一种数字图像分辨率提升的方法

    公开(公告)号:CN110443754B

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN201910720980.5

    申请日:2019-08-06

    Abstract: 本发明公开了一种数字图像分辨率提升的方法,涉及数字图像处理技术领域,本发明首先将输入的原始图像进行插值处理,然后对插值处理图像进行四组采样,形成四个可相互拼贴形成插值图像的四个采样矩阵,之后构成四个采样矩阵对应的低分辨率图像,在原始对象对应的低分辨率图像中选取任一块为处理块,并在其它三个低分辨率图像中选取与其相似的块集并计算块集对应的稀疏性表达系数,然后形成三个与处理块对应的相似块,并对相似块与处理块进行拼贴,形成目标块,对低分辨率图像中的每个块均进行上述操作,最终形成目标图像;本发明提供的方法原理简单,易实现,有助于提升数字视频分辨率。

    基于振子轴向旋转结构的圆极化三元八木-宇田天线

    公开(公告)号:CN114361771A

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202210033252.9

    申请日:2022-01-12

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明提供了一种涉及天线技术领域的基于振子轴向旋转结构的圆极化三元八木‑宇田天线,包括有源振子、反射振子、引向振子以及馈电点,馈电点位于有源振子的中心,反射振子和引向振子分为位于有源振子两侧,有源振子、反射振子以及引向振子两两相交形成夹角γ,有源振子、反射振子以及引向振子分别位于不同平面上;馈电后的有源振子向周边辐射电磁波,反射振子将电磁波反射,引向振子引导辐射电磁波和反射后的电磁波运输至一个方向。本发明实现圆极化的方式不同于传统补偿相位,而是通过耦合方式实现圆极化,极化方法成本低,较易实现;可以通过简单的振子角度调整,即可实现天线的高增益、定向、圆极化等优良性能。

    一种宽带毫米波双圆极化双模式轨道角动量天线

    公开(公告)号:CN111430896B

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN202010284314.4

    申请日:2020-04-13

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种宽带毫米波双圆极化双模式轨道角动量天线。所述宽带毫米波双圆极化双模式轨道角动量天线包括四个呈圆阵列排布的双向辐射天线单元,每个天线单元两侧紧密贴合超表面层,四个天线单元的馈电端口同相等幅且呈顺时针90度旋转。本发明的整个天线主要采用金属层和金属化通孔工艺制成,整个结构加工工艺比较简单且易于集成;本发明天线具有同时辐射两种圆极化波和两种轨道角动量模式数的特点,并且在整个宽带频率上呈现良好的涡旋波特点。

    半导体器件光电特性的预测方法、系统、设备及存储介质

    公开(公告)号:CN118862790B

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202411346439.X

    申请日:2024-09-26

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明提供了一种半导体器件光电特性的预测方法,包括构建光学模型的麦克斯韦方程和电学模型的扩散漂移方程;根据矢量磁位和标量电位对麦克斯韦方程简化得到第一麦克斯韦方程;根据频域洛伦兹规范通过频域有限差分法对第一麦克斯韦方程处理得到达朗贝尔方程后,进行五点中心差分网格离散后得到矢量磁位;根据矢量磁位计算吸收能量密度和载流子生成率;将生成率代入漂移方程中,采用有限差分法和指数差分近似方法对电子和空穴的电流连续性方程求解得到电学特性的预测结果。本方案解决了现有技术可能面临低频击穿问题,并且在光学模型和电学模型耦合的过程由于计算量大和计算原理复杂,从而导致对半导体器件的光电特性预测不够准确的问题。

    一种四路合成紧凑型可调谐串并联功率合成网络

    公开(公告)号:CN119029518A

    公开(公告)日:2024-11-26

    申请号:CN202411153291.8

    申请日:2024-08-21

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 一种四路合成紧凑型可调谐串并联功率合成网络,属于功率合成技术领域,解决现有功率合成网络不利于小型化及无法多频段使用问题;本发明采用差分式串联功率合成器传输线构成两个左右对称的双线圈绕组的双层金属堆叠的全差分式变压器结构,并联功率合成器传输线构成两个左右对称的并联的平面螺旋巴伦;串联功率合成器的四对差分馈电输入端输入差分信号,差分信号经过串联功率合成器与下层的并联功率合成器层间耦合馈电,通过并联功率合成器中间输出端输出合成的信号;可调谐电容阵列与差分式串联功率合成器传输线形成LC谐振网络,差分馈电输入端的端口阻抗通过电容进行调节;本发明的功率合成网络尺寸小、结构紧凑,可用于多个工作频段。

