公开(公告)号：CN101523277A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780038124.7

申请日：2007-06-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 加藤浩巳 ,  小川裕之 ,  C·布朗 ,  B·J·哈德文

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1368 ,  H01L31/10

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F2001/13312 ,  G02F2202/10 ,  H01L31/02164

Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，其能够抑制光电二极管中暗电流的发生。因此，在具有有源矩阵基板的液晶显示面板(1)和对液晶显示面板照明的背光源(13)的液晶显示装置中，在有源矩阵基板(1)具备，利用设置在基底基板(5)的硅膜形成的光电二极管(7)和对光电二极管(7)遮蔽来自背光源(13)的照明光(29)的遮光膜(8)。遮光膜(8)由半导体或者绝缘体形成。优选光电二极管(7)例如由多晶硅或连续晶界结晶硅形成，使其具有入射光的波长越短灵敏度越高的特性。遮光膜(8)由入射光的波长越短入射光的透过率越低的硅膜，例如非晶硅形成。

公开(公告)号：CN102341749B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201080009924.8

申请日：2010-01-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： C·布朗 ,  田中耕平 ,  加藤浩巳

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/133 ,  G09G3/32 ,  H01L27/146

CPC classification number: G06F3/0412 ,  G02F1/13338 ,  G02F2001/13312 ,  G06F3/042 ,  G09G3/3648

Abstract: 本发明涉及在像素区域内具有光传感器的显示装置。本发明的光传感器包括：接收入射光的二极管(D1)；供给复位信号的复位信号配线(RST)；供给读出信号的读出信号配线(RWS)；存储节点(INT)，其以从所述复位信号被供给开始至所述读出信号被供给期间为止的期间为传感期间，电位在传感期间根据由所述光检测元件接收到的光量发生变化；根据上述读出信号，将上述存储节点的电位放大的放大元件(C1)；和传感器开关元件(M2)，其用于将由上述放大元件放大后的电位作为传感器电路输出读出到输出配线(OUT)。

公开(公告)号：CN102511025B

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201080040388.8

申请日：2010-06-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 田中耕平 ,  杉田靖博 ,  山本薰 ,  C·布朗

IPC: G06F3/042 ,  G06F3/041 ,  G09F9/30

CPC classification number: G06F3/0412 ,  G06F3/042 ,  G09G3/34 ,  G09G3/3406 ,  G09G2300/08 ,  G09G2310/0237 ,  G09G2360/144 ,  G09G2360/145

Abstract: 在像素区域(4)配置多个传感器像素电路(10)，传感器像素电路(10)包含：2个光电二极管(D1、D2)；1个存储节点，其存储与光量相应的电荷；以及读出晶体管(M1)，其具有连接到存储节点的控制端子。按照时钟信号(CLK)，在背光源点亮时，晶体管(T1)导通，电流流过光电二极管(D1)，存储节点的电位下降。在背光源熄灭时，晶体管(T2)导通，电流流过光电二极管(D2)，存储节点的电位上升。可以使用时钟信号(CLK)使2个光电二极管的灵敏度特性变化。使用这样的传感器像素电路探测在背光源点亮时入射的光量和在背光源熄灭时入射的光量之差。由此，提供具有不依赖于光环境的输入功能的显示装置。

公开(公告)号：CN102077466B

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN200980125112.7

申请日：2009-03-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小川康行 ,  C·布朗

IPC: H03K3/356 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  H03K5/08

Abstract: 本发明提供一种比较电路和具备该比较电路的显示装置。使用双栅极TFT(11、12)构成逆变器(15)，使用双栅极TFT(13、14)构成逆变器(16)。将构成逆变器(15)的TFT的顶栅端子与输入端子(DAT(+))连接，底栅端子与逆变器(16)的输出与输出端子(OUT)连接。将构成逆变器(16)的TFT的底栅端子与输入端子(DAT(-))连接，底栅端子与逆变器(15)的输出连接。由此，能够对逆变器(15、16)的阈值电压以促进各逆变器的开关动作的方式进行控制，使比较电路(10)高速地动作。能够获得不易受到晶体管的阈值电压的偏差和输入信号的共用模式电压的变动的影响的、高速地动作的比较电路。

公开(公告)号：CN102047308B

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN200980119352.6

申请日：2009-04-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： C·布朗 ,  加藤浩巳

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/133 ,  G06F3/041 ,  G06F3/042 ,  G09F9/00

CPC classification number: G06F3/0412 ,  G06F3/042

Abstract: 本发明提供一种显示装置，其在有源矩阵基板(100)的像素区域(1)设置有光传感器，该光传感器包括：光检测元件(D1)，其接收入射光；电容(C2)，其一个电极与光检测元件(D1)连接，并存储来自光检测元件(D1)的输出电流；复位信号配线(RST)，其向该光传感器供给复位信号；读出信号配线(RWS)，其向该光传感器供给读出信号；传感器开关元件(M2)，其根据上述读出信号，读出在从供给上述复位信号起至供给上述读出信号为止的期间存储在上述电容(C2)的输出电流；和导电性配线(ML)，其沿着用于读出上述输出电流的读出配线(SLr)设置，并且在上述像素区域内与上述光检测元件(D1)和上述像素区域的像素开关元件(M1)均不连接。

