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公开(公告)号：CN106505410A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610791440.2
申请日：2016-08-31
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01S5/40
Abstract: 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法，该垂直腔面发射激光器阵列包括：形成在基板上的接触层；形成在所述接触层上的台面结构，每个台面结构包括第一导电型的第一半导体多层反射镜、在所述第一半导体多层反射镜上的有源区、以及在所述有源区上的第二导电型的第二半导体多层反射镜；形成在所述台面结构周围的接触层上的第一金属层，所述第一金属层的一部分作为第一导电型的电极焊盘；形成在所述第一金属层上的绝缘膜；以及形成在绝缘膜上的第二金属层，所述第二金属层的一部分作为第二导电型的电极焊盘。所述台面结构并联电连接。
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公开(公告)号：CN106505409A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610805765.1
申请日：2016-09-06
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明提供一种制造光学半导体元件的方法，该方法包括：第一步骤，在该第一步骤中，形成在半绝缘基板上形成的半导体层的圆柱结构；第二步骤，在该第二步骤中，在所述圆柱结构的外周暴露所述基板；第三步骤，在该第三步骤中，预处理包括所述第一接触层及所述基板的暴露表面的区域；第四步骤，在该第四步骤中，在所述第一接触层的所述暴露表面上形成第一电极；第五步骤，在该第五步骤中，在包括所述圆柱结构的侧面并且包括所述暴露表面的区域中形成中间层绝缘膜；第六步骤，在该第六步骤中，在所述中间层绝缘膜上形成第一电极配线；以及第七步骤，在该第七步骤中，在所述中间层绝缘膜上形成第二电极配线。
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公开(公告)号：CN107785777B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201710432803.8
申请日：2017-06-09
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01S5/40
Abstract: 发光元件阵列、光器件和图像形成设备。一种发光元件阵列，包括：多个半导体堆叠结构，各半导体堆叠结构包括发光单元，该发光单元形成在基板上，以及光放大单元，该光放大单元沿着基板的基板表面从发光单元延伸，使得沿延伸方向的长度长于发光单元的长度，将从发光单元沿延伸方向传播的光放大，并且从沿着延伸方向形成的发光部发出经放大的光，其中，多个半导体堆叠结构被排列成使得各个光放大单元的延伸方向基本彼此平行。
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公开(公告)号：CN106505409B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201610805765.1
申请日：2016-09-06
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明提供一种制造光学半导体元件的方法，该方法包括：第一步骤，在该第一步骤中，形成在半绝缘基板上形成的半导体层的圆柱结构；第二步骤，在该第二步骤中，在所述圆柱结构的外周暴露所述基板；第三步骤，在该第三步骤中，预处理包括所述第一接触层及所述基板的暴露表面的区域；第四步骤，在该第四步骤中，在所述第一接触层的所述暴露表面上形成第一电极；第五步骤，在该第五步骤中，在包括所述圆柱结构的侧面并且包括所述暴露表面的区域中形成中间层绝缘膜；第六步骤，在该第六步骤中，在所述中间层绝缘膜上形成第一电极配线；以及第七步骤，在该第七步骤中，在所述中间层绝缘膜上形成第二电极配线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108075357A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711094876.7
申请日：2017-11-09
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 发光元件阵列和光传输装置。一种发光元件阵列包括通过连接至供应电流的端子的布线彼此并联连接的多个发光元件。各个发光元件被设置在沿着从端子流过布线的电流的路径的预定路径长度的位置处。所述多个发光元件按照混合的形式包括各自具有未遮蔽的光发射孔径的一个或更多个第一发光元件以及各自具有遮蔽的光发射孔径的一个或更多个第二发光元件。第一发光元件中的至少一个被设置在最长路径长度的位置处。第二发光元件中的至少一个被设置在最短路径长度的位置处。
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公开(公告)号：CN112688167A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011580811.5
申请日：2017-11-08
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01S5/183 , H01S5/042 , H01S5/068 , H01S5/0683 , H01S5/42 , H01S5/02345
Abstract: 发光元件阵列。一种发光元件阵列包括通过连接至被配置为供应电流的端子的布线彼此并联连接的多个发光元件。在从端子沿着电流的路径到各个发光元件的布线上的路径长度当中具有最短路径长度的发光元件的数量为一。
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公开(公告)号：CN106505410B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201610791440.2
申请日：2016-08-31
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01S5/40
Abstract: 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法，该垂直腔面发射激光器阵列包括：形成在基板上的接触层；形成在所述接触层上的台面结构，每个台面结构包括第一导电型的第一半导体多层反射镜、在所述第一半导体多层反射镜上的有源区、以及在所述有源区上的第二导电型的第二半导体多层反射镜；形成在所述台面结构周围的接触层上的第一金属层，所述第一金属层的一部分作为第一导电型的电极焊盘；形成在所述第一金属层上的绝缘膜；以及形成在绝缘膜上的第二金属层，所述第二金属层的一部分作为第二导电型的电极焊盘。所述台面结构并联电连接。
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公开(公告)号：CN105914581B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201510648476.0
申请日：2015-10-09
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明涉及面发光型半导体激光器和面发光型半导体激光器阵列。面发光型半导体激光器包括：基板；第一半导体多层膜反射器，其叠置在基板上；活性区域，其叠置在第一半导体多层膜反射器上或者叠置在第一半导体多层膜反射器上方；第二半导体多层膜反射器，其叠置在活性层上或者叠置在活性层上方；腔室延伸区域，其介于第一半导体多层膜反射器与活性区域之间或者介于第二半导体多层膜反射器与活性区域之间；以及载流子块层，其介于腔室延伸区域与活性区域之间。载流子块层包括第一载流子块层和第二载流子块层。
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公开(公告)号：CN107785777A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710432803.8
申请日：2017-06-09
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01S5/40
CPC classification number: G03G15/04072 , H01S5/005 , H01S5/026 , H01S5/125 , H01S5/183 , H01S5/18311 , H01S5/34353 , H01S5/423 , H01S5/50 , H01S2301/18 , H01S5/4025
Abstract: 发光元件阵列、光器件和图像形成设备。一种发光元件阵列，包括：多个半导体堆叠结构，各半导体堆叠结构包括发光单元，该发光单元形成在基板上，以及光放大单元，该光放大单元沿着基板的基板表面从发光单元延伸，使得沿延伸方向的长度长于发光单元的长度，将从发光单元沿延伸方向传播的光放大，并且从沿着延伸方向形成的发光部发出经放大的光，其中，多个半导体堆叠结构被排列成使得各个光放大单元的延伸方向基本彼此平行。
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