测定装置
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104586355A

    公开(公告)日:2015-05-06

    申请号:CN201410601756.1

    申请日:2014-10-31

    Abstract: 本发明提供一种测定装置,其能够获得能将皮肤中含有的黑色素和血色素适当地分离的拍摄结果。该测定装置从照射部的光源对被摄体照射在蓝色和绿色的波段中具有由黑色素和血色素引起的吸收的影响度彼此不同的峰的光谱特性的光,测定装置利用摄像机对与透射RGB的滤光片的来自光源的光对应的被摄体的反射光进行摄像,利用输出部输出由摄像机摄像得到的RGB的摄像信号。

    光接收元件及其制造方法以及具有内建电路的光接收元件

    公开(公告)号:CN100338783C

    公开(公告)日:2007-09-19

    申请号:CN03155529.2

    申请日:2003-08-28

    CPC classification number: H01L31/103

    Abstract: 本发明公开了一种光接收元件及其制造方法以及具有内建电路的光接收元件,其中该元件包括:衬底;以及,外延层,设置在衬底上并包括从外延层的表面延伸至预定深度的杂质扩散层。该预定深度为小于等于约0.3μm。杂质扩散层包括浓度小于约1×1020cm-3的杂质。其中光接收元件执行具有大于等于约390nm但小于等于约420nm的波长的光的光电转换。以及外延层为具有大于等于约100Ωcm的电阻率的高电阻率层,或者具有大于等于约100Ωcm的电阻率的高电阻率层设置在衬底与外延层之间,从而接触杂质扩散层接近衬底的表面。

    摄像装置和分析装置
    15.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106537906B

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201580038421.6

    申请日:2015-07-08

    Abstract: 本发明提供与现有技术相比通用性高且能够使观察对象物质的状态可视化的摄像装置。摄像装置(1)具有滤光片部(111)、受光部(112)和图像处理部(13)。滤光片部(111)具有光谱透射特性不同的多个滤光片,使与观察对象物质的吸光光谱或荧光光谱对应的特定的波段的光透过。受光部(112)接受由滤光片部(111)透射的光,将接受的光由光电转换元件(112a)转换为电信号而输出。图像处理部(13)将从受光部(112)输出的电信号转换为可见光波段的信号输出向显示装置(2)。

    拍摄装置
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109075178A

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201780024488.3

    申请日:2017-03-08

    Abstract: 实现一种具备使偏振特性提高的狭缝型的偏振滤光器的拍摄装置。拍摄装置(100)的偏振部(10)具备隔着电介质层(14)的第一偏振片层(120a)及第二偏振片层(120b),在第一偏振片层(120a)及第二偏振片层(120b)的各偏振片层中,形成有沿规定的方向周期性地排列的多个狭缝(13)。第一偏振片层(120a)及第二偏振片层(120b)的形成材料及控制受光部(11)的动作的布线层的形成材料分别为选自Al、Si、Cu、Au、Ag、Pt、W、Ti、Sn、In、Ga、Zn或包含这些元素中的至少一个的化合物或合金的材料。

    荧光检测装置和清扫机
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104568865A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201410539344.X

    申请日:2014-10-13

    Abstract: 本发明提供荧光检测装置和清扫机。本发明提供一种能够简便地搬运到各种场所和环境,并能够容易地对检测对象物质发出的特定波长的荧光进行检测的技术。荧光检测装置在能够携带的箱体中具备:照射部,该照射部向被摄体照射规定的波段的激发光;滤光片部,该滤光片部具有使被摄体相对于激发光发出的特定波长的荧光透过的荧光滤光片;受光部,该受光部接收透过荧光滤光片的荧光;和提示部,该提示部向用户提示基于受光部的受光结果的信息。

    半导体器件
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101404293A

    公开(公告)日:2009-04-08

    申请号:CN200810166179.2

    申请日:2008-10-06

    Inventor: 夏秋和弘

    Abstract: 提供一种具有高介电强度和允许其导通电阻充分小的半导体器件。这种半导体器件包括第一导电类型半导体层、和在形成于该半导体层的主表面上的绝缘膜的给定区域上设置的栅电极。该半导体层包括:靠近该主表面形成的第一导电类型体区;靠近该主表面侧形成的第二导电类型漏区;以及在不位于该体区正下方且至少位于该漏区正下方的位置处形成并连接到该漏区的第二导电类型掩埋区。

    光传感器
    20.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109196663B

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN201780032650.6

    申请日:2017-05-26

    Abstract: 本发明提供的光传感器(1)包括:向被检测物照射光的发光元件(20);以及具有接受从发光元件(20)照射的光的受光面(40a)的受光元件(40)。在从发光元件(40)照射的光朝向受光面(40a)的路径上设置覆盖受光面(40a)的入射光限制部(60),该入射光限制部(60)使向受光元件(40)入射的光中的入射角度低于规定值的光透射,而遮挡入射角度为规定值以上的光。

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