公开(公告)号：CN101669217B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200880013954.9

申请日：2008-06-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： C·布朗 ,  加藤浩巳

IPC: H01L31/10 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L27/146

CPC classification number: G02F1/13318 ,  G02F1/1362 ,  G02F2001/13312 ,  G02F2201/58 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/02165 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/105 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供能够抑制光电二极管间的输出特性的偏差的光检测装置和具备它的显示装置。使用具有有源矩阵基板(20)的显示装置，该有源矩阵基板(20)具有：光透过性的基底基板(2)、多个有源元件和光检测装置。光检测装置具有设置在基底基板(2)的一个主面上的遮光膜(3)、配置在遮光膜(3)的上层的光电二极管(1)和配置在遮光膜(3)的上层的光电二极管(1)周边的电极(12)。光电二极管(1)具有硅膜(11)，硅膜(11)相对于遮光膜(3)电绝缘。电极(12)相对于遮光膜(3)和硅膜(11)电绝缘。遮光膜(3)被形成为，在基底基板(2)的厚度方向上，其一部分与整个硅膜(11)重叠，这一部分以外的部分与电极(12)重叠。

公开(公告)号：CN101595514B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200880003585.5

申请日：2008-04-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山中雅贵 ,  加藤浩巳 ,  C·布朗

IPC: H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/035281 ,  G02F1/13318 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/153 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供一种能够抑制光电二极管的输出特性的偏差的显示装置及其制造方法。制造包括有源矩阵基板(2)和光电二极管(6)的显示装置。首先，在玻璃(12)基板上，依次形成硅膜(8)和覆盖硅膜(8)的层间绝缘膜(15)。接着，形成金属膜，对其进行蚀刻，形成横贯硅膜(8)的金属配线(10、11)。然后，使用具有使与p层(9a)的预定形成区域重合的部分露出的开口部(24a)，并且开口部(24a)的一部分由金属配线(10)形成的掩模，进行p型杂质的离子注入。而且，使用具有使与n层(9c)的预定形成区域重合的部分露出的开口部(25b)，并且开口部(25a)的一部分由金属配线(11)形成的掩模，进行n型杂质的离子注入。

公开(公告)号：CN102187307A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200980141465.6

申请日：2009-06-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北角英人 ,  C·布朗

IPC: G06F3/044 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1368 ,  G06F3/041

CPC classification number: G06F3/044 ,  G02F1/13338 ,  G09G3/3648

Abstract: 本发明公开了一种电容变化检测电路。按压液晶面板(1)的表面，可变电容(11)的电容值发生变化。可变电容(11)的一个电极连接到施加有公用电压Vcom的电压供给线，另一个电极连接到TFT(12)的栅极电极。TFT(12)输出与可变电容(11)的电容值相应的电压Vout。控制用电容(13)的一个电极连接到TFT(12)的栅极电极，另一个电极连接到施加有控制电压Vctrl的控制电压线。通过隔着控制用电容(13)向TFT(12)的栅极电极施加控制电压Vctrl，能够在降低控制电压线的负载容量并以高灵敏度检测电容变化的同时，根据用途和人等因素在使用时调整灵敏度。由此，提供一种能够以高灵敏度检测出电容变化，并能够控制使用时灵敏度的电容变化检测电路。

公开(公告)号：CN101946328A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200980104775.0

申请日：2009-02-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： C·布朗 ,  田中耕平 ,  加藤浩巳

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/146 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78624 ,  H04N5/3745

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管、具备该薄膜晶体管的光传感器电路和内置有该光传感器电路的显示装置。该薄膜晶体管(1)在电流的方向被设定为单向的路径中使用，在沟道区域(5)的两侧具有高浓度杂质区域(3、4)，其中，构成为：仅在相应于上述电流的方向而流入与上述高浓度杂质区域(3、4)的极性相对应的载流子的一侧的高浓度杂质区域(3)与沟道区域(5)之间夹着低浓度杂质区域(6)。由此，关于对内置在构成显示装置的显示画面的像素中的光传感器的输出进行导通断开控制的薄膜晶体管，提供具有难以受到来自显示信号的影响的构造。

公开(公告)号：CN101636644A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200880008806.8

申请日：2008-04-09

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 加藤浩巳 ,  前田和宏 ,  C·布朗

IPC: G01J1/44 ,  G02F1/133 ,  G06F3/041 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36

CPC classification number: G06F3/0418 ,  G01J1/46 ,  G02F2001/13312 ,  G06F3/0412 ,  G09G3/3648

Abstract: 本发明提供显示装置，其在像素内具有光检测元件，在显示装置的工作中能够自动校正光传感器信号。传感器行驱动器(5)具有：向像素区域(1)的光传感器供给第一模式的传感器驱动信号，向信号处理电路(8)输出与受光量相应的光传感器信号的第一工作模式；供给第二模式的传感器驱动信号，取得与检测出黑电平的情况相当的校正用的第一光传感器信号电平的第二工作模式；和供给第三模式的传感器驱动信号，取得与检测出白电平的情况相当的校正用的第二光传感器信号电平的第三工作模式。在第一工作模式时，从伪像素取得校正用的第三光传感器信号电平。信号处理电路(8)利用第一～第三光传感器信号电平，对来自第一工作模式时的有效像素的光传感器信号进行校正。