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公开(公告)号：JPWO2017154422A1
公开(公告)日：2019-01-17
申请号：JP2017003554
申请日：2017-02-01
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 接続基板は、貫通孔が設けられているセラミック基板、および貫通孔中に設けられた貫通導体11であって、第一の主面11aと第二の主面11bとを有する貫通導体を備える。貫通導体11が、第一の主面11aに連通する第一の開気孔16A、16Dおよび第二の主面11bに連通する第二の開気孔16Bが設けられた金属多孔体20、第一の開気孔16A、16D内に形成された第一のガラス相17、19、第二の開気孔16B内に形成された第二のガラス相17B、第一の開気孔内に設けられた第一の空隙30、および第二の開気孔16B内に設けられた第二の空隙32を有する。第一の空隙30が第一の主面に連通しない閉空隙である。第二の空隙32が第二の主面11bに連通する開空隙である。 【選択図】 図7
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公开(公告)号：JP6430081B1
公开(公告)日：2018-11-28
申请号：JP2018534891
申请日：2018-01-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/56
CPC classification number: H01L21/56
Abstract: 仮固定基板2は、複数の電子部品を接着し、樹脂モールドで仮固定するための固定面2aと、固定面の反対側にある底面2bとを備える。仮固定基板2の横断面で見たときに固定面2aが仮固定基板から上に向かって凸形状をなすように仮固定基板が反っており、式(1)を満足する。 0.45 ≦ W 3/4 /W ≦ 0.55 ・・・ (1) (仮固定基板の横断面で見たときの固定面の幅をWとし、仮固定基板の反りの基準面に対する固定面の高さが、基準面に対する固定面の高さの最大値の3/4以上になる領域の幅をW 3/4 とする。) 【選択図】 図1
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公开(公告)号：JPWO2018179819A1
公开(公告)日：2019-04-11
申请号：JP2018003404
申请日：2018-02-01
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/56
Abstract: 仮固定基板2は、複数の電子部品6を接着し、樹脂モールド7で仮固定するための固定面1Aと、固定面の反対側にある底面3Bとを備える。仮固定基板2が透光性セラミックスからなり、固定面1Aにスクラッチが分散しており、透光性セラミックスを構成する結晶粒子の研磨面および粒界が底面に露出している。底面におけるスクラッチの密度が前記固定面におけるスクラッチ密度よりも低い。 【選択図】 図3
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2017154339A1
公开(公告)日：2019-01-17
申请号：JP2017000769
申请日：2017-01-12
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H05K3/40
Abstract: セラミック基材の貫通孔に金属ペーストを供給し、加熱によって金属多孔体を生成させる。金属多孔体の主面にガラスペーストを塗布すると共に金属多孔体の開気孔中にガラスペーストを含浸させる。加熱によってガラスペーストを硬化させることで、金属多孔体の主面上にガラス層を形成し、かつ開気孔に含浸したガラスペーストをガラス相とする。ガラス層を除去することで、セラミック基板1Aと、貫通孔2A内に設けられた貫通導体11とを備える接続基板10を得る。貫通導体11が、金属多孔体とガラス相を備える。 【選択図】 図3
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公开(公告)号：JP6326412B2
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：JP2015522782
申请日：2014-06-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L33/48
CPC classification number: C04B35/115 , B29B11/14 , B29K2505/02 , B29L2011/00 , C04B35/62655 , C04B35/634 , C04B35/638 , C04B2235/5409 , C04B2235/6023 , C04B2235/6025 , C04B2235/72 , C04B2235/786 , C04B2235/95 , C04B2235/963 , G02B1/12 , G02B5/0242 , G02B5/0278
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公开(公告)号：JP6076486B2
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：JP2015536335
申请日：2015-01-13
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C04B35/115 , C01F7/02 , C04B35/62675 , C04B35/6268 , C04B35/645 , C04B37/00 , C04B37/005 , H01L21/2007 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/5436 , C04B2235/549 , C04B2235/72 , C04B2235/963 , C04B2237/062 , C04B2237/30 , C04B2237/343 , C04B2237/708
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公开(公告)号：JP5877933B1
公开(公告)日：2016-03-08
申请号：JP2015536337
申请日：2015-02-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H05K3/00 , C04B35/111 , C04B41/91 , H05K1/03
CPC classification number: H05K1/115 , C04B35/111 , C04B35/119 , C04B35/634 , H01B17/56 , H01B3/12 , H05K1/03 , H05K3/00 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/3281 , C04B2235/3418 , C04B2235/6023 , C04B2235/606 , C04B2235/612 , C04B2235/6582 , C04B2235/662 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/95 , H05K2201/09009 , Y10T428/24273
Abstract: 導体用の貫通孔(2)が配列されている絶縁基板(1)を提供する。絶縁基板(1)の厚さが25〜300μmであり、貫通孔(2)の径(W)が20μm〜100μmであり、絶縁基板(1)がアルミナ焼結体からなる。アルミナ焼結体の相対密度が99.5%以上であり、平均粒径が2〜50μmである。
Abstract translation: 提供了（1）具有用于所述导体（2）的通孔的绝缘基板被布置。 绝缘基板（1）的厚度为25〜300Myuemu，所述通孔（2）（W）的直径为20μm至100μm，所述绝缘性基板（1）由氧化铝烧结体构成。 所述氧化铝烧结体的相对密度为99.5％以上，2〜50微米的平均粒径。
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公开(公告)号：JPWO2020022372A1
公开(公告)日：2021-08-02
申请号：JP2019028976
申请日：2019-07-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/304
Abstract: 【課題】シリコン基板等を接着し、仮固定するための固定面と、固定面の反対側にある底面とを備え、セラミックスからなる仮固定基板において、仮固定基板をシリコン基板に接着した後の接着体の湾曲量を低減する。 【解決手段】仮固定基板21は、シリコン基板と電子部品チップとの少なくとも一方を接着し、仮固定するための固定面21aと、固定面の反対側にある底面21bとを備え、セラミックスまたはガラスからなる。仮固定基板21は、外周平板部21cと、外周平板部によって包囲された凹状変形部21dとを有する。固定面21aが、外周平板部において平坦面21eである。 【選択図】 図5
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