公开(公告)号：CN103250202B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201280004022.4

申请日：2012-07-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山本薰 ,  金子诚二 ,  小川康行 ,  田中耕平 ,  内田诚一 ,  高丸泰 ,  森重恭

IPC: G09G3/36 ,  G09G3/20

CPC classification number: G09G3/36 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3688 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0452 ,  G09G2310/0213 ,  G09G2310/0218 ,  G09G2310/0297 ,  G09G2320/0219 ,  G09G2330/023

Abstract: 提供降低功耗的SSD方式的显示装置。选择电路（400）包括k个选择块（410（1）～410（k））。各选择块包括3个薄膜晶体管。对这3个薄膜晶体管的栅极端子分别提供3相的选择控制信号（CT）。在扫描期间（T1）之后设置停止期间（T2）。在停止期间（T2），根据停止期间频率（fck2）的选择控制信号（CT），各选择块中的3个薄膜晶体管成为导通状态。停止期间频率（fck2）比扫描期间频率（fck1）低。

公开(公告)号：CN102113216B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN200980130261.2

申请日：2009-06-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： C·布朗 ,  小川康行

IPC: G02F1/133 ,  H03K17/687 ,  G09G3/20

CPC classification number: G09G3/3688 ,  G09G2310/027 ,  Y10T307/74

Abstract: 本发明提供电容负载驱动电路和具备该电容负载驱动电路的显示装置。缓冲电路(1)根据电压Vin驱动电容负载(9)。在设定期间开关(11、13～15)成为接通状态，在驱动期间开关(12)成为接通状态。电压比较部(2)将设定期间的电压Vin和驱动期间的电压Vout进行比较，输出比较结果电压。推挽输出部(4)包括充电用的TFT(25)和放电用的TFT(26)。驱动控制部(3)在设定期间将TFT(25、26)控制为断开状态，在驱动期间根据比较结果电压将TFT(25、26)有选择地控制为接通状态。在Vout＜Vin时，比较结果电压上升，TFT(24)成为接通状态，节点(N6)的电压下降，TFT(25)成为接通状态，电压Vout上升。由此，提供一种小型、低耗电且耐工艺偏差的能力强的电容负载驱动电路。

公开(公告)号：CN107210067A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680007554.1

申请日：2016-02-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小川康行 ,  山本熏

IPC: G11C19/28 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36

Abstract: 尽量以少的元件数量，实现不发生动作不良且能够达到显示装置的高精细化的移位寄存器电路。单位电路设有作为输出控制用晶体管起作用薄膜晶体管(M5)、用于基于从前段的输出端子(48)输出的导通电平的信号预充电内部节点(VC)的薄膜晶体管(M1)、串联设于前段的输出端子(48)和本段的内部节点(VC)之间的两个薄膜晶体管(M2、M3)、设于内部节点和输出端子(48)之间的薄膜晶体管(M4)、用于下拉输出端子(48)的薄膜晶体管(M6)。薄膜晶体管(M2、M3)在下拉前段的输出端子(48)期间的一部分期间中，仅在时钟周期的四分之一期间处于导通状态。

公开(公告)号：CN104205341B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201380018474.2

申请日：2013-03-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊东一笃 ,  高丸泰 ,  宫本忠芳 ,  宫本光伸 ,  中泽淳 ,  小川康行 ,  内田诚一 ,  森重恭

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 半导体器件(100)具备：栅极电极(3)；栅极绝缘层(4)；氧化物层(50)，其形成在栅极绝缘层(4)之上，包含第一半导体区域(51)和第一导电体区域(55)，第一半导体区域(51)的至少一部分隔着栅极绝缘层(4)与栅极电极(3)重叠；源极电极(6s)，其以与氧化物层(50)的第一半导体区域(51)的上表面接触的方式形成；漏极电极(6d)，其以与氧化物层(50)的第一半导体区域(51)的上表面接触的方式形成，且与第一导电体区域(55)电连接；和导电层(60)，其与氧化物层(50)的上表面接触地形成，且具有多个开口部(66)或缺口部，氧化物层(50)包含在导电层的多个开口部内或缺口部内具有表面的多个第二导电体区域(57、58)。

公开(公告)号：CN105144276A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480022504.1

申请日：2014-02-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山本薰 ,  小川康行 ,  织田明博 ,  富田雅裕

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1345 ,  G09G3/20 ,  H03K19/0175 ,  H03K19/0944

