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公开(公告)号：CN102834749A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201180017982.X
申请日：2011-03-28
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: G03B21/14 , B82Y20/00 , G02B5/008 , G02B5/1814 , G02B5/1866 , G02B5/3041 , G02B5/305 , G02B5/3058 , G02B5/32 , G02B6/0038 , G02B6/005 , G02B6/1226 , G02B27/425 , G02B27/4261 , G02B27/4272 , G02F1/13362 , G03B21/2033 , G03B21/2073 , H04N9/3167
Abstract: 这里公开的光学元件具有：导光体（11）；表面等离子体激发装置（14），设置在导光体（11）的界面上并利用从导光体（11）输入的光中的特定偏振成分激发表面等离子体，该成分具有与导光体（11）的表面内的第一方向（y）正交的偏振方向；光产生装置，包括金属层（12）和覆盖层（13），并通过在金属层（12）与覆盖层（13）之间的界面中响应于由特定偏振成分借助于表面等离子体激发装置（14）激发的表面等离子体而产生的表面等离子体，来产生与特定偏振成分具有相同偏振成分的光。表面等离子体激发装置（14）包括多个突起部（14a），分别沿着第一方向（y）延伸并沿着与第一方向（y）正交的第二方向（x）周期性地布置。
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公开(公告)号：CN102782394A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201080065176.5
申请日：2010-10-14
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: F21S2/00 , F21Y101/02
Abstract: 光源设备包括：载流子产生层（16），其中来自光引导体（12）的光产生载流子，来自发光元件的光进入光引导体；等离子体激发层（17），具有高于来自发光元件的光激发载流子产生层（16）时产生的光的频率的等离子体频率；波矢量转换层（18），把等离子体激发层（17）产生的表面等离子体转换为具有预定出射角的光以输出光。等离子体激发层（17）被夹在具有介电特性的两个层之间。等离子体激发层（17）入射侧部分的有效介电常数大于等离子体激发层（17）出射侧部分的有效介电常数，入射侧部分包括堆叠在光引导体（12）侧的整个结构，出射侧部分包括堆叠在波矢量转换层（18）侧的整个结构和与波矢量转换层（18）接触的介质。
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公开(公告)号：CN103154804B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201180049777.1
申请日：2011-08-10
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: G03B21/204 , B32B27/18 , B82Y20/00 , C09K11/08 , G02B5/008 , G02B6/005 , G02B2207/113 , G02F1/01 , G02F2/02 , G02F2202/30 , G03B21/14
Abstract: 提供一种具有提高的更高效率和更高亮度的光学装置。该光学装置（1）具有：荧光体层（11），用于通过入射光产生荧光；等离激元激发层（12），用于通过该荧光激发第一表面等离激元；以及出射层（13），用于将第一表面等离激元转换成光并且发射该光；这些层依次层叠在光学装置（1）上，其中，载流子产生层（11）具有通过该入射光激发第二表面等离激元的金属微颗粒。
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公开(公告)号：CN102667549B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201080052303.8
申请日：2010-10-27
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: G02B5/32 , F21S2/00 , G02B6/00 , G03B21/14 , F21Y101/02
CPC classification number: G02B6/2848 , G02B5/3033 , G02B5/32 , G02B6/005 , G02B6/0056 , G02B6/4204 , G02B27/0944 , G03B21/2046 , G03B21/28 , G03H1/0248 , G03H1/28 , G03H2001/2276 , G03H2222/31
Abstract: 本发明提供了一种被来自光学元件（10）的光照射的全息图层（13）。全息图层（13）设置有第一全息图（14），其从来自光学元件（10）的入射光中，在预定方向中衍射偏振分量在特定方向中的X偏振光，并且将该光作为第一相位状态（P1）的X偏振光出射；和第二全息图（15），其从在来自光学元件（10）的入射光中，在与第一相位状态（P1）的X偏振光相同的方向并且进而以相等的辐射角衍射偏振分量在与X偏振光的偏振分量正交的方向中的Y偏振光，并且将其转换成X偏振光，并且作为不同于第一相位状态（P1）的第二相位状态（P2）的X偏振光出射。
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公开(公告)号：CN102782394B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201080065176.5
申请日：2010-10-14
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: G02F1/01 , F21S2/00 , F21Y101/02
Abstract: 光源设备包括：载流子产生层（16），其中来自光引导体（12）的光产生载流子，来自发光元件的光进入光引导体；等离子体激发层（17），具有高于来自发光元件的光激发载流子产生层（16）时产生的光的频率的等离子体频率；波矢量转换层（18），把等离子体激发层（17）产生的表面等离子体转换为具有预定出射角的光以输出光。等离子体激发层（17）被夹在具有介电特性的两个层之间。等离子体激发层（17）入射侧部分的有效介电常数大于等离子体激发层（17）出射侧部分的有效介电常数，入射侧部分包括堆叠在光引导体（12）侧的整个结构，出射侧部分包括堆叠在波矢量转换层（18）侧的整个结构和与波矢量转换层（18）接触的介质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102906621A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180024053.1
申请日：2011-05-13
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: G03B21/00 , G02B5/008 , G02B6/0038 , G02B6/005 , G02B6/0075 , G02B26/02 , G02F2/02 , G02F2202/32 , G02F2203/10 , G03B21/005 , G03B21/14 , G03B21/20 , G03B21/204 , G03B21/2066 , G03B21/28 , H04N9/3152
