-
公开(公告)号:CN1378687A
公开(公告)日:2002-11-06
申请号:CN99816585.9
申请日:1999-05-31
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B7/1353 , G11B7/22 , G11B11/10534 , G11B11/10545 , G11B11/10554 , G11B11/10576 , G11B11/1058
Abstract: 本发明涉及一种基于光磁记录系统记录信息的记录头,目的在于通过减小照射在记录介质上的光束的束径来实现高密度记录。当比记录头直径大的光束被照射时,在光导层中该光束被聚光。利用尖头晶片将该光束进一步聚光。从晶片前端处小于光波长的发射孔发射该聚光的光束,并照射在记录介质上。
-
公开(公告)号:CN1945713A
公开(公告)日:2007-04-11
申请号:CN200610153854.9
申请日:2003-01-10
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B11/105 , G11B7/00 , G11B20/10
CPC classification number: G11B11/10584 , G11B7/0052 , G11B7/00718 , G11B7/0079 , G11B7/126 , G11B7/24038 , G11B7/24085 , G11B11/10528 , G11B11/10543 , G11B11/10578 , G11B11/10597 , G11B20/0021 , G11B20/1217 , G11B20/1426 , G11B2007/0013 , G11B2020/1242 , G11B2020/1248 , G11B2020/1274 , G11B2020/1461
Abstract: 一种光信息记录介质。在同时读出ROM-RAM信息时,可以稳定地再生RAM信息。上述光信息记录介质具有:包括形成作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域的基板;以及形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上的用于记录RAM信号的光磁记录膜,上述ROM区域中的至少用户区域的上述相位凹坑的调制度为10%~37%,上述用户区域的相位凹坑的调制度优选为15%~25%。作为一种实施方式,使上述相位凹坑的光学深度约为λ/8~λ/10(其中,λ是用于记录或再生的激光的波长)。
-
公开(公告)号:CN1615518A
公开(公告)日:2005-05-11
申请号:CN03802122.6
申请日:2003-01-10
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B11/105
CPC classification number: G11B20/1403 , G11B7/005 , G11B7/0079 , G11B7/126 , G11B7/1263 , G11B7/24085 , G11B11/1051 , G11B11/10515 , G11B11/10543 , G11B11/10554 , G11B11/10584 , G11B11/10597 , G11B20/10 , G11B2007/0013 , G11B2020/1259
Abstract: 一种记录装置,对于通过相位凹坑记录ROM信息、在上述相位凹坑的记录区域上重叠记录RAM信息的光信息记录介质,可以进行记录或者再现,具有能进行以下控制的主控制器:检测从光信息记录介质反射的激光的反射光,当在生成与ROM信息和RAM信息对应的信号的记录信息检测系统的输出中,同时具有与ROM信息和RAM信息对应的ROM信号和RAM信号时,利用上述记录信息检测系统的输出中的ROM信号,对半导体激光器的发光进行负反馈控制,并且通过实施控制,从检测上述激光强度的光强度检测系统的输出中获得所读取再现的ROM信号。
-
公开(公告)号:CN1615517A
公开(公告)日:2005-05-11
申请号:CN03802095.5
申请日:2003-01-10
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B11/105
CPC classification number: G11B11/10584 , G11B7/0052 , G11B7/00718 , G11B7/0079 , G11B7/126 , G11B7/24038 , G11B7/24085 , G11B11/10528 , G11B11/10543 , G11B11/10578 , G11B11/10597 , G11B20/0021 , G11B20/1217 , G11B20/1426 , G11B2007/0013 , G11B2020/1242 , G11B2020/1248 , G11B2020/1274 , G11B2020/1461
Abstract: 一种光信息记录介质。在同时读出ROM-RAM信息时,可以稳定地再现RAM信息。上述光信息记录介质具有:包括形成作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域以及形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上的用于记录RAM信号的光磁记录膜,上述ROM区域中的至少用户区域的上述相位凹坑的调制度为10%~37%,上述用户区域的相位凹坑的调制度优选为15%~25%。作为一种实施方式,使上述相位凹坑的光学深度约为λ/8~λ/10(其中,λ是用于记录或再现的激光的波长)。
-
公开(公告)号:CN1479239A
公开(公告)日:2004-03-03
申请号:CN03120813.4
申请日:2003-03-20
Applicant: 富士通株式会社
Inventor: 青山信秀
IPC: G06F17/60
CPC classification number: G06Q30/02 , G06Q30/0241 , G11B7/0079
Abstract: 本发明提供了一种内容提供方法,其提供了一种介质,该介质具有存储在内容的ROM,并添加有最近的广告信息。另外,该广告可以在再现期间被容易地观看或听到。本发明使用了这样一种记录介质:其中,内容信息被记录在物理稳定的ROM上,而广告信息被记录在RAM上,以提供具有没有超过广告期限的广告的内容。此外,通过使用可以同时进行ROM和RAM再现的介质和用于该介质的驱动器再现该内容,可以自动再现广告。由此,用户可以观看或听到广告,而不用有意识地努力获取广告。
-
-
-
-