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公开(公告)号：CN110573940A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201880026064.5
申请日：2018-04-17
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明的半导体MZM具备：第一信号电极和第二信号电极，分别与第一臂波导和第二臂波导并联地形成；多个第一相位调制电极和第二相位调制电极，从第一信号电极和第二信号电极分支，分别沿第一信号电极和第二信号电极离散地设于第一臂波导和第二臂波导上；第一接地电极和第二接地电极，沿第一信号电极和第二信号电极并联地形成；以及多个连接配线，在多个点之间连接第一接地电极和第二接地电极，第一信号电极和第二信号电极被输入/输出差分信号，相邻的所述多个连接配线以在第一信号电极和第二信号电极中传输的信号的波长的1/4以下的间隔进行设置。
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公开(公告)号：CN109690392A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780056209.1
申请日：2017-09-13
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明提供一种通过构成在多个供电焊盘电极间具有晶闸管构造的附加电容，保护调制区域的pin结构造免受反向电压ESD影响的可靠性高的高速/低损耗半导体光调制元件。从基板面起依次层叠n型接触层(102)、n型包层(103)、非掺杂的芯层/包层(104)、p型包层(106)、p型接触层(107)。通过干式刻蚀形成马赫－增德尔干渉波导和多个供电焊盘设置部。除了马赫－增德尔干渉波导部的调制区域和形成有多个供电焊盘设置部的供电区域之外，去除n型接触层(102)以及n型包层(103)，使调制区域与供电区域下部的半导体电分离。多个供电焊盘形成于共同的n型接触层(102)以及n型包层(103)上，在供电焊盘间形成pinip结的晶闸管构造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113424100B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201980092048.0
申请日：2019-02-14
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 沿波导(16‑19)形成半导体马赫‑曾德光学调制器的相位调制电极线(24‑27)。输出侧引线(28至31)连接到终端电阻(51至54)，并且在与波导(16至19)在电介质层平面内延伸的方向交叉的方向上弯曲。输出侧引线(28‑31)以对应于期望的阻抗的恒定宽度形成，并且仅在其弯曲部分和其与波导(16‑19)交叉的部分中比恒定宽度窄。
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公开(公告)号：CN110573940B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201880026064.5
申请日：2018-04-17
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明的半导体MZM具备：第一信号电极和第二信号电极，分别与第一臂波导和第二臂波导并联地形成；多个第一相位调制电极和第二相位调制电极，从第一信号电极和第二信号电极分支，分别沿第一信号电极和第二信号电极离散地设于第一臂波导和第二臂波导上；第一接地电极和第二接地电极，沿第一信号电极和第二信号电极并联地形成；以及多个连接配线，在多个点之间连接第一接地电极和第二接地电极，第一信号电极和第二信号电极被输入/输出差分信号，相邻的所述多个连接配线以在第一信号电极和第二信号电极中传输的信号的波长的1/4以下的间隔进行设置。
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公开(公告)号：CN115136516A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202080096761.5
申请日：2020-02-28
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H04B10/40
Abstract: 就包括数字信号处理电路、以及光调制模块和光接收模块的光收发装置而言，采用了一种高速光收发装置，其中，将柔性基板用作所述光调制模块和所述光接收模块的高频接口，在数字信号处理电路的封装基板上设有将高频布线图案与所述柔性基板连接的机构，所述封装基板与所述光调制模块和所述光接收模块通过所述柔性基板连接。
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公开(公告)号：CN109690392B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201780056209.1
申请日：2017-09-13
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明提供一种通过构成在多个供电焊盘电极间具有晶闸管构造的附加电容，保护调制区域的pin结构造免受反向电压ESD影响的可靠性高的高速/低损耗半导体光调制元件。从基板面起依次层叠n型接触层(102)、n型包层(103)、非掺杂的芯层/包层(104)、p型包层(106)、p型接触层(107)。通过干式刻蚀形成马赫－增德尔干渉波导和多个供电焊盘设置部。除了马赫－增德尔干渉波导部的调制区域和形成有多个供电焊盘设置部的供电区域之外，去除n型接触层(102)以及n型包层(103)，使调制区域与供电区域下部的半导体电分离。多个供电焊盘形成于共同的n型接触层(102)以及n型包层(103)上，在供电焊盘间形成pinip结的晶闸管构造。
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公开(公告)号：CN113424100A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201980092048.0
申请日：2019-02-14
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 沿波导(16‑19)形成半导体马赫‑曾德光学调制器的相位调制电极线(24‑27)。输出侧引线(28至31)连接到终端电阻(51至54)，并且在与波导(16至19)在电介质层平面内延伸的方向交叉的方向上弯曲。输出侧引线(28‑31)以对应于期望的阻抗的恒定宽度形成，并且仅在其弯曲部分和其与波导(16‑19)交叉的部分中比恒定宽度窄。
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