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公开(公告)号：CN101080655A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200580043126.6
申请日：2005-12-14
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G02B5/30 , G02F1/13363
Abstract: 在透明玻璃衬底(10)的上提供由无机材料形成的第一相位差补偿层(12)和第二相位差补偿层(14)。第一相位差补偿层(12)包括由堆叠的两种沉积膜，这两种沉积膜的厚度比参考波长薄很多，且一个具有高折射率，而另一个具有低折射率，从而形成负C－板。第二相位差补偿层(14)包括至少两个斜沉积膜，形成正的O－板。第一相位差补偿层(12)补偿在液晶层中来自垂直取向的液晶分子的相位差，而第二相位差补偿层(14)补偿在液晶层中来自混合取向的液晶分子的相位差。
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公开(公告)号：CN1306289C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN02806472.0
申请日：2002-03-14
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G02B5/30 , G02F1/13363 , C08L1/10 , C08J5/18
CPC classification number: G02B5/3083 , G02F2001/133638 , Y10T428/1005 , Y10T428/1036 , Y10T428/105
Abstract: 一种包括一片聚合物薄膜的相位差板，所述聚合物薄膜含有的化合物具有棒状分子结构，并且在其溶液的紫外吸收光谱中表现出小于250nm最大吸收波长(λmax)，并且其表现出在450nm波长处测量的延迟值(Re450)在60～135nm的范围内，并且在590nm波长处测量的延迟值(Re590)在100～170nm的范围内，它们满足关系：Re590-Re450≥2nm的条件。相位差板起着λ/4板的作用。
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公开(公告)号：CN113950751A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202080042855.4
申请日：2020-04-28
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L41/319 , C01G35/00 , C01G55/00 , C23C14/08 , H01L21/316 , H01L41/187 , H01L41/316
Abstract: 本发明得到一种可低成本制作的、具备包含含有Pb的单相的钙钛矿型氧化物的压电体层的压电元件。压电元件在基板上依次具备下部电极层、生长控制层、以含有铅的钙钛矿型氧化物为主成分的压电体层、以及上部电极层，生长控制层包含由MdN1‑dOe表示的金属氧化物。在此，M由可置换钙钛矿型氧化物的A位的一种以上的金属元素构成，0＜d＜1，将电负性设为X时，1.41X‑1.05≤d≤A1·exp(‑X/t1)+y0，A1＝1.68×1012，t1＝0.0306，y0＝0.59958。
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公开(公告)号：CN102648867B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201210042192.3
申请日：2012-02-22
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: A61B17/3211 , A61B17/00
CPC classification number: A61B17/2202 , A61B2017/00269 , A61B2017/22021
Abstract: 本发明提供了一种超声外科手术设备，其包括处置部分、利用共振对处置部分进行驱动的驱动部分、对驱动部分进行驱动和控制的操作部分主体、以及对处置部分和操作部分主体进行连接的连接部分。驱动部分包括压电膜并且形成在连接部分内的处置部分上。压电膜具有钙钛矿结构，构成该钙钛矿结构的晶体在(100)方向或(001)方向中的一个方向上以不少于60％的取向度取向。
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公开(公告)号：CN103035835A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210448662.6
申请日：2012-09-28
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/083 , H01L41/27 , H01L41/253 , B41J2/045 , B41J2/135
CPC classification number: H01L41/0533 , B41J2/045 , B41J2/14233 , H01L41/0471 , H01L41/0477 , H01L41/0973 , H01L41/257 , H01L41/29 , H01L41/297 , H01L41/316 , Y10T29/42
Abstract: 一种压电器件，包括：基板；层积在基板上方的第一电极；层积在第一电极上方的第一压电膜；层积在第一压电膜上方的金属氧化物膜；层积在金属氧化物膜上方的金属膜；层积在金属膜上方的第二压电膜；以及层积在第二压电膜上方的第二电极，其中第一压电膜的极化方向和第二压电膜的极化方向彼此不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102649363A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210046942.4
申请日：2012-02-27
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: B41J2/16 , B41J2/1628 , B41J2/1646
