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公开(公告)号：CN106537906A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580038421.6
申请日：2015-07-08
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供与现有技术相比通用性高且能够使观察对象物质的状态可视化的摄像装置。摄像装置(1)具有滤光片部(111)、受光部(112)和图像处理部(13)。滤光片部(111)具有光谱透射特性不同的多个滤光片，使与观察对象物质的吸光光谱或荧光光谱对应的特定的波段的光透过。受光部(112)接受由滤光片部(111)透射的光，将接受的光由光电转换元件(112a)转换为电信号而输出。图像处理部(13)将从受光部(112)输出的电信号转换为可见光波段的信号输出向显示装置(2)。
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公开(公告)号：CN102737723B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210106127.2
申请日：2012-04-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G11C29/42
CPC classification number: G11C13/0069 , G06F11/1048 , G11C13/0007 , G11C29/52 , G11C2013/0073 , G11C2029/0411
Abstract: 本发明实现一种半导体存储设备，其能够有效地执行在连续的读取动作中会可能发生的数据错误的检测和所述错误数据的校正。所述半导体存储设备(1)使用由金属氧化物制成的可变电阻元件以用于存储信息。在所述半导体存储设备(1)中采用ECC的编码数据的读取动作期间，当通过ECC电路(106)检测数据错误时，假设由于具有与所施加的读取电压脉冲的极性相同的极性的写入电压脉冲的施加而导致已经发生错误写入，具有与读取电压脉冲的极性相反的极性的写入电压脉冲被施加到从其中检测到错误的所有存储单元，以便校正从其中检测到错误的位。
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公开(公告)号：CN104586355A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410601756.1
申请日：2014-10-31
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种测定装置，其能够获得能将皮肤中含有的黑色素和血色素适当地分离的拍摄结果。该测定装置从照射部的光源对被摄体照射在蓝色和绿色的波段中具有由黑色素和血色素引起的吸收的影响度彼此不同的峰的光谱特性的光，测定装置利用摄像机对与透射RGB的滤光片的来自光源的光对应的被摄体的反射光进行摄像，利用输出部输出由摄像机摄像得到的RGB的摄像信号。
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公开(公告)号：CN102420013B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201110285490.0
申请日：2011-09-23
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0028 , G11C13/0061 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C13/0097
Abstract: 半导体存储器设备，其中不管作为写入动作（擦除和编程动作）的目标的存储器单元的可变电阻元件的电阻状态如何，施加用于将可变电阻元件的电阻状态带入具有最低电阻值的擦除状态的擦除电压脉冲。此后，向编程动作目标存储器元件的可变电阻元件施加将可变电阻元件的电阻状态带入所需编程状态的编程电压脉冲。通过总是在施加擦除电压脉冲之后施加编程电压脉冲，可以避免连续地施加多个编程电压脉冲。而且，存储器单元阵列由偶数个子组块构成，且交替地执行一个子组块中擦除电压脉冲的施加和另一子组块中编程电压脉冲的施加。
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公开(公告)号：CN102737723A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210106127.2
申请日：2012-04-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G11C29/42
CPC classification number: G11C13/0069 , G06F11/1048 , G11C13/0007 , G11C29/52 , G11C2013/0073 , G11C2029/0411
Abstract: 本发明实现一种半导体存储设备，其能够有效地执行在连续的读取动作中会可能发生的数据错误的检测和所述错误数据的校正。所述半导体存储设备(1)使用由金属氧化物制成的可变电阻元件以用于存储信息。在所述半导体存储设备(1)中采用ECC的编码数据的读取动作期间，当通过ECC电路(106)检测数据错误时，假设由于具有与所施加的读取电压脉冲的极性相同的极性的写入电压脉冲的施加而导致已经发生错误写入，具有与读取电压脉冲的极性相反的极性的写入电压脉冲被施加到从其中检测到错误的所有存储单元，以便校正从其中检测到错误的位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102820063B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201210187984.X
申请日：2012-06-08
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G11C29/42
CPC classification number: G06F11/1048 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C2029/0411
