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公开(公告)号：CN113809237A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110928622.0
申请日：2021-08-13
IPC: H01L51/42 , H01L51/48 , H01L31/0687 , H01L31/0224
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种由独立子电池组装的钙钛矿/晶硅叠层太阳电池器件及其制备方法。1.刻蚀透明衬底；2.制备晶硅电池；3.在衬底上覆盖银栅线电极；4.使用磁控溅射制备FTO透明导电层；5.制备宽带隙钙钛矿电池功能层；6.使用磁控溅射在空穴传输层上制备透明电极；7.通过导电银浆粘合形成叠层器件，并进行四周密封。在透明衬底上制备宽带隙钙钛矿电池，并在衬底上制备银栅线，提供了收集电流的新思路，优化了FTO层横向导电性能差的问题；使用导电银浆直接将钙钛矿电池和晶硅电池粘合形成钙钛矿/晶硅叠层电池，可以将两块子电池分开制备，避免了传统叠层电池制备过程中需要达成的工艺兼容问题。
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公开(公告)号：CN113571650A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110768327.3
申请日：2021-07-07
Applicant: 常州大学
IPC: H01L51/48
Abstract: 本发明属于太阳电池技术领域，尤其涉及一种恒定高压退火制备钙钛矿薄膜的装置和方法。该装置包括机械腔主体、机械腔主体两侧设置有可垂直升降开关的面板、上表面设有透明石英玻璃窗口、内部设有衬底平台、底部连通惰性气体装置、排气管和真空泵，透明石英玻璃窗口正上方设有红外辐射加热装置。采用该装置制备钙钛矿薄膜工艺包括降低腔内压强使薄膜中溶剂大部分挥发，补充惰性气体并打开排气管，维持腔内恒定高压，开启红外辐射加热装置对薄膜进行加热，促进钙钛矿成核结晶。采用该装置和方法有利于制备大尺寸晶粒、均匀结晶的高品质钙钛矿薄膜和高性能的钙钛矿太阳电池器件。
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公开(公告)号：CN112420881A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011302874.4
申请日：2020-11-19
IPC: H01L31/20 , H01L31/0216
Abstract: 本发明涉及一种TOPCon电池中氧化硅和掺杂非晶硅膜层的制备方法，操作步骤，（1）将背刻蚀清洗后的硅片放到载板上进行预热，（2）通入SiH4和N2O或O2作为反应气体，利用交流射频电源产生等离子体，SiH4和N2O反应进行氧化硅薄膜沉积；（3）通入氮气和氢气，并在等离子体激发条件下进行氢化处理；（4）氧化硅薄膜经过氢化处理之后，通入硅烷，在等离子体作用下进行本征非晶硅的沉积；（5）沉积完之后，通入硅烷和磷烷进行原位掺杂非晶硅的沉积，使得从内层到外层每层掺杂非晶硅的磷浓度逐渐降低，直到沉积完成最终所需的非晶硅膜层厚度。采用这种方式达到所需掺杂浓度同时避免了磷原子或硼原子穿透氧化层造成的硅基过度掺杂。
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公开(公告)号：CN112349816A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011302510.6
申请日：2020-11-19
Abstract: 本发明涉及一种基于PECVD技术的高效低成本N型TOPCon电池的制备方法，包括（1）裸硅片去损伤并进行表面形貌处理；（2）采用板式PECVD沉积隧穿氧化层、本征多晶硅层和原位掺杂非晶硅层，隧穿氧化层的厚度为1‑2nm，本征多晶硅层厚度为10‑60nm，原位掺杂非晶硅层厚度在20‑80nm，其中掺杂原子的掺杂浓度在2E20 cm‑3‑8E20cm‑3等步骤。本发明制备工艺基于PECVD技术，采用先制备背面的隧穿氧化层叠加掺杂多晶硅层，然后通过后续硼扩高温工艺实现晶化，再制备正面PN结，然后再钝化、印刷电极，采用此工艺流程，首先整体工艺步骤减少一步，此工艺流程可以省略绕度清洗步骤，节省了制备成本。
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公开(公告)号：CN108054281B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201711192942.4
申请日：2017-11-24
Applicant: 常州大学
IPC: H01L51/48
Abstract: 本发明涉及利用低温溶液反应制备SnO2薄膜的方法，首先制备四氯化锡水溶液，然后制备电子传输层SnO2薄膜。本发明还涉及一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，在FTO导电玻璃基底上利用上述SnO2薄膜的制备方法制备SnO2薄膜电子传输层；在SnO2薄膜电子传输层上用旋涂法形成MAPbI3钙钛矿光吸收层；再在MAPbI3钙钛矿光吸收层上采用旋涂法制得空穴传输层；在空穴传输层上用真空蒸镀法蒸镀金属电极，形成钙钛矿薄膜电池。该方法简单，易于操作，并且薄膜的均匀性较好，重复性高，在半导体等光电领域的发展具有科学意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110854271B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201911103322.8