    全金属光栅结构超表面透射天线及通信设备

    公开(公告)号:CN118659132A

    公开(公告)日:2024-09-17

    申请号:CN202410745898.9

    申请日:2024-06-11

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明提供了一种全金属光栅结构超表面透射天线及通信设备。所述全金属光栅结构超表面透射天线,包括超表面阵列和馈源,馈源位于所述超表面阵列的中心线上;所述超表面阵列包括若干个呈阵列排布的全金属透射型单元。优选的,所述全金属透射型单元包括三层金属层,分别为上光栅、挖槽金属片以及下光栅;本发明并非采用介质板结构,避免了FR4或F4B材料的使用。且本发明中上光栅、挖槽金属片以及下光栅均为金属材料,相比于FR4或F4B,本发明更能适用于恶劣环境下的应用,如外太空或高辐射环境或者大功率辐射,能够承受更严苛的物理和化学条件。

    一种耐压的GaN HEMT结构
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118630040A

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202411104079.2

    申请日:2024-08-13

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种耐压的GaN HEMT结构,涉及半导体技术领域。本发明将势垒层设置成横向方向Al组分不同的势垒层,因每部分势垒层组分不同,导致产生不同的应力,形成不同深度的量子阱,从而诱发相应的不同的极化效应,因而在第一势垒层的一侧依次连接的第二势垒层、第三势垒层、第四势垒层在第一势垒层同侧的通道层上形成从栅极向漏电极逐渐递增的二维电子气,在第一势垒层另一侧连接的第五势垒层同侧的通道层上形成从栅极向源电极逐渐递增的二维电子气,因此在栅极与漏电极和源电极间的区域形成平滑的电场分布,提升了漂移区平均电场强度,且降低泄漏电流,使得器件的耐压能力大大提高,输出性能也得到改善。

    基于电热多物理场随机FDTD的电磁辐射强度评估方法

    公开(公告)号:CN117236110B

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202311124149.6

    申请日:2023-09-01

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明提供了基于电热多物理场随机FDTD的电磁辐射强度评估方法,属于生物医学应用领域,包括如下步骤:采用人体组织材料皮肤、肌肉和脂肪构建人体分层模型,并将其划分为多个网格;将人体组织材料的电学特性参数均值输入并储存到对应材料的网格中,得到电学特性参数均值网格;计算电学特性参数均值网格内任一时刻的电磁场均值;将人体组织材料的电学特性参数的方差输入并储存到对应材料的网格中,计算电磁场方差;将人体组织材料的热学特性参数均值输入并储存到对应材料的网格中,计算热分析源;根据热传导方程计算热学特性参数均值网格内任一时刻的温度均值,并迭代计算温度方差;通过温度均值和温度方差判断电磁波辐射对人体温度的影响。

    一种太阳能电池内部损耗机制的诊断方法

    公开(公告)号:CN117709132B

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202410163721.8

    申请日:2024-02-05

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池内部损耗机制的诊断方法,涉及太阳能电池领域,太阳能电池包括阳极和阴极,所述阴极与所述阳极之间从上到下依次设置有电子传输层、活性层和空穴传输层;诊断方法包括以下步骤:S1:使用太阳能电池多物理场仿真平台对太阳能电池进行建模,通过调控太阳能电池活性层体缺陷、表面缺陷以及电压扫描速率仿真出A、B、C、D四种类型的太阳能电池JV曲线图;S2:对太阳能电池进行正向电压扫描,得到正向JV曲线图;再进行反向电压扫描,得到反向JV曲线图,根据所得到的正反向两种曲线图判断JV曲线图是A、B、C、D类型中的哪一类;本发明根据仿真出来的JV曲线类型进行分析,诊断其对应的太阳能电池内部损耗机制。

    一种SOI MOSFET结构
    20.
    发明授权

    公开(公告)号:CN116705855B

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202310702671.1

    申请日:2023-06-14

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明提供的一种SOI MOSFET结构,包括衬底层、埋氧层、活性区、源电极、漏电极、栅介质层、栅电极及导热柱,埋氧层设置于衬底层的上表面,埋氧层的材质为SiO2,活性区设置于埋氧层的上表面,源电极和漏电极设置于活性区的上表面,栅介质层设置于源电极与漏电极之间;栅电极设置于栅介质层内,导热柱贯穿埋氧层,导热柱的顶壁与活性区接触。本发明设置了导热柱,从而活性区的热量可以经活性区下方的导热柱将热量散出,从而不会出现活性区晶格温度极度升高的情况,避免了漏电极电流的减小。

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