公开(公告)号：JP6476901B2

公开(公告)日：2019-03-06

申请号：JP2015010057

申请日：2015-01-22

Applicant: 宇部興産株式会社

Inventor： 三浦 徹 ,  番場 啓太 ,  幸田 政文 ,  横沢 伊裕

IPC: H05K3/46 ,  C23C18/16 ,  H05K3/42

公开(公告)号：JP5870550B2

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：JP2011184081

申请日：2011-08-25

Applicant: 宇部興産株式会社

Inventor： 番場 啓太 ,  三浦 徹 ,  幸田 政文 ,  横沢 伊裕

IPC: H05K3/38 ,  H05K1/03 ,  C23C18/16 ,  C23C18/32 ,  C23C18/20 ,  B32B15/08 ,  H05K3/18

公开(公告)号：JP2015157480A

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：JP2015010076

申请日：2015-01-22

Applicant: 宇部興産株式会社

Inventor： 三浦 徹 ,  番場 啓太 ,  幸田 政文 ,  横沢 伊裕

IPC: H05K3/18 ,  C08G73/10 ,  B32B15/088 ,  H05K3/38 ,  H05K1/03 ,  B32B27/34

Abstract: 【課題】導体層の初期の剥離強度に優れ、また、高温や高湿条件下に置かれた後の剥離強度の低下が抑制された導体層の形成方法を提供すること。 【解決手段】ポリイミド層(b)の片面又は両面にポリイミド層(a)を設けたポリイミドフィルムのポリイミド層(a)を設けた面をポリイミドエッチング処理してポリイミド層(a)の少なくとも一部を除去した後、この面に導体層を形成する導体層の形成方法であって、エッチング処理時間を特定の時間の範囲とすることを特徴とする導体層の形成方法。 【選択図】なし

Abstract translation: 要解决的问题：提供导体层的初始剥离强度优异的导体层的形成方法，并且能够抑制在高温或高湿度条件下放置后剥离强度的下降。解决方案：在形成层 在聚酰亚胺层（b）的一个表面或两面上设置有设置有聚酰亚胺层（a）的聚酰亚胺膜（a）的聚酰亚胺层（a）的表面的方法进行聚酰亚胺蚀刻处理 从而去除聚酰亚胺层（a）的至少一部分，并且在表面上形成导体层。 在导体层的形成方法中，将蚀刻处理时间设定在规定的时间范围内。