至少一个半导体层上，形成相间隔地配置的多个电极(103)。在多个电极(103)的表面形成导电部(302)，通过导电部(302)将多个电极(103)电连接。
-
公开(公告)号：CN103326621B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310087700.4
申请日：2013-03-19
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L31/02008 , G05F1/67 , Y02E10/58
Abstract: 本发明涉及光发电装置、该光发电装置中的最大功率点跟踪控制方法、以及具备该光发电装置的移动体。光发电装置，具备：光发电模块，串联连接有多个光发电元件的串联部被并联连接多个，多个所述串联部中的连接于同一串联行的所述光发电元件相互并联连接；以及跟踪控制装置，对所述光发电模块的输出进行最大功率点跟踪控制。所述光发电模块具备：温度传感器，对作为所述光发电模块工作时的面板温度的实际面板温度进行检测。
-
公开(公告)号：CN105190906A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480015122.6
申请日：2014-04-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/03762 , H01L31/068 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 提供一种通过被均匀地钝化来提高转换效率的光电转换元件。光电转换元件是将光转换成电的光电转换元件，具备在至少一个面形成有包括多个倾斜面(101a)的凹凸构造的硅基板(101)。在与夹着所述凹凸构造的凹部(TXb)地相邻的2个倾斜面(101a)相交的线垂直的剖面中，在将所述2个倾斜面(101a)中的一方的切线与所述凹部的最深部的切线相交的点(Pa)、和所述2个倾斜面(101a)中的另一方的切线与所述凹部的最深部的切线相交的点(Pb)之间的距离设为底部宽度(Lb)时，所述底部宽度(Lb)为20nm以上。
-
公开(公告)号：CN104685639A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380049644.3
申请日：2013-09-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/022466 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , Y02E10/547
Abstract: 提供一种光电转换元件，包括第一导电型的半导体基板、设置在该半导体基板的一个表面上的第一导电型的第一半导体膜、在该表面上从该第一半导体膜独立地设置的第二导电型的第二半导体膜、以及设置在该半导体基板和该第一半导体膜之间和/或该半导体基板和该第二半导体膜之间的介质膜，在该第一半导体膜上以及该第二半导体膜上形成有金属间化合物层。
-
公开(公告)号：CN103022185A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210353873.1
申请日：2012-09-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/02
CPC classification number: H01L31/0504 , H01L31/02021 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及光伏发电模块和光伏发电模块阵列，本发明的光伏发电模块具备：多个光伏发电元件经由连接点串联连接的群发电部；连接于所述群发电部构成的串联电路的两端的一对输出端子；以及与从所述连接点中特别指定的特别指定连接点连接的特别指定端子。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107532289B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201680022950.1
申请日：2016-02-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: C23C14/50 , C23C14/04 , C23C16/04 , C23C16/44 , H01L21/205
Abstract: 在基板形成薄膜的成膜方法，具有紧贴工序、外力去除工序及成膜工序。紧贴工序(工序B)将紧贴用部件(31)以接触于基板(30)的一面的方式重叠，在向基板(30)与紧贴用部件(31)重合的方向施加外力的状态下，将基板(30)与紧贴用部件(31)置于真空下。外力去除工序(工序C)在大气压下或真空下将外力去除。成膜工序(工序E)在基板(30)的一面或另一面上形成薄膜。
-
公开(公告)号：CN108028290A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680052868.3
申请日：2016-08-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0747
Abstract: 本发明提供抑制硼的扩散，并能使转换效率提高的光电转换元件及光电转换模块。光电转换元件(10)包括：半导体基板(1)；在半导体基板(1)上形成的本征非晶态半导体层(3)；在本征非晶态半导体层(3)上形成的包含磷作为掺杂物的n型非晶态半导体层(4)；以及在面内方向上与n型非晶态半导体层(4)相邻地形成的包含硼作为掺杂物的p型非晶态半导体层(5)。n型非晶态半导体层(4)在与p型非晶态半导体层(5)相邻的面具有膜厚减少区域TD(n)，p型非晶态半导体层(5)在与n型非晶态半导体层(4)相邻的面具有膜厚减少区域TD(p)。p型非晶态半导体层(5)的膜厚减少区域TD(p)的倾斜角度比n型非晶态半导体层(4)的膜厚减少区域TD(n)的倾斜角度更陡峭。
-
公开(公告)号：CN107667435A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201680028567.7
申请日：2016-02-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/075
Abstract: 光电转换装置(1)具备以与半导体基板(101)的一个面相接的方式形成的i型非晶质半导体层(102i)、分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上的p型非晶质半导体层(102p)与分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上，且于半导体基板(101)的面内方向邻接于p型非晶质半导体层(102p)而形成的n型非晶质半导体层(102n)。进而，光电转换装置(1)具备电极(103)作为保护层，所述保护层是以在邻接的p型非晶质半导体层(102p)之间及邻接的n型非晶质半导体层(102n)之间与i型非晶质半导体层(102i)相接的方式形成。
-
公开(公告)号：CN107532289A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680022950.1
申请日：2016-02-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: C23C14/50 , C23C14/04 , C23C16/04 , C23C16/44 , H01L21/205
Abstract: 在基板形成薄膜的成膜方法，具有紧贴工序、外力去除工序及成膜工序。紧贴工序(工序B)将紧贴用部件(31)以接触于基板(30)的一面的方式重叠，在向基板(30)与紧贴用部件(31)重合的方向施加外力的状态下，将基板(30)与紧贴用部件(31)置于真空下。外力去除工序(工序C)在大气压下或真空下将外力去除。成膜工序(工序E)在基板(30)的一面或另一面上形成薄膜。
-
公开(公告)号：CN105679846B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510856132.9
申请日：2015-11-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/03529 , H01L31/022433 , H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/0376 , H01L31/0747 , H01L31/20 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，即使减小n型半导体层上的电极与p型半导体层上的电极的间隔，pn结也不易短路。光电转换装置具备在半导体基板(101)的背面形成的n型非晶态半导体层(102n)和p型非晶态半导体层(102p)。另外，在n型非晶态半导体层(102n)和p型非晶态半导体层(102p)中的至少一个半导体层上，形成相间隔地配置的多个电极(103)。在多个电极(103)的表面形成导电部(302)，通过导电部(302)将多个电极(103)电连接。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.034 seconds)
