公开(公告)号：CN105849868B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201580003367.1

申请日：2015-01-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小河淳 ,  远崎学 ,  藤重阳介 ,  伊藤伸之 ,  冈崎舞 ,  井上雄史 ,  田尻雅之 ,  寺口信明

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  C30B29/38 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462

Abstract: 氮化物半导体层叠体包括：将从(111)面以0度以上4.0度以下的偏离角倾斜的面作为主面的Si衬底(101、201、301、401、1101)；和形成在Si衬底(101、201、301、401、1101)上的氮化物半导体层(110、210、310、410、1102、1103、1104、1105、1106、1107)。

公开(公告)号：CN106415802A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580027209.X

申请日：2015-04-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊藤伸之 ,  远崎学 ,  小河淳

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3738 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812

Abstract: 氮化物类化合物半导体具有衬底(1)和设置在衬底(1)上的氮化物类化合物半导体叠层体层缓冲层(4)、叠层在该多层缓冲层(4)上的沟道层(5)和叠层在该沟道层(5)上的电子供给层(6)。设置有从电子供给层(6)的表面贯通沟道层(5)和多层缓冲层(4)的凹部(110)，在该凹部(110)内设置有与多层缓冲层(4)和沟道层(5)相邻、并且导热系数比多层缓冲层(4)高的散热层(210)。(11)。氮化物类化合物半导体叠层体(11)包括多

公开(公告)号：CN100593248C

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200810004903.1

申请日：2008-01-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小河淳 ,  相生明雄 ,  驹田聪 ,  中津弘志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

Abstract: 一种氮化物半导体发光装置，包括衬底，以及从靠近衬底一侧开始依次堆叠在该衬底上的第一n型氮化物半导体层、发射层、p型氮化物半导体层、金属层和第二n型氮化物半导体层，其中电极提供在第二n型氮化物半导体层的表面上或者在所述第二n型氮化物半导体层的表面的上方。该金属层优选由贮氢合金制造。

公开(公告)号：CN101090145A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200710111828.4

申请日：2007-06-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小河淳

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体发光元件及其制造方法，在该氮化物半导体发光元件中，第一导电型的氮化物半导体层、有源层和第二导电型的氮化物半导体层按序叠置。所述制造方法包括以下步骤：在第一导电型的氮化物半导体层的表面处形成凹凸；在第二导电型的氮化物半导体层的表面处形成凹凸；以及在第一导电型的氮化物半导体层的一侧上形成第一电极和在第二导电型的氮化物半导体层的一侧上形成第二电极，使得第一和第二电极互相面对安置而有源层介于其间。

公开(公告)号：CN106415802B

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201580027209.X

申请日：2015-04-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊藤伸之 ,  远崎学 ,  小河淳

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3738 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812

Abstract: 氮化物类化合物半导体具有衬底(1)和设置在衬底(1)上的氮化物类化合物半导体叠层体(11)。氮化物类化合物半导体叠层体(11)包括多层缓冲层(4)、叠层在该多层缓冲层(4)上的沟道层(5)和叠层在该沟道层(5)上的电子供给层(6)。设置有从电子供给层(6)的表面贯通沟道层(5)和多层缓冲层(4)的凹部(110)，在该凹部(110)内设置有与多层缓冲层(4)和沟道层(5)相邻、并且导热系数比多层缓冲层(4)高的散热层(210)。

公开(公告)号：CN105637620B

公开(公告)日：2018-11-20

申请号：CN201480056167.8

申请日：2014-09-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井上雄史 ,  小河淳 ,  伊藤伸之 ,  寺口信明

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 氮化物半导体包括：形成于衬底(1)上的初始生长层(2)；形成于上述初始生长层(2)上的缓冲层(3)；形成于上述缓冲层(3)上的超晶格缓冲层(4)；形成于上述超晶格缓冲层(4)的由多层构成的沟道层(5)；和形成于上述沟道层(5)上的势垒层(8)，上述超晶格缓冲层(4)通过交替层叠由AlxGa1‑xN(0.5≤x≤1.0)的组成构成的厚度a的高含Al层和由AlyGa1‑yN(0≤y≤0.3)的组成构成的厚度b的低含Al层而形成，上述沟道层(5)，与上述超晶格缓冲层(4)接合，并且通过从超晶格缓冲层(4)侧起依次层叠AlzGa1‑zN层(6)和GaN层(7)而形成，上述AlzGa1‑z层(6)的Al组成与上述超晶格缓冲层(4)的平均Al组成相同。

公开(公告)号：CN105637620A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201480056167.8

申请日：2014-09-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井上雄史 ,  小河淳 ,  伊藤伸之 ,  寺口信明

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783

Abstract: 氮化物半导体包括：形成于衬底(1)上的初始生长层(2)；形成于上述初始生长层(2)上的缓冲层(3)；形成于上述缓冲层(3)上的超晶格缓冲层(4)；形成于上述超晶格缓冲层(4)的由多层构成的沟道层(5)；和形成于上述沟道层(5)上的势垒层(8)，上述超晶格缓冲层(4)通过交替层叠由AlxGa1-xN(0.5≤x≤1.0)的组成构成的厚度a的高含Al层和由AlyGa1-yN(0≤y≤0.3)的组成构成的厚度b的低含Al层而形成，上述沟道层(5)，与上述超晶格缓冲层(4)接合，并且通过从超晶格缓冲层(4)侧起依次层叠AlzGa1-zN层(6)和GaN层(7)而形成，上述AlzGa1-z层(6)的Al组成与上述超晶格缓冲层(4)的平均Al组成相同。

公开(公告)号：CN101330121B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200810125316.8

申请日：2008-06-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小河淳 ,  驹田聪 ,  高冈宏树 ,  中津弘志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光装置的制造方法，在包括夹置于衬底(101)上的n型氮化物半导体层(103、104)和p型氮化物半导体层(106至108)之间的氮化物半导体有源层(105)的氮化物半导体发光装置的制造方法中，n型层、有源层和p型层的至少任何之一包括多层膜结构，并且表面活性剂材料在包括在多层膜结构中的层的晶体生长之前、期间或者之后提供到晶体生长表面。

公开(公告)号：CN102751412A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210120722.1

申请日：2012-04-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 渡边浩崇 ,  小河淳 ,  冈崎舞 ,  木下多贺雄

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体元件形成用晶片及其制造方法、氮化物半导体元件及其制造方法。氮化物半导体元件形成用晶片通过在基板上依次层叠基底层、第一导电型氮化物半导体层、有源层及第二导电型氮化物半导体层而构成。基板由与氮化物半导体元件材料不同的材料构成。而且，基底层和第一导电型氮化物半导体层中至少一方的膜厚在基板的中央侧和基板的周边侧不同。氮化物半导体元件使用氮化物半导体元件形成用晶片制作。

公开(公告)号：CN101276991B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200810090009.0

申请日：2008-03-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 驹田聪 ,  小河淳 ,  高冈宏树

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  C23C16/18 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明提供一种制造氮化物半导体发光器件的方法，该方法包括下述步骤：在生长所述活性层之前使表面活性剂材料与所述n型氮化物半导体层的表面或未掺杂氮化物半导体层的表面接触接触，或者在生长所述活性层的过程中或生长所述活性层之后使表面活性剂材料与已生长的晶体表面接触。该制造方法可获得具有较高发光效率的氮化物半导体发光器件。