CPC classification number: G09G5/10 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  G09G2330/022 ,  G09G2330/027 ,  H03K3/356026

Abstract: 本发明的一个方式的显示装置(100)具备：显示部(110)，其包括排列成矩阵状的多个像素部；扫描线驱动电路(120)，其具有用于驱动与构成上述显示部的像素部连接的扫描线的输出晶体管；以及显示控制电路(140)，其在显示期间将用于使上述显示部显示图像的信号提供给上述驱动部，在显示中止期间控制上述输出晶体管的偏置状态，使得在上述显示期间升高了的上述输出晶体管的阈值电压的绝对值减小。

公开(公告)号：CN104396019A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201380032605.2

申请日：2013-06-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 内田诚一 ,  宫本忠芳 ,  小川康行 ,  高丸泰 ,  伊东一笃 ,  松尾拓哉 ,  森重恭

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/425 ,  H01L21/441 ,  H01L21/443 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969

Abstract: TFT基板(100A)还具有：在基板(1)上形成的与栅极电极(3)由相同的导电膜形成的栅极连接层(3a)或与第一透明电极(2)由相同的导电膜形成的透明连接层(2a)；在绝缘层(4)上形成的包含至少1个导体区域(5a)的氧化物层(5z)；和在氧化物层(5z)上形成的与源极电极(6s)由相同的导电膜形成的源极连接层(6a)，源极连接层(6a)经由至少1个导体区域(5a)与栅极连接层(3a)或透明连接层(2a)电连接。

公开(公告)号：CN104380474A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380033025.5

申请日：2013-06-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 内田诚一 ,  小川康行 ,  宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  高丸泰 ,  中泽淳 ,  宫本光伸

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/441 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 半导体装置(100A)具有：基板(2)；在基板(2)上形成的栅极电极(3)；在栅极电极(3)上形成的栅极绝缘层(4)；在栅极绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的层间绝缘层(8a)；和在层间绝缘层(8a)上形成的第二透明电极(9)，第二透明电极(9)的至少一部分隔着层间绝缘层(8a)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。

公开(公告)号：CN103238177B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201280003994.1

申请日：2012-08-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小川康行 ,  金子诚二 ,  山本薰 ,  田中耕平 ,  内田诚一 ,  高丸泰 ,  森重恭

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133 ,  G09G3/20

CPC classification number: G06F1/3265 ,  G09G3/3618 ,  G09G2330/021 ,  G09G2330/022 ,  G09G2340/0435 ,  G09G2360/18 ,  G09G2370/08

Abstract: 提供能基于发送的指令所包含的视频数据来以较小的功耗显示变化较小的图像的显示装置及其驱动方法。显示定时控制器（31）按照每1帧期间判断在从外部发送的指令中是否包含更新的视频数据。其结果是，在判断为不包含更新的视频数据的情况下，不进行由帧存储器（36）保存的视频数据的读出并停止画面的刷新。另外，在判断为包含更新的视频数据的情况下，读出由帧存储器（36）保存的视频数据并进行画面的刷新。

公开(公告)号：CN104247031A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380021447.0

申请日：2013-04-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高丸泰 ,  伊东一笃 ,  宫本忠芳 ,  宫本光伸 ,  中泽淳 ,  小川康行 ,  内田诚一 ,  森重恭

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/425 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 半导体装置(100A)具备：包括半导体区域(5)和与半导体区域接触的导体区域(7)的氧化物层(15)；与半导体区域电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；在源极电极和漏极电极上形成的绝缘层(11)；以隔着绝缘层与导体区域的至少一部分重叠的方式配置的透明电极(9)；与源极电极由相同的导电膜形成的源极配线(6a)；和与栅极电极(3)由相同的导电膜形成的栅极引绕配线(3a)。源极配线通过与透明电极由相同的导电膜形成的透明连接层(9a)，与栅极引绕配线电连接。

公开(公告)号：CN104081507A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201380007575.X

申请日：2013-01-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  森重恭 ,  宫本光伸 ,  小川康行 ,  中泽淳 ,  内田诚一 ,  松尾拓哉

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L21/441 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 半导体装置(100A)包括：基板(2)；在基板(2)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的电介质层(8)；和在电介质层(8)上形成的第二透明电极(9)。第一透明电极(7)的上表面和下表面中的至少一个与具有将氧化物半导体层(5)所含的氧化物半导体还原的性质的还原绝缘层(8a)接触。第二透明电极(9)的至少一部分隔着电介质层(8)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。