Abstract: 本发明实现在长期间的数据保持特性上优越且能高效地进行读出时的数据的错误检测和纠正的半导体存储装置。在将使用了金属氧化物的可变电阻元件用于信息的存储的半导体存储装置（1）中，将在使该可变电阻元件转变成高电阻状态的情况下施加的重写电压脉冲的电压振幅设定在使得成为转变后的高电阻状态的电阻值随着时间的经过而上升的数据保持特性的电压范围内。具体地说，设定在伴随着使该电压振幅上升，转变后的高电阻状态的电阻值朝向规定的峰值上升的电压范围。而且，在利用ECC电路（106）检测出数据错误的情况下，视为本来应是低电阻状态的数据变化成了高电阻状态，将检测出错误的全部的存储单元的可变电阻元件重写成低电阻状态，对检测出错误的位进行纠正。
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公开(公告)号：CN102332300B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201110138379.9
申请日：2011-05-26
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C7/12 , G11C8/08 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0026 , G11C13/0069 , G11C2013/0071 , G11C2213/79 , G11C2213/82
Abstract: 本发明提供不使单元阵列面积增大且可抑制写入干扰的半导体存储装置。半导体存储装置具有：存储单元阵列（100），将多个存储单元排列成矩阵状，该存储单元将二端子型存储元件R和选择用晶体管Q串联连接；第一电压施加电路（101），向第一位线施加改写电压脉冲；第二电压施加电路（102），向第一位线及第二位线施加预充电电压，其中，在改写存储单元时，第二电压施加电路（102）预先将存储单元两端预充电为相同电压后，第一电压施加电路（101）经与选择用的晶体管直接连接的第一位线施加改写电压脉冲，并且第二电压施加电路（102）向与存储元件直接连接的第二位线施加该预充电电压。
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公开(公告)号：CN102339636B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201110198320.9
申请日：2011-07-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C7/1048 , G11C7/12 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/0071 , G11C2213/79 , G11C2213/82
Abstract: 本发明涉及半导体存储装置及其驱动方法。在具有存储元件的半导体存储装置的改写中，从公用线侧也施加电压脉冲，故无法高速动作。半导体存储装置具有：存储单元阵列（100），矩阵状排列多个将二端子型的存储元件R和选择用的晶体管Q串连而成的存储单元；第一电压施加电路（101），对位线施加改写电压脉冲；第二电压施加电路（102），对位线及公用线施加预充电电压，其中在存储单元改写时，第二电压施加电路（102）预先将存储单元两端预充电为同一电压后，第一电压施加电路（101）将改写电压脉冲经位线施加在改写对象的存储单元的一端，并且在施加该改写电压脉冲期间，维持第二电压施加电路（102）经公用线对该存储单元另一端施加该预充电电压。
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公开(公告)号：CN103035289A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210375954.1
申请日：2012-10-08
Applicant: 夏普株式会社 , 尔必达存储器股份有限公司
CPC classification number: G11C13/0028 , G11C13/0002 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0078 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置，能够使向可变电阻元件的电压施加极性不同的2种写入工作后的各验证工作分别低功耗且高速地执行。写入电路（22）构成为能分别执行设定工作和重置工作，设定工作通过从存储器单元的一端侧经由可变电阻元件向另一端侧流过电流，从而使可变电阻元件的电阻低电阻化，重置工作通过从存储器单元的另一端侧经由可变电阻元件向一端侧流过电流，从而使可变电阻元件的电阻高电阻化，读出电路（21）构成为能够分别执行第1读出工作和第2读出工作，第1读出工作通过从存储器单元的一端侧经由可变电阻元件向另一端侧流过电流，从而读出可变电阻元件的电阻状态，第2读出工作通过从存储器单元的另一端侧经由可变电阻元件向一端侧流过电流，从而读出可变电阻元件的电阻状态。
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公开(公告)号：CN102820063A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210187984.X
申请日：2012-06-08
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G11C29/42
CPC classification number: G06F11/1048 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C2029/0411
Abstract: 本发明实现在长期间的数据保持特性上优越且能高效地进行读出时的数据的错误检测和纠正的半导体存储装置。在将使用了金属氧化物的可变电阻元件用于信息的存储的半导体存储装置（1）中，将在使该可变电阻元件转变成高电阻状态的情况下施加的重写电压脉冲的电压振幅设定在使得成为转变后的高电阻状态的电阻值随着时间的经过而上升的数据保持特性的电压范围内。具体地说，设定在伴随着使该电压振幅上升，转变后的高电阻状态的电阻值朝向规定的峰值上升的电压范围。而且，在利用ECC电路（106）检测出数据错误的情况下，视为本来应是低电阻状态的数据变化成了高电阻状态，将检测出错误的全部的存储单元的可变电阻元件重写成低电阻状态，对检测出错误的位进行纠正。
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