一种微带米字型缝隙馈电圆极化超介质谐振器天线

    公开(公告)号:CN118137154A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202410298642.8

    申请日:2024-03-15

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种微带米字型缝隙馈电圆极化超介质谐振器天线,包括由上至下依次连接的超介质阵列辐射体、金属地平面、介质基板、微带馈线和输入端口;在金属地平面上设置有米字型馈电缝隙;微带馈线一端与输入端口连接,另一端与米字型馈电缝隙耦合;将输入端口输入的电磁信号进行传输,电磁信号经过米字型馈电缝隙和超介质阵列辐射体间隙耦合后发射。本发明公开的微带米字型缝隙馈电圆极化超介质谐振器天线,通过将超介质单元进行阵列,形成辐射体,通过弧形微带馈线与米字型缝隙耦合,实现圆极化辐射,同时具有加工方便,结构简单,提高增益的优点。

    一种超材料微波吸波体
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN116417808B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202310620369.1

    申请日:2023-05-26

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种超材料微波吸波体,涉及电磁波吸收技术领域。该超材料微波吸波体包括:金属结构、贴片电阻、介质基板、空气腔以及金属板;所述空气腔设置在所述金属板与所述介质基板之间;所述介质基板远离所述金属板的一面上设置有金属结构;所述金属结构包括六个T形枝节和六个V形谐振枝节;所述金属结构为旋转对称结构;六个T形枝节的连接点为所述金属结构的中心点;六个T形枝节外侧设置有六个V形谐振枝节,V形谐振枝节与T形枝节不接触;每个T形枝节上距离所述中心点预设距离处设置有所述贴片电阻。本发明提供的超材料微波吸波体能够提高对入射角较宽的电磁波的吸收率,拓展吸收带宽。

    一种新型quasi-BIC超表面手性调控方法

    公开(公告)号:CN117130086B

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202310525737.4

    申请日:2023-05-11

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种新型quasi‑BIC超表面手性调控方法,包括,对C4v超表面进行远场偏振计算和Q‑factor的分布证明,获得中心旋性相反的拓扑逻辑特征;基于所述中心旋性相反的拓扑逻辑特征,结合散射功率和多极子分析获得C4v超表面的内部共振机制;基于所述内部共振机制获得高Q‑factor的圆二色性相反的双手性quasi‑BIC,通过调整C4v超表面的面内扰动对双模强圆二色性进行调控。本发明通过打破面内旋转和镜像对称性来观察其在近红外波段辐射通道内的双模quasi‑BIC性质,这对于高光谱分辨率的手性生物传感、低阈值激光器以及相关的安全应用具有重要意义。

    应用于手机终端的微波毫米波共口径天线

    公开(公告)号:CN117977205A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202410293280.3

    申请日:2024-03-14

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明提供了一种应用于手机终端的微波毫米波共口径天线,包括:介质基板、金属地以及共口径天线单元;共口径天线单元包括设置在介质基板上的缝隙和环结构、馈电微带、微带线以及振子结构;金属地设置在介质基板上,金属地上设置有缝隙;缝隙和环结构与缝隙相连接,馈电微带位于缝隙和环结构的覆盖范围内,振子结构位于缝隙的覆盖范围内;微带线和金属地均与振子结构相连接。本发明利用环天线、缝隙天线和八木天线进行了共口径设计,对更多的通信频段进行了覆盖,可用于4G、5G手机通信,本发明结构简单、组合紧凑,空间利用率高且性能优良。

    一种各向异性分层媒质中电磁传播分析方法及系统

    公开(公告)号:CN117972282A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202410218509.7

    申请日:2024-02-28

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开一种各向异性分层媒质中电磁传播分析方法及系统。方法包括:基于Maxwell旋度方程,得到标量偏微分方程组;根据标量偏微分方程组,得到切向电场和切向磁场的偏微分矩阵;根据切向电场和切向磁场的偏微分矩阵,得到离散子域内对应的弱形式方程;采用基函数对弱形式方程进行插值离散,确定全局矩阵方程;获取混合吸收边界条件;根据混合吸收边界条件和全局矩阵方程,得到切向电场的数值解;根据切向电场的数值解和标量偏微分方程组,确定反射系数与透射系数。本发明能够广泛适用于空间平面波以任意角度入射至各种各向异性分层介质中的电磁传播问题,可以实现对传播区域的电磁场分布情况的展示以及对分界面处反射/透射系数的分析。

    一种中介电低损耗低温共烧陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN116813341B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202310775903.6

    申请日:2023-06-27

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种中介电低损耗低温共烧陶瓷材料及其制备方法,陶瓷材料的原料包括MgZrNb2O8、氟化锂和硼铋锂锌硅玻璃;所述硼铋锂锌硅玻璃的原料按质量百分比包括:10‑30%的H3BO3、15‑35%的Bi2O3、10‑30%的Li2CO3、10‑20%的ZnO、15‑30%的SiO2。本发明提供的LTCC材料在850‑950℃烧结良好,硼铋锂锌硅玻璃/氟化锂复合烧结助剂和MgZrNb2O8陶瓷基体间不发生化学反应,同时降低了烧结温度,具有优异的介电性能,能与银电极共烧,可满足LTCC集成器件应用。

    一种基于低RCS超表面的阵列天线

    公开(公告)号:CN116799516B

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202310835827.3

    申请日:2023-07-10

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于低RCS超表面的阵列天线,涉及阵列天线技术领域,包括介质基板,以及在介质基板的上表面印刷的传输线、若干第一周期金属单元和若干第二周期金属单元,还包括在介质基板下表面印刷的金属地板和若干SMA馈电结构,第一周期金属单元和第二周期金属单元在介质基板的上表面形成一个超表面模块,SMA馈电结构的上端延伸至介质基板的上表面并与传输线连接,第一周期金属单元的中部设有金属柱,金属柱的下端位于金属地板上,金属柱的上端延伸至介质基板上表面。该基于低RCS超表面的阵列天线能够实现良好的辐射性能和宽带低RCS。

    一种低介电超低损耗温度稳定LTCC材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117720344A

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202311283343.9

    申请日:2023-09-28

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种低介电超低损耗温度稳定LTCC材料及其制备方法,LTCC材料化学通式为Li3+xMg2‑xNbO6‑xFx,0.02≤x≤0.1,晶相为纯相Li3Mg2NbO6。该陶瓷材料由Li2CO3、MgO、LiF、Nb2O5按Li3+xMg2‑xNbO6‑xFx化学计量比进行配料,0.02≤x≤0.1,经第一次球磨混合,在700°~800℃温度下预烧3~5小时,再经第二次球磨混合后进行造粒、成型,在820°~900℃温度下烧结3~5小时制成。本发明同时采用阴/阳离子对Li3Mg2NbO6晶体结构进行微调,降低了烧结温度,提高了晶格能及有序度,从而提高了陶瓷材料的品质因数及温度稳定性。

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