Abstract: 本发明公开了流道结构、制造该流道结构的方法、以及液体喷射头。该流道结构包括：第一基板，其中设置有第一流道部分；第一粘合层，其设置在所述第一基板上；第一贵金属层，其包含金，并且设置在第一基板上的第一粘合层上方；第二基板，其中设置有第二流道部分；第二粘合层，其设置在所述第二基板上；第二贵金属层，其包含金，并且设置在第二基板上的第二粘合层上方；和Au管状结构，其布置在第一和第二贵金属层之间，所述第一和第二贵金属层跨所述Au管状结构彼此面对，所述Au管状结构具有中空部，所述中空部用作连通第一和第二流道部分的连通流道部分，所述Au管状结构的金含量不低于90at％。
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公开(公告)号：CN102648867A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210042192.3
申请日：2012-02-22
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: A61B17/3211 , A61B17/00
CPC classification number: A61B17/2202 , A61B2017/00269 , A61B2017/22021
Abstract: 本发明提供了一种超声外科手术设备，其包括处置部分、利用共振对处置部分进行驱动的驱动部分、对驱动部分进行驱动和控制的操作部分主体、以及对处置部分和操作部分主体进行连接的连接部分。驱动部分包括压电膜并且形成在连接部分内的处置部分上。压电膜具有钙钛矿结构，构成该钙钛矿结构的晶体在(100)方向或(001)方向中的一个方向上以不少于60％的取向度取向。
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公开(公告)号：CN101665908A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200810214850.6
申请日：2008-09-03
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C23C14/3407 , B41J2/14233 , B41J2/155 , B41J2202/03 , C04B35/493 , C04B2235/3227 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3298 , C04B2235/76 , C04B2235/768 , C23C14/088 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 本发明涉及形成铁电体膜的方法、铁电体膜、铁电体器件和液体排出装置。为了能够在A位掺杂至少5摩尔％的给体离子，在满足式(1)和(2)，或式(3)和(4)的条件下，通过溅射技术在面对具有预定组成的靶(T)的基板(20，B)上形成含有式(P)：(Pb 1-x+δ M x )(Zr y Ti 1-y )O z 的钙钛矿型氧化物的铁电体膜(40)，式(P)中M表示选自Bi和镧系元素中的至少一种元素，0.05≤x≤0.4，并且0＜y≤0.7，标准组成是使得δ＝0和z＝3的组成，式(1)至(4)中的Ts(℃)表示成膜温度，D(mm)表示所述基板和所述靶之间的间隔距离。400≤Ts(℃)≤500 (1)；30≤D(mm)≤80 (2)；500≤Ts(℃)≤600 (3)；30≤D(mm)≤100 (4)。
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公开(公告)号：CN101383395A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810213491.2
申请日：2008-09-08
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1646 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/316 , Y10T29/42
Abstract: 本发明提供一种压电特性高，并且耐久性高的压电元件。其中，具有通过被施加电压的变化而伸缩的压电体膜；被配置在压电体膜的一个面上的第1电极；和被配置在与压电体膜的第1电极所被配置的面相反侧的面上的第2电极。压电体膜的主成分，是通过气相成长法在第2电极上形成的PbxByOz，将从与上述第2电极的接触面起，在上述第1电极的方向上距离100nm的部分的x/y，设成0.8以上、1.6以下，B是由以下的至少一个构成：Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Sc、Co、Cu、In、Sn、Ga、Zn、Cd、Fe及Ni，并且，设0＜x≤1，0＜y≤1，2.5＜z≤3。
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公开(公告)号：CN101273478A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200680035458.4
申请日：2006-09-15
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/187 , H01L41/22
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2202/03 , H01L41/0973 , H01L41/1876
Abstract: 一种压电器件(1)包括：压电体(13)以及多个电极(12，14)，它们将电场以预定方向施加到所述压电体(13)。所述压电体(13)包含一种无机化合物多晶体，该无机化合物多晶体包含当未施加电场时具有晶体取向特性的第一铁电物质晶体，并且该无机化合物多晶体具有这样的特性，即，通过施加至少为预定电场E1的电场，所述第一铁电物质晶体的至少一部分经历了到其晶系不同于所述第一铁电物质晶体的晶系的第二铁电物质晶体的相变。在所施加的最小电场Emin和所施加的最大电场Emax满足Emin＜E1＜Emax的条件下所述压电器件(1)被驱动。
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