Abstract: 本发明包括光阀部分（10），其具有在从发光元件（25）发出的光的透射状态和遮挡状态之间切换的多个快门机构（14）和从多个快门机构出射的光通过其透射的基板（16）。显示元件还具有等离子激元耦合部分（11），其使得用从光阀部分（10）出射的光发生等离子激元耦合。等离子激元耦合部分（11）包括用从光阀部分（10）出射的入射光生成载流子的载流子生成层（17），具有比用从发光元件（25）发出的光激发的载流子生成层（17）中生成的光的频率更高的等离子体频率的等离子激元激发层（19），和将等离子激元激发层（19）中生成的光或表面等离子激元转换为具有预定出射角的光的波数矢量转换层（23）。等离子激元激发层（19）夹在第一介电常数层（18）和第二介电常数层（22）之间。
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公开(公告)号：CN102893199A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180024087.0
申请日：2011-05-13
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: G03B21/00 , G02B5/008 , G02B6/0038 , G02B6/005 , G02B6/0075 , G02B26/02 , G03B21/005 , G03B21/14 , G03B21/204 , G03B21/2066 , H04N5/74 , H04N9/31 , H04N9/3152
Abstract: 本发明包括光阀部分(10)和等离子激元耦合部分(11)，光阀部分(10)具有基板(22)，从在从发光元件(25)发出的光的透射状态和遮挡状态之间切换的多个光学连接机构(23)出射的光透过基板(22)，等离子激元耦合部分(11)布置在光阀部分(10)中并使得利用从发光元件(25)出射的光而发生等离子激元耦合。等离子激元耦合部分(11)包括利用从发光元件(25)出射的光生成载流子的载流子生成层(15)，和等离子体频率高于利用从发光元件(25)发出的光所激发的载流子生成层(15)中生成的光的频率的等离子激元激发层(17)。波数矢量转换层(19)布置在基板(22)上。波数矢量转换层(19)将在等离子激元激发层(17)中生成的光或表面等离子激元转换为具有预定出射角的光。等离子激元激发层(17)夹在第一介电常数层(16)和第二介电常数层(18)之间。
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公开(公告)号：CN102792772A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201080065318.8
申请日：2010-10-14
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L51/5268 , H01L33/04 , H01L33/58 , H01L2933/0016
Abstract: 装有光源层（4）和光从光源层（4）所入射到的方向控制层（5）。光源层（4）具有布置在衬底（10）上的一对空穴传输层（11）和电子传输层（13）。方向控制层（5）包括：等离子体激发层（15），堆叠到光源层（4）的非衬底（10）侧并具有比从光源层（4）发射的光的频率更高的等离子体频率；波数矢量转换层（17），把由等离子体激发层（15）产生的表面等离子体转换到预定出射角并发射。等离子体激发层（15）被夹在具有介电特性的两个层之间。入射侧部分的有效介电常数大于出射侧部分的有效介电常数，入射侧部分包括堆叠在等离子体激发层（15）的光源层（4）侧的整个结构，出射侧部分包括堆叠在等离子体激发层（15）的波数矢量转换层（17）上的整个结构及与波数矢量转换层（17）接触的介质。
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公开(公告)号：CN102687046A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080044789.0
申请日：2010-09-27
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 富永慎
IPC: G02B5/30 , F21S2/00 , F21V9/14 , G02B5/32 , G02B6/00 , G02F1/1335 , G03B21/14 , F21Y101/00 , F21Y101/02
CPC classification number: G02B6/0056 , G02B5/30 , G02B6/0068 , G02F1/133504 , G02F1/133536 , G02F2001/133638 , G02F2201/307 , G02F2202/32 , G03B21/14 , G03B21/2073
Abstract: 公开了一种光学元件，其设置有：第一偏振分离层（13），其在光导体（12）的第一表面（12b）上层叠，并且在从光导体（12）入射的光中透射X偏振光并且反射垂直于X偏振光的Y偏振光；偏振全息图层（14），其在第一偏振分离层（13）上层叠，并且将在规定的入射角范围内入射的X偏振光衍射到规定的衍射角并将该X偏振光转换成Y偏振光；第二偏振分离层（15），其在偏振全息图层（14）上层叠并且在从偏振全息图层（14）入射的光中透射Y偏振光并且反射X偏振光的；反射层（18），其被设置在光导体（12）的第二表面（12c）侧；和相位差层（17），其被设置在光导体（12）的第一表面（12b）和反射层（18）之间，并且在透射前后向入射光的相互正交偏振分量赋予相位差。
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公开(公告)号：CN102667549A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080052303.8
申请日：2010-10-27
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: G02B5/32 , F21S2/00 , G02B6/00 , G03B21/14 , F21Y101/02
CPC classification number: G02B6/2848 , G02B5/3033 , G02B5/32 , G02B6/005 , G02B6/0056 , G02B6/4204 , G02B27/0944 , G03B21/2046 , G03B21/28 , G03H1/0248 , G03H1/28 , G03H2001/2276 , G03H2222/31
Abstract: 本发明提供了一种被来自光学元件（10）的光照射的全息图层（13）。全息图层（13）设置有第一全息图（14），其从来自光学元件（10）的入射光中，在预定方向中衍射偏振分量在特定方向中的X偏振光，并且将该光作为第一相位状态（P1）的X偏振光出射；和第二全息图（15），其从在来自光学元件（10）的入射光中，在与第一相位状态（P1）的X偏振光相同的方向并且进而以相等的辐射角衍射偏振分量在与X偏振光的偏振分量正交的方向中的Y偏振光，并且将其转换成X偏振光，并且作为不同于第一相位状态（P1）的第二相位状态（P2）的X偏振光出射。
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