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公开(公告)号:CN105981180A
公开(公告)日:2016-09-28
申请号:CN201580007656.9
申请日:2015-01-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0236
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/035281 , H01L31/0508 , H01L31/0516 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 光电转换元件具备n型单晶硅基板(1)。n型单晶硅基板(1)包括中心区域(11)和端部区域(12)。中心区域(11)是被具有与n型单晶硅基板(1)的中心点相同的中心点、并且将n型单晶硅基板(1)的四边中的最短的边的长度的40%的长度设为直径的圆包围的区域。并且,中心区域(11)具有厚度t1。端部区域(12)是从n型单晶硅基板(1)的端部起5mm以内的区域。并且,端部区域(12)配置于在n型单晶硅基板(1)的面内方向上比中心区域(11)更靠外侧的位置,具有比厚度t1薄的厚度t2。另外,端部区域(12)具有比中心区域(11)的平均面粗糙度小的平均面粗糙度。
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公开(公告)号:CN105190906A
公开(公告)日:2015-12-23
申请号:CN201480015122.6
申请日:2014-04-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/03762 , H01L31/068 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 提供一种通过被均匀地钝化来提高转换效率的光电转换元件。光电转换元件是将光转换成电的光电转换元件,具备在至少一个面形成有包括多个倾斜面(101a)的凹凸构造的硅基板(101)。在与夹着所述凹凸构造的凹部(TXb)地相邻的2个倾斜面(101a)相交的线垂直的剖面中,在将所述2个倾斜面(101a)中的一方的切线与所述凹部的最深部的切线相交的点(Pa)、和所述2个倾斜面(101a)中的另一方的切线与所述凹部的最深部的切线相交的点(Pb)之间的距离设为底部宽度(Lb)时,所述底部宽度(Lb)为20nm以上。
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