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    ベンゾビス(チアジアゾール)誘導体、それを含むインク、及びそれを用いた有機エレクトロニクスデバイス
    14.
    发明专利
    ベンゾビス(チアジアゾール)誘導体、それを含むインク、及びそれを用いた有機エレクトロニクスデバイス 审中-公开
    使用Benzobisu（噻二唑）衍生物，含有相同的油墨，它的有机电子设备

    公开(公告)号：JP2017025047A

    公开(公告)日：2017-02-02

    申请号：JP2015148194

    申请日：2015-07-28

    Applicant: 宇部興産株式会社

    Inventor： 時任 静士 ,  熊木 大介 ,  儘田 正史 ,  田中 康裕 ,  島 秀好 ,  町田 利一

    IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H01L51/46 ,  C09D11/00 ,  C07D513/04

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 【課題】電子の移動度(電界効果移動度)に優れ、大気中での安定性にも優れる、新たな骨格のベンゾビス(チアジアゾール)誘導体及び有機エレクトロニクスデバイスの提供。 【解決手段】式(1)で示されるベンゾビス(チアジアゾール)誘導体。 (Ar 1 はN、S、O、及びSeより選ばれた少なくとも1つの原子を含む五員環ヘテロアリーレン基;Ar 2 はフェニル基、Nを1つ以上含む六員環ヘテロアリール基又はN、S、O、及びSeより選ばれた少なくとも1つの原子を含む五員環ヘテロアリール基;但し、Ar 1 がチオフェン基、かつ、Ar 2 がフェニル基である場合を除く) 【選択図】なし

    Abstract translation: 甲优异的电子迁移率（场效应迁移率），优良的在大气中的稳定性，提供了Benzobisu（噻二唑）衍生物和有机电子器件的新框架。 由A（1）表示Benzobisu（噻二唑）衍生物。 （AR @ 1是N，S，O，和含有选自Se的至少一种原子的五元环杂芳基;氩@ 2是苯基，六元含一个或多个N杂芳基，或N，S， O，以及选自Se含有至少一个原子的五元环杂芳基;然而，氩@ 1是噻吩基和，除了其中Ar 2是苯基基团）装置技术领域

    膜中で特定の結晶構造を有するベンゾビス(チアジアゾール)誘導体の結晶、その結晶の膜、及びそれを用いた有機エレクトロニクスデバイス
    17.
    发明专利
    膜中で特定の結晶構造を有するベンゾビス(チアジアゾール)誘導体の結晶、その結晶の膜、及びそれを用いた有機エレクトロニクスデバイス 审中-公开
    使用Benzobisu（噻二唑）衍生物的晶体，晶体的膜，它的有机电子设备具有在膜中的特定晶体结构

    公开(公告)号：JP2017025039A

    公开(公告)日：2017-02-02

    申请号：JP2015147479

    申请日：2015-07-27

    Applicant: 宇部興産株式会社

    Inventor： 時任 静士 ,  熊木 大介 ,  儘田 正史 ,  田中 康裕

    IPC: H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/50 ,  C07D513/04

    Abstract: 【課題】電子の移動度に優れるベンゾビス(チアジアゾール)(BBT)誘導体の結晶又は膜及びこれらを用いた有機エレクトロニクスデバイスの提供。 【解決手段】式(1)で示されるBBT誘導体である空間的に隣接する分子Aと分子Bとの間で、分子AのBBT部のSと分子BのBBT部のNの原子間距離D 1 、分子AのBBT部のSと分子Bのチオフェン環のSの原子間距離D 2、 分子AのBBT部のNと分子BのBBT部のSの原子間距離D 3 及び分子Aのチオフェン環のSと分子BのBBT部のSの原子間距離D 4 が、全て、関連する2つの原子の各々のファンデルワールス半径の合計よりも小さい空間配置を有するBBT誘導体の結晶。 【選択図】図13

    Abstract translation: 优异的电子迁移率Benzobisu（噻二唑）（BBT）衍生物的结晶，或薄膜和提供使用其的有机电子器件。 分子A和B之间空间上相邻的由A（1），分子A在原子间距离D1Ñ的BBT部的BBT部分S和分子B表示的BBT衍生物 ，B的BBT部分S和分子的噻吩环原子距离D2小号分子中，N BBT部分和原子间距离D3的分子BBT部分和噻吩环分子在S和B的分子一个S的 和分子B的BBT部分的原子间距离D4 S分别所有具有比每两个相关原子晶体的范德华半径之和较小的空间布置BBT衍生物。 .The 13

    ベンゾビス(チアジアゾール)誘導体を含む熱電変換材料及びこれを用いた熱電変換素子
    18.
    发明专利
    ベンゾビス(チアジアゾール)誘導体を含む熱電変換材料及びこれを用いた熱電変換素子 有权
    含有BENZOBIS（THIADIAZOLE）衍生物和热电转换元件的热电转换材料安装在其上

    公开(公告)号：JP2016096242A

    公开(公告)日：2016-05-26

    申请号：JP2014231426

    申请日：2014-11-14

    Applicant: 宇部興産株式会社

    Inventor： 田中 康裕

    IPC: H01L35/32 ,  H01L35/34 ,  H01L51/00 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  H02N11/00 ,  C07D513/04 ,  H01L29/786 ,  H01L35/24

    Abstract: 【課題】 本発明の課題は、電子の移動度に優れ、有機溶媒に対する溶解度が高く、空気中で安定であり、耐熱性のあるベンゾビス(チアジアゾール)誘導体を含む熱電変換材料を提供すること、及びn型半導体層中にベンゾビス(チアジアゾール)誘導体が含まれた、有機熱電変換素子を提供することである。 【解決手段】 本発明の課題は、一般式(1)で示される、ベンゾビス(チアジアゾール)誘導体を含むことを特徴とする熱電変換材料によって解決される。また、n型半導体を含む層に、前記熱電変換材料を含む熱電変換素子によっても解決される。 (式中、R a 及びR b は、所定の基を示す。) 【選択図】 図3

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种电子迁移率优异的苯并双（噻二唑）衍生物的热电转换材料，在有机溶剂中的溶解性高，在空气中稳定，耐热性好; 以及其中在n型半导体层中包含苯并双（噻二唑）衍生物的有机热电转换元件。解决方案：上述问题通过一种热电转换材料来解决，该热电转换材料包含由通式（1）表示的苯并双（噻二唑）衍生物 1）。 上述问题也通过包括含有热电转换材料的n型半导体含有层的热电转换元件来解决。 （在公式中，兰德R表示一个预定的组。）选择图：图3

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