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公开(公告)号：CN108028220B
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN201780003046.0
申请日：2017-08-08
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683
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公开(公告)号：CN106233450B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201680001162.4
申请日：2016-01-13
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor： 竹林央史
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种晶片支承构造体。该晶片支承构造体(10)在陶瓷制的基板(20)的上表面配置有具备多个对晶片(W)进行载置的晶片载置部(14)的陶瓷制的托盘板(12)。基板(20)内置有基体侧电极(22)，托盘板(12)内置有托盘侧电极(18)。在该晶片支承构造体(10)中，在晶片载置部(14)载置有晶片(W)的状态下对施加于基体侧电极(22)以及托盘侧电极(18)的电压进行调整。由此，产生将基板(20)和托盘板(12)相互拉近的静电的力，并且产生将托盘板(12)和晶片(W)相互拉近的静电的力。
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公开(公告)号：CN108028220A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201780003046.0
申请日：2017-08-08
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67103 , H01L21/68792 , H05B3/283 , H05B3/74
Abstract: 一种陶瓷加热器，其在圆板状的陶瓷盘的上表面具有用于载置晶片的晶片载置面。在陶瓷盘的内周区域埋设有1个以上的内周侧加热器部件，在外周区域埋设有1个以上的外周侧加热器部件。陶瓷盘中预定区域的厚度是陶瓷盘的直径的3.9％以下，这里，预定区域是包括内周区域与外周区域的边界线的区域。
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公开(公告)号：CN119604974A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202280005704.0
申请日：2022-08-12
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 晶片载放台10为：半导体制造装置用部件的一例，其具备：陶瓷板20、陶瓷板贯通孔24、基板30、基板贯通孔34、绝缘套筒50、以及套筒贯通孔54。套筒贯通孔54沿着上下方向贯穿绝缘套筒50，且与陶瓷板贯通孔24连通。绝缘套筒50插入于基板贯通孔34，外周面50c借助粘接层60而被粘接于基板贯通孔34的内周面。绝缘套筒50在除绝缘套筒50的上端部56以外的绝缘套筒50的外周面50c具有至少1个圆环状的外周沟52。
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公开(公告)号：CN115954252B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202210678561.1
申请日：2022-06-16
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 一种晶片载放台，降低排热能力高且不易发生破损的晶片载放台的制造成本。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)，上表面具有晶片载放面(22a)，内置有电极(26)；冷却基材(30)，内部形成有冷媒流路(38)；金属接合层(40)，将陶瓷基材(20)的下表面和冷却基材(30)的上表面接合。冷却基材(30)具有：金属基复合材料制或低热膨胀金属材料制的顶部基材(81)，构成冷媒流路(38)的顶部；主成分与陶瓷基材(20)相同的陶瓷材料制的带沟基材(83)，上表面设置有构成冷媒流路(38)的底部及侧壁的流路沟(88)；金属制的顶部接合层(82)，将顶部基材(81)的下表面和带沟基材(83)的上表面接合。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN111801787B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201980016643.6
申请日：2019-09-10
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor： 竹林央史
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H02N13/00
Abstract: 本发明提供晶圆载置装置(10)，其具备：具备晶圆用静电卡盘(14)和晶圆用冷却板(16)的晶圆载置台(12)；具备聚焦环用静电卡盘(22)和聚焦环用冷却板(24)的聚焦环载置台(20)；以及配置于聚焦环载置台(20)的外周的夹紧部件(30)。晶圆载置台(12)、聚焦环载置台(20)以及夹紧部件(30)分别分体。聚焦环用冷却板(24)的按压部(24b)将晶圆用冷却板凸缘部(16a)朝向设置板(82)按压。夹紧部件(30)在利用凸缘部(32)将凸缘部(24a)朝向设置板(82)按压的状态下利用螺栓(86)紧固于设置板(82)，由此将晶圆载置台(12)及聚焦环载置台(20)不直接紧固于设置板(82)地固定于设置板(82)。
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公开(公告)号：CN116741692A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310115342.7
申请日：2023-02-15
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供半导体制造装置用部件，能够抑制发生开裂，并且，从外部控制内部空间。半导体制造装置用部件(10)具备：基底基材(20)、聚焦环(FR)载放台(30)、晶片载放台(40)、以及内部空间(50)。基底基材(20)具有晶片载放台支撑部(21)和FR载放台支撑部(22)。FR载放台(30)借助环状接合层(26)而接合于FR载放台支撑面(22a)。晶片载放台(40)与FR载放台(30)分体，且俯视与FR载放面(30a)的内周部重复，借助圆形接合层(27)而接合于晶片载放台支撑面(21a)及FR载放面(30a)的内周部。内部空间(50)为由晶片载放台支撑部(21)的侧面、FR载放台(30)的内周面及圆形接合层(27)包围的环状空间，借助连通路(25)而与外部连通。
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公开(公告)号：CN115954252A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202210678561.1
申请日：2022-06-16
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 一种晶片载放台，降低排热能力高且不易发生破损的晶片载放台的制造成本。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)，上表面具有晶片载放面(22a)，内置有电极(26)；冷却基材(30)，内部形成有冷媒流路(38)；金属接合层(40)，将陶瓷基材(20)的下表面和冷却基材(30)的上表面接合。冷却基材(30)具有：金属基复合材料制或低热膨胀金属材料制的顶部基材(81)，构成冷媒流路(38)的顶部；主成分与陶瓷基材(20)相同的陶瓷材料制的带沟基材(83)，上表面设置有构成冷媒流路(38)的底部及侧壁的流路沟(88)；金属制的顶部接合层(82)，将顶部基材(81)的下表面和带沟基材(83)的上表面接合。
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公开(公告)号：CN107958837B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN201710952345.0
申请日：2017-10-13
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor： 竹林央史
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置用部件及其制法。半导体制造装置用部件的制法包括如下工序：(a)准备平板状的静电卡盘、支撑基板以及平板状的金属接合材的工序，所述静电卡盘为陶瓷制且具有晶片载置面，所述支撑基板包含复合材料且具有凹面，所述复合材料与所述陶瓷之间的40～570℃的线热膨胀系数差的绝对值为0.2×10‑6/K以下；以及(b)在支撑基板的凹面和静电卡盘的与晶片载置面相反侧的面之间夹入金属接合材，通过在金属接合材的固相线温度以下的温度对支撑基板和静电卡盘进行热压接合，从而使静电卡盘变形为具有与凹面相同的弯曲度的工序。
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