申请日：2019-11-13
Abstract: 本发明属于光伏领域，具体公开了一种高稳定钙钛矿太阳能电池及其制备方法，太阳能电池由下至上依次包括导电玻璃层，致密电子传输层，钙钛矿吸光层，空穴传输层和对电极层。本发明通过在钙钛矿电池的吸光层中加入DPSI(3‑(癸基二甲基铵)‑丙烷磺酸内盐)和PbCl2，在两种添加剂的协同配合下，得到一种具有高开路电压的器件。本发明通过元素调控和添加剂缺陷钝化，不仅解决了稳定性低这一阻碍钙钛矿商业化的关键问题，同时还解决了二元钙钛矿太阳能电池相对于三元钙钛矿电池的光电转化效率偏低的问题。
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公开(公告)号：CN111710783B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202010551482.5
申请日：2020-06-17
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种制备大面积钙钛矿薄膜的装置和方法。装置包括真空腔体以及快速抽真空泵组，真空腔内设有带小孔的金属平面电极，金属电极后排列红外石英加热管,红外辐射通过小孔能起到均匀红外光的效果。平面电极和基底中间还有用于降低等离子轰击效果的金属网。真空腔体还带有一个补充惰性气体的微量控制阀门。经过旋涂或者涂布的钙钛矿湿膜进入腔体后，腔体快速降低压强到5Pa左右，湿膜中的溶剂大部分挥发，此时开启微量阀门补充惰性气体，维持腔体压强稳定，开启射频电源，形成等离子体，促进薄膜结晶，之后，腔体放气，然后开启红外辐射1‑5分钟进一步促进钙钛矿的生成。
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公开(公告)号：CN115532171A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211093782.9
申请日：2022-09-08
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明涉及钙钛矿太阳电池技术领域，尤其是涉及一种钙钛矿成核的狭缝反溶剂装置及其制备方法，包括反溶剂容器、钙钛矿成核机构、用于收集溶剂的收集罐、负压装置、第一流体换向机构和第二流体换向机构，所述钙钛矿成核机构内设置有用于成型钙钛矿薄膜的空腔体，该装置中反溶剂在真空负压下，迅速通过样品与上盖板之间的狭缝，该过程可以更有效地带走钙钛矿湿膜中的前驱液溶剂，不同于反溶剂浴，不会在样品表面残留多余的前驱体溶剂。
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公开(公告)号：CN112103271A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010933922.3
申请日：2020-09-08
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种双面受光的叠层太阳电池及其制备方法。在透明基底上分别制备宽带隙和窄带隙太阳电池，使用垂直导电胶膜直接粘合形成可双面受光的叠层太阳电池，特别的，所述导电胶膜具有纵向导电，横向绝缘功能。避免了连接层导致的漏电问题。所述叠层太阳电池组件具体制备包括如下步骤：S1.刻蚀导电玻璃；S2.在刻蚀过的导电玻璃上分别制备宽带隙和窄带隙薄膜电池；S3.刻蚀形成子电池；S4.蒸发连接电极；S5.通过垂直导电胶膜粘合直接形成叠层太阳电池组件。
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公开(公告)号：CN109346536B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811158665.X
申请日：2018-09-30
IPC: H01L31/0216 , H01L31/054 , H01L31/056 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种接触钝化晶体硅太阳能电池结构及其制备方法，属于太阳能电池领域。太阳能电池以N型硅片或P型硅片作为基底，N型硅片基底受光面从下至上结构依次为：P+扩散层、氧化硅或氧化铝、氮化硅薄膜、栅线电极；N型硅片基底背面从上至下结构依次为：氧化硅或氧化铝、包裹金属纳米粒子的氧化铝薄膜、N型多晶硅、氮化硅薄膜、栅线电极；P型硅片基底受光面从下至上结构依次为：N+扩散层、氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、栅线电极；P型硅片基底背面从上至下结构依次为：氧化硅或氧化铝、包裹金属纳米粒子的氧化铝薄膜、P型多晶硅、氮化硅薄膜、栅线电极，叠层之间存在相互协同作用，得到的太阳能电池能显著提高电池效率。
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