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公开(公告)号：CN101851785A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010139890.6
申请日：2010-03-30
Applicant: 丰田合成株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B9/12 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02625
Abstract: 本发明制造III族氮化物半导体的方法，本发明的一个目的是在通过Na助熔剂法制造GaN的过程中有效地添加Ge。在坩埚中，将种晶衬底放置为使得衬底的一端保持在支撑基座上，由此使种晶衬底相对于坩埚的底表面保持倾斜，并且将镓固体和锗固体放置在种晶衬底和坩埚的底表面之间的空间中。然后，将钠固体放置在种晶衬底上。通过采用这种配置，当通过Na助熔剂法在种晶衬底上生长GaN晶体时，使得锗在形成钠-锗合金之前溶于熔融镓中。因此，GaN晶体可以有效地掺杂Ge。
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公开(公告)号：CN101405439A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780009865.2
申请日：2007-03-14
Applicant: 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 丰田合成株式会社
CPC classification number: C30B9/10 , C30B7/00 , C30B19/02 , C30B19/06 , C30B29/406 , C30B35/002 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/1024 , Y10T117/1064 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明提供一种氮化物单晶的制造装置，该装置具备：用于收纳溶液的坩埚、收纳坩埚的内侧容器(16)、收纳内侧容器(16)的加热容器(31)和压力容器(30)；所述加热容器(31)具备发热体(14)、设置发热体(14)的容器主体(13)以及与容器主体(13)组合的盖子(12)；所述压力容器用来收纳加热容器(31)并填充有至少含有氮气的氛围气体。盖子(12)对于容器主体的配合面(12b)相对水平面倾斜。
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公开(公告)号：CN102803583B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201080026135.5
申请日：2010-06-10
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/10 , C30B35/002
Abstract: 通过将III族金属氮化物单晶的原料以及助熔剂原料收容于坩埚内，再将该坩埚收容于反应容器(1)内，将反应容器(1)收容于外侧容器内，再将外侧容器收容于耐压容器内，向外侧容器内供给含氮氛围气体的同时，于坩埚内生成熔液来进行III族金属氮化物单晶的培养。反应容器(1)具备收容坩埚的本体(3)和放置于本体(3)上的盖(2)。本体(3)具备侧壁(3b)和底壁(3a)，该侧壁(3b)具有啮合面(3d)和开口于啮合面(3d)上的槽(3c)。盖(2)具备相对本体(3)的啮合面有接触面(2d)的上板部(2a)，以及从上板部(2a)延伸出来，包围侧壁(3b)的外侧的凸缘部(2b)。
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公开(公告)号：CN101558187B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN200780046465.9
申请日：2007-12-10
Applicant: 丰田合成株式会社 , 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
IPC: C30B29/38 , H01L21/208 , C30B9/10
CPC classification number: C30B19/02 , C30B9/10 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02625
Abstract: 在3.7MPa和870℃的氮气(N2)气氛中，使用在约870℃下的包含Ga、Na和Li的熔剂混合物，通过熔剂法在籽晶(GaN层13)的晶体生长表面上生长GaN单晶20。因为模板10的背面是蓝宝石衬底11的R晶面，所以模板10可以容易地从其背面侵蚀或溶解于熔剂混合物中。因此，模板10从其背面逐步侵蚀或溶解，导致从半导体分离或溶解于熔剂中。当GaN单晶20成长至例如约500μm或更大的足够厚度时，保持坩锅的温度为850℃至880℃，由此整个蓝宝石衬底11溶解于熔剂混合物中。
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公开(公告)号：CN101395305B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200780007680.8
申请日：2007-03-05
Applicant: 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 丰田合成株式会社
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/10 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B19/063
Abstract: 单晶的生长方法是，在含氮非氧化性气氛下，通过使原料在容器1内熔融而生长单晶时，在使搅拌介质12与混合熔液10接触的状态下，一边摇动容器1，一边生长单晶，其中所述搅拌介质12由和该混合熔液10为非反应性的材质所形成的固形物形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101415868A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200780012537.8
申请日：2007-04-05
Applicant: 丰田合成株式会社 , 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/00 , H01L33/0075 , Y10T428/265 , Y10T428/266
Abstract: 提供一种适于制造电子器件或光学器件的高质量的半导体衬底。本发明提供一种用于制造用于电子器件或光学器件的半导体衬底的方法，该方法包括在包含选自碱金属和碱土金属中的多种金属元素的助熔剂混合物中使氮(N)与作为III族元素的镓(Ga)、铝(Al)或铟(In)反应，由此生长III族氮化物基化合物半导体晶体。在搅拌下混合助熔剂混合物和III族元素的同时，生长III族氮化物基化合物半导体晶体。其上生长III族氮化物基化合物半导体晶体的基底衬底的至少一部分由助熔剂可溶材料形成，并且在半导体晶体的生长期间或在半导体晶体的生长完成之后，在接近III族氮化物基化合物半导体晶体的生长温度的温度下，使助熔剂可溶材料溶于助熔剂混合物中。
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公开(公告)号：CN101410558A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780011246.7
申请日：2007-04-05
Applicant: 丰田合成株式会社 , 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B9/00 , C30B29/403
Abstract: 本发明的目的是在熔剂方法中防止构成外部容器的气氛的物质扩散到反应器中。提供一种用于制造第III族氮化物基化合物半导体的设备，该设备包括：保持熔融状态的第III族金属和与该第III族金属不同的金属的反应器；用于加热反应器的加热装置；和用于容纳反应器和加热装置的外部容器，其特征在于，防止构成外部容器的气氛的物质扩散到反应器中。
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公开(公告)号：CN101405438A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780009623.3
申请日：2007-03-14
Applicant: 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 丰田合成株式会社
CPC classification number: C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/06 , C30B29/403 , Y10T117/10 , Y10T117/1024
Abstract: 一种使用含易氧化性物质的助熔剂7生长氮化物单晶的装置，其具有用于收容助熔剂7的坩埚1、用于收容坩埚1并填充至少含氮气的气氛气体的压力容器20、配置在压力容器20内且在坩埚1外的炉体材料15A、15B、安装在炉体材料上的加热器17、18，以及覆盖炉体材料的耐碱性且耐热性的金属层16A、16B。
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公开(公告)号：CN101586253B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN200910143035.X
申请日：2009-05-22
Applicant: 丰田合成株式会社 , 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B9/12 , C30B9/10 , C30B29/403
Abstract: 本发明涉及N型Ⅲ族氮化物基化合物半导体及其制造方法。本发明的一个目的是通过熔剂工艺来实现具有高电子浓度的高品质n型半导体晶体的制造。本发明的通过熔剂工艺制造n型Ⅲ族氮化物基化合物半导体的方法包括：利用熔剂来熔化至少Ⅲ族元素以制备熔体；对该熔体供给含氮气体；以及由该熔体在籽晶上生长n型Ⅲ族氮化物基化合物半导体晶体。在该方法中，将碳和锗溶于该熔体中，并且将锗作为施主引入该半导体晶体，由此制造n型半导体晶体。该熔体中锗对镓的摩尔百分比是0.05mol％至0.5mol％，并且碳对钠的摩尔百分比是0.1mol％至3.0mol％。
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公开(公告)号：CN101405440B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200780010241.2
申请日：2007-02-22
Applicant: 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B9/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/10 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明使用了一种生长装置，它包括用于容纳溶液的多个坩埚(10)，用于加热坩埚(10)的发热体，用于容纳至少多个坩埚以及上述发热体并填充有至少包含氮气的气氛气体的压力容器(1)。分别在每个坩埚(10)内设置一个种晶，由该种晶生长氮化物单晶。
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