公开(公告)号：JP5755390B1

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：JP2015511532

申请日：2014-10-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 高垣 達朗 ,  岩崎 康範 ,  宮澤 杉夫 ,  井出 晃啓 ,  中西 宏和

IPC: H01L27/12 ,  C04B35/00 ,  C04B35/115 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/683 ,  C04B35/111 ,  C04B35/115 ,  C30B29/06 ,  H01L21/2007 ,  H01L27/12 ,  H01L29/16 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6023 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/612 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/945 ,  C04B2235/963 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/219 ,  Y10T428/24777

Abstract: 半導体用複合ウエハーのハンドル基板において、ノッチを形成したウエハーのパーティクルを抑制できるようにする。半導体用複合ウエハーのハンドル基板1A、1Bが多結晶セラミックス焼結体により形成されており、外周縁部にノッチ2A、2Bを有している。ノッチが焼成面によって形成されている。

Abstract translation: 在半导体复合晶片的处理衬底，以能够抑制颗粒的晶片以形成一个凹口。 手柄基板1A的半导体复合晶片，1B是由多晶陶瓷烧结体形成的具有凹口2A，和图2B的外周缘。 凹口是由烘焙表面形成。

公开(公告)号：JP6918774B2

公开(公告)日：2021-08-11

申请号：JP2018504052

申请日：2017-02-01

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 宮澤 杉夫 ,  高垣 達朗 ,  井出 晃啓

IPC: H01L23/13 ,  H05K3/40 ,  H05K1/11

公开(公告)号：JPWO2017154339A1

公开(公告)日：2019-01-17

申请号：JP2017000769

申请日：2017-01-12

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 高垣 達朗 ,  宮澤 杉夫 ,  井出 晃啓

IPC: H05K3/40

Abstract: セラミック基材の貫通孔に金属ペーストを供給し、加熱によって金属多孔体を生成させる。金属多孔体の主面にガラスペーストを塗布すると共に金属多孔体の開気孔中にガラスペーストを含浸させる。加熱によってガラスペーストを硬化させることで、金属多孔体の主面上にガラス層を形成し、かつ開気孔に含浸したガラスペーストをガラス相とする。ガラス層を除去することで、セラミック基板1Aと、貫通孔2A内に設けられた貫通導体11とを備える接続基板10を得る。貫通導体11が、金属多孔体とガラス相を備える。 【選択図】 図3

公开(公告)号：JP6076486B2

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：JP2015536335

申请日：2015-01-13

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 宮澤 杉夫 ,  岩崎 康範 ,  高垣 達朗 ,  井出 晃啓 ,  中西 宏和

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02

CPC classification number: C04B35/115 ,  C01F7/02 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/645 ,  C04B37/00 ,  C04B37/005 ,  H01L21/2007 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/549 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/963 ,  C04B2237/062 ,  C04B2237/30 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/708

公开(公告)号：JP5877933B1

公开(公告)日：2016-03-08

申请号：JP2015536337

申请日：2015-02-24

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 高垣 達朗 ,  岩崎 康範 ,  宮澤 杉夫 ,  井出 晃啓 ,  中西 宏和

IPC: H05K3/00 ,  C04B35/111 ,  C04B41/91 ,  H05K1/03

CPC classification number: H05K1/115 ,  C04B35/111 ,  C04B35/119 ,  C04B35/634 ,  H01B17/56 ,  H01B3/12 ,  H05K1/03 ,  H05K3/00 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6023 ,  C04B2235/606 ,  C04B2235/612 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/95 ,  H05K2201/09009 ,  Y10T428/24273

Abstract: 導体用の貫通孔(2)が配列されている絶縁基板(1)を提供する。絶縁基板(1)の厚さが25〜300μmであり、貫通孔(2)の径(W)が20μm〜100μmであり、絶縁基板(1)がアルミナ焼結体からなる。アルミナ焼結体の相対密度が99.5%以上であり、平均粒径が2〜50μmである。

Abstract translation: 提供了（1）具有用于所述导体（2）的通孔的绝缘基板被布置。 绝缘基板（1）的厚度为25〜300Myuemu，所述通孔（2）（W）的直径为20μm至100μm，所述绝缘性基板（1）由氧化铝烧结体构成。 所述氧化铝烧结体的相对密度为99.5％以上，2〜50微米的平均粒径。