中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

24 records (took 0.035 seconds)

    半导体光调制元件
    11.
    发明授权
    半导体光调制元件 有权

    公开(公告)号：CN107615140B

    公开(公告)日：2021-07-16

    申请号：CN201680031603.5

    申请日：2016-06-01

    Applicant: 日本电信电话株式会社

    Inventor： 小木曾义弘 ,  尾崎常祐 ,  柏尾典秀 ,  菊池顺裕 ,  神德正树

    IPC: G02F1/025 ,  G02F1/225

    Abstract: 本发明提供一种能作为超高速且电稳定性优异的调制器来使用的马赫‑策德尔型(MZ)半导体光调制元件。本发明的半导体光调制元件是通过对在光波导进行导波的光的折射率进行调制的折射率调制区域以及进行在该折射率调制区域分支的光的合分波的输入输出区域来进行光的调制的马赫‑策德尔型半导体光调制元件，其特征在于，所述光波导在折射率调制区域中，在与闪锌矿型半绝缘性的半导体晶体基板的(100)面等效的基板面上，从上层层叠有n型包层、i芯层以及p型包层，所述n型包层在倒置台面方向形成为脊状，在该n型包层上设有电容加载电极。

    高频线路
    12.
    发明授权
    高频线路 有权

    公开(公告)号：CN107710500B

    公开(公告)日：2021-02-09

    申请号：CN201680036151.X

    申请日：2016-06-24

    Applicant: 日本电信电话株式会社

    Inventor： 菊池顺裕 ,  山田英一 ,  小木曾义弘 ,  尾崎常祐

    IPC: H01P3/08 ,  G02F1/025 ,  H01P3/00

    Abstract: 本发明提供一种具备抑制与光波导交叉的高频布线中的阻抗变化、电的过量损失发生的结构的高频线路。高频线路为微带线，其基本结构是在SI‑InP基板上依次层叠接地电极、电介质层、信号电极而成。另外，如横向剖视图所示，在横切高频线路的形态下，交叉着InP类半导体的光波导芯。沿着高频线路的传输方向，在包含光波导交叉的一定区域内，使信号电极的宽度局部扩大。在微带线中，信号电极的宽度的局部从w1扩大至w2，相比宽度为均匀的w1，使特性阻抗降低。

    半导体光调制元件
    13.
    发明公开
    半导体光调制元件 有权

    公开(公告)号：CN109690392A

    公开(公告)日：2019-04-26

    申请号：CN201780056209.1

    申请日：2017-09-13

    Applicant: 日本电信电话株式会社

    Inventor： 小木曾义弘 ,  马渡宏泰 ,  菊池顺裕

    IPC: G02F1/025 ,  G02F1/017

    Abstract: 本发明提供一种通过构成在多个供电焊盘电极间具有晶闸管构造的附加电容，保护调制区域的pin结构造免受反向电压ESD影响的可靠性高的高速/低损耗半导体光调制元件。从基板面起依次层叠n型接触层(102)、n型包层(103)、非掺杂的芯层/包层(104)、p型包层(106)、p型接触层(107)。通过干式刻蚀形成马赫－增德尔干渉波导和多个供电焊盘设置部。除了马赫－增德尔干渉波导部的调制区域和形成有多个供电焊盘设置部的供电区域之外，去除n型接触层(102)以及n型包层(103)，使调制区域与供电区域下部的半导体电分离。多个供电焊盘形成于共同的n型接触层(102)以及n型包层(103)上，在供电焊盘间形成pinip结的晶闸管构造。

    半导体光调制器
    14.
    发明公开
    半导体光调制器 有权

    公开(公告)号：CN102033333A

    公开(公告)日：2011-04-27

    申请号：CN201010573435.7

    申请日：2006-03-08

    Applicant: 日本电信电话株式会社

    Inventor： 都筑健 ,  菊池顺裕 ,  山田英一

    IPC: G02F1/017

    CPC classification number: G02F1/025 ,  G02F2201/07 ,  G02F2202/102

    Abstract: 提供一种具有n-i-n结构半导体光调制器的特点、又能稳定工作，而且对电场的耐压性优良的半导体光调制器。其包括依次层叠n型InP包层(11)、具有电光效应的半导体芯层(13)、p-InAlAs层(15)、以及n型InP包层(16)而形成的波导结构。p-InAlAs层(15)的电子亲和力小于n型InP包层(16)的电子亲和力。在如此构成的波导结构中，还可以分别在n型InP包层(11)和半导体芯层(13)之间设置未掺杂的InP包层(12)，在半导体芯层(13)和p-InAlAs层(15)之间设置未掺杂的InP包层(14)。

