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公开(公告)号：CN107532289A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680022950.1
申请日：2016-02-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: C23C14/50 , C23C14/04 , C23C16/04 , C23C16/44 , H01L21/205
Abstract: 在基板形成薄膜的成膜方法，具有紧贴工序、外力去除工序及成膜工序。紧贴工序(工序B)将紧贴用部件(31)以接触于基板(30)的一面的方式重叠，在向基板(30)与紧贴用部件(31)重合的方向施加外力的状态下，将基板(30)与紧贴用部件(31)置于真空下。外力去除工序(工序C)在大气压下或真空下将外力去除。成膜工序(工序E)在基板(30)的一面或另一面上形成薄膜。
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公开(公告)号：CN105679846B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510856132.9
申请日：2015-11-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/03529 , H01L31/022433 , H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/0376 , H01L31/0747 , H01L31/20 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，即使减小n型半导体层上的电极与p型半导体层上的电极的间隔，pn结也不易短路。光电转换装置具备在半导体基板(101)的背面形成的n型非晶态半导体层(102n)和p型非晶态半导体层(102p)。另外，在n型非晶态半导体层(102n)和p型非晶态半导体层(102p)中的至少一个半导体层上，形成相间隔地配置的多个电极(103)。在多个电极(103)的表面形成导电部(302)，通过导电部(302)将多个电极(103)电连接。
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公开(公告)号：CN106062973A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580012504.8
申请日：2015-04-03
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/022441 , H01L31/03762 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种光电转换装置，能够抑制p层或者n层的掺杂物向相邻的层扩散。光电转换装置(1)具备硅基板(10)、形成于硅基板(10)的一个面并且实质上是本征的本征非晶质层(11)以及形成于本征非晶质层(11)上的第1导电类型非晶质层(12)。第1导电类型非晶质层(12)包括第1浓度层(121)和层叠于第1浓度层(121)的第2浓度层(122)。第2浓度层(122)的掺杂物浓度是8×1017cm‑3以上且低于第1浓度层的掺杂物浓度。
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公开(公告)号：CN104011796A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201280061322.6
申请日：2012-12-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G11B7/005 , G11B7/24085
CPC classification number: G11B7/24085 , G11B7/005 , G11B7/00736 , G11B7/0079 , G11B7/1374 , G11B7/24065 , G11B2220/2541 , G11B2220/2595
Abstract: 提高可大容量化的超分辨率光信息记录介质的可靠性。本发明所涉及的光信息记录介质(11)由形成为最小标记长度和最小间隔长度的平均长度Tm[nm]比光学系统分辨率极限短的预置坑群来记录内容，作为用于再生内容的再生速度，记录了指定2×(4.92×Tm/149)[m/s]以上、低于(10000/60)×2×π×(24/1000)[m/s]的范围的再生速度的再生速度信息。
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公开(公告)号：CN104662673B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201380049902.8
申请日：2013-09-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/0376 , H01L31/0747 , H01L31/1884 , Y02E10/547
Abstract: 提供一种光电转换元件及其制造方法，该光电转换元件包括：第一导电型的半导体基板；第一导电型的第一非晶膜，设置在该半导体基板的一个表面的整个面；第一导电性氧化物层，设置在该第一非晶膜上；第一导电型的第二非晶膜，设置在该半导体基板的另一个表面的一部分；第二导电性氧化物层，设置在该第二非晶膜上；第二导电型的第三非晶膜，设置在该半导体基板的另一个表面的其他的一部分；以及第三导电性氧化物层，设置在该第三非晶膜上，该第一导电性氧化物层的导电率比该第二导电性氧化物层以及该第三导电性氧化物层的导电率低，该第一导电性氧化物层的透过率比该第二导电性氧化物层以及该第三导电性氧化物层的透过率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104662673A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380049902.8
申请日：2013-09-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/0376 , H01L31/0747 , H01L31/1884 , Y02E10/547
Abstract: 提供一种光电转换元件及其制造方法，该光电转换元件包括：第一导电型的半导体基板；第一导电型的第一非晶膜，设置在该半导体基板的一个表面的整个面；第一导电性氧化物层，设置在该第一非晶膜上；第一导电型的第二非晶膜，设置在该半导体基板的另一个表面的一部分；第二导电性氧化物层，设置在该第二非晶膜上；第二导电型的第三非晶膜，设置在该半导体基板的另一个表面的其他的一部分；以及第三导电性氧化物层，设置在该第三非晶膜上，该第一导电性氧化物层的导电率比该第二导电性氧化物层以及该第三导电性氧化物层的导电率低，该第一导电性氧化物层的透过率比该第二导电性氧化物层以及该第三导电性氧化物层的透过率高。
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公开(公告)号：CN103181176B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201180050345.2
申请日：2011-09-28
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G02B27/22 , H04N13/128 , H04N13/341 , H04N13/398
Abstract: 立体影像输出装置(10)具备显示控制部(14)，该显示控制部(14)在赋予了对用于显示立体影像的初始影像数据所设定的多个立体感时，向显示装置(102)输出设定了多个立体感的每一个的初始影像数据即多个影像数据，由此使利用多个影像数据的每一个影像数据的多个立体影像显示在显示装置(102)的画面上。
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公开(公告)号：CN101785055A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200880104333.1
申请日：2008-08-28
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11B7/007 , G11B7/0053 , G11B7/00745 , G11B7/24 , G11B7/24091
Abstract: 本发明提供一种超分辨光学记录介质(10)，其在记录有介质识别信息的介质信息区域(1)与记录有内容信息的内容区域(3)之间，具备以使介质信息区域(1)的预坑列与内容区域(3)的预坑列相连的形式而形成有至少2圈以上的轨道的空白区域(2)。空白区域(2)不记录信息。由此，本发明提供一种超分辨光学记录介质，其记录有介质识别信息的区域与记录有内容信息的区域的轨距各不相同，并且当再生从所述记录有介质识别信息的区域向所述记录有内容信息的区域过渡时，不易产生再生错误。
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公开(公告)号：CN101689384A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880023912.3
申请日：2008-07-08
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11B7/0053 , G11B7/126 , G11B7/24 , G11B7/24079
Abstract: 超分辨率介质(1)设有信息信号区域(11)和测试引导区域(12)，信息信号区域(11)记录有视频或音频等内容；测试引导区域(12)记录有用于调整设定值的重放设定值调整信息，其中，该设定值是用于进行重放的设定值。形成在信息信号区域(11)的第1预坑列的最短标记长度小于重放装置所具有的光学系统分辨极限长度。记录于测试引导区域(12)的、用以调整设定值的第2预坑列中的标记长度种类与第1预坑列的一部分或全部标记长度种类相同。第2预坑列含有、标记长度低于重放装置之光学系统分辨极限长度的预坑。第1预坑列以及第2预坑列中的标记长度有3种以上。由此，对于超分辨率介质(1)，能够根据各介质进行最佳的重放。
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公开(公告)号：CN107667435B
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201680028567.7
申请日：2016-02-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/20 , C23C16/24
Abstract: 光电转换装置(1)具备以与半导体基板(101)的一个面相接的方式形成的i型非晶质半导体层(102i)、分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上的p型非晶质半导体层(102p)与分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上，且于半导体基板(101)的面内方向邻接于p型非晶质半导体层(102p)而形成的n型非晶质半导体层(102n)。进而，光电转换装置(1)具备电极(103)作为保护层，所述保护层是以在邻接的p型非晶质半导体层(102p)之间及邻接的n型非晶质半导体层(102n)之间与i型非晶质半导体层(102i)相接的方式形成。
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