    光半导体元件和光半导体集成电路
    15.
    发明授权
    光半导体元件和光半导体集成电路 失效

    公开(公告)号：CN100377455C

    公开(公告)日：2008-03-26

    申请号：CN200480000980.X

    申请日：2004-03-30

    Applicant: 日本电信电话株式会社

    Inventor： 布谷伸浩 ,  柴田泰夫 ,  藤原直树 ,  菊池顺裕 ,  东盛裕一

    IPC: H01S5/12

    Abstract: 在半导体基板上，通过把折射率和它对温度的依赖关系不同的材料进行组合，提供光半导体元件和光半导体集成电路。特别是利用具有折射率对温度的依赖关系与半导体激光器的增益区域不同的材料和/或结构的传输区域，可以控制振动波长对温度的依赖关系。此外在光波导路中，沿光波导方向形成多个界面，可以以在第一界面反射的光用在其他界面反射的光减弱的方式构成。此外通过界面配置成相对光的传播方向倾斜，也可以减少因在折射率不同的光波导路间的反射和折射造成的波导路损失。

    半导体光调制元件
    16.
    发明授权
    半导体光调制元件 有权

    公开(公告)号：CN109690392B

    公开(公告)日：2022-05-03

    申请号：CN201780056209.1

    申请日：2017-09-13

    Applicant: 日本电信电话株式会社

    Inventor： 小木曾义弘 ,  马渡宏泰 ,  菊池顺裕

    IPC: G02F1/025 ,  G02F1/017

    Abstract: 本发明提供一种通过构成在多个供电焊盘电极间具有晶闸管构造的附加电容，保护调制区域的pin结构造免受反向电压ESD影响的可靠性高的高速/低损耗半导体光调制元件。从基板面起依次层叠n型接触层(102)、n型包层(103)、非掺杂的芯层/包层(104)、p型包层(106)、p型接触层(107)。通过干式刻蚀形成马赫－增德尔干渉波导和多个供电焊盘设置部。除了马赫－增德尔干渉波导部的调制区域和形成有多个供电焊盘设置部的供电区域之外，去除n型接触层(102)以及n型包层(103)，使调制区域与供电区域下部的半导体电分离。多个供电焊盘形成于共同的n型接触层(102)以及n型包层(103)上，在供电焊盘间形成pinip结的晶闸管构造。

    半导体光调制器
    19.
    发明授权
    半导体光调制器 失效

    公开(公告)号：CN101529313B

    公开(公告)日：2011-05-11

    申请号：CN200780038962.4

    申请日：2007-10-24

    Applicant: NTT电子股份有限公司 ,  日本电信电话株式会社

    Inventor： 石桥忠夫 ,  菊池顺裕 ,  都筑健

    IPC: G02F1/025 ,  G02F1/015

    CPC classification number: G02F1/017 ,  B82Y20/00 ,  G02F1/025 ,  G02F2202/101

    Abstract: 根据本发明，能够提供一种耐压高、制作容易的npin型光调制器。根据本发明的一实施例的半导体光调制器(10)是一种在衬底侧配置阴极层(12-1)、顺序层叠的npin型的半导体光调制器，其特征在于，该npin型半导体光调制器至少包括：第一n型覆层(13-1)、p型覆层(14)、芯层(17)、及第二n型覆层(13-2)，其中p型覆层(14)与阴极层的电极(18-1)电连接。由此，伴随npin型光调制器中的光吸收，就能使向p型覆层的空穴积累被阳极侧的电极吸收。由于此npin型半导体光调制器为台面型波导结构，所以能使用现有的半导体制造技术较容易地制作此npin型半导体光调制器。

    光半导体元件和光半导体集成电路
    20.
    发明授权
    光半导体元件和光半导体集成电路 失效

    公开(公告)号：CN101144873B

    公开(公告)日：2010-12-01

    申请号：CN200710140264.7

    申请日：2004-03-30

    Applicant: 日本电信电话株式会社

    Inventor： 布谷伸浩 ,  柴田泰夫 ,  藤原直树 ,  菊池顺裕 ,  东盛裕一

    IPC: G02B6/122 ,  G02B6/12 ,  G02B6/42 ,  H01S5/00

    Abstract: 在半导体基板上，通过把折射率和它对温度的依赖关系不同的材料进行组合，提供光半导体元件和光半导体集成电路。特别是利用具有折射率对温度的依赖关系与半导体激光器的增益区域不同的材料和/或结构的传输区域，可以控制振动波长对温度的依赖关系。此外在光波导路中，沿光波导方向形成多个界面，可以以在第一界面反射的光用在其他界面反射的光减弱的方式构成。此外通过界面配置成相对光的传播方向倾斜，也可以减少因在折射率不同的光波导路间的反射和折射造成的波导路损失。

Patent Agency Ranking