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公开(公告)号：JP2015191068A
公开(公告)日：2015-11-02
申请号：JP2014067113
申请日：2014-03-27
Applicant: 日本電気株式会社
Inventor： 藤方 潤一
IPC: G02F1/015
CPC classification number: G02F1/225 , G02F1/0121 , G02F1/0123 , G02F2001/212 , G02F2201/58
Abstract: 【課題】マッハ・ツェンダー型光変調器において出力される光の消光特性を、ノイズ等を発生させることなく、高い精度でモニターすることを可能とする光変調器の出力モニター方法を提供する。 【解決手段】マッハ・ツェンダー型の光変調器110の出力モニター方法であって、光変調器110を構成する2つの導波路111A、111Bを、それぞれ、光が入力される一方の側において光分岐部113に接続し、光が出力される他方の側において光結合部115に接続し、光源120からの光を光分岐部113において分岐させ、各導波路を経由して、位相変調された光同士を光結合部115において合流させ、両者の出力の一部の差分あるいは比率を検出部において検出し、検出した光の動作点を設定した上で、前記動作点を一定に保つように、導波路111A、111Bを伝搬する後続の光の位相変調を制御する。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于光调制器的输出监视方法，其能够精确地监测在马赫曾德尔输出的光的消光特性而不产生噪声等。解决方案：在马赫 - Zehnder光调制器110，构成光调制器110的两个波导111A和111B连接到输入光的一侧的光分路器113，并连接到输出光的另一侧的光耦合器115， 在光分路器113中分割光源120，并且通过各个波导进行相位调制的分束光束被会聚在光耦合器115中，并且通过检测部分检测两个部分输出的差异或比率。 在设置检测光的工作点之后，控制通过波导111A和111B传播的后续光的相位调制，以保持工作点的固定。
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公开(公告)号：JP2015191067A
公开(公告)日：2015-11-02
申请号：JP2014067112
申请日：2014-03-27
Applicant: 日本電気株式会社
CPC classification number: H04B10/5561 , G02F1/0123 , G02F1/2257 , H04B10/0795
Abstract: 【課題】様々な動作点のずれを駆動回路の電源電圧以下の電圧で調整することができ、低コストで低消費電力の光変調器を提供する。 【解決手段】光分岐構造と、分岐された二つのアームの少なくとも一方に駆動回路からの電圧を印加することで光の位相を変調する光位相変調部と、前記光位相変調部に直列的に連なる二つのアームの少なくとも一方に、光位相変調部の駆動回路の電源電圧以下の電圧を印加することにより動作点を調整する光位相調整部と、光結合構造とを備え、前記光位相調整部が光位相粗調部と光位相微調部とを有し、前記光位相粗調部は、光位相変調部の駆動回路の電源電圧以下の電圧を印加することにより180°以上の範囲で光位相を変調できるように設計され、前記光位相微調部は、光位相変調部の駆動回路の電源電圧以下の電圧を印加することにより90°以下の範囲で光位相変調するように設計されていることを特徴とする光変調用素子。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种低成本的低功耗光调制器，能够通过等于或小于驱动电路的电源电压的电压来调节各种工作点的偏差。解决方案：光调制元件包括： 光学支化结构; 光学相位调制部分，用于通过将驱动电路的电压施加到分支的两个臂中的至少一个来调制光学相位; 光学相位调整部件，用于通过将等于或小于光学相位调节部分的驱动电路的电源电压的电压施加到串联地连续到光学相位调节部分的两个臂中的至少一个来调节工作点; 和光耦合结构。 光学相位调整部分包括光学相位粗略调节部分和光学相位微调部分。 光相位粗略调整部件被设计成能够通过将等于或小于光学相位调整部件的驱动电路的电源电压的电压施加至180度以上的光学相位来至少 一个分支的两个臂。 光学相位微调部被设计为通过将等于或小于光学相位调整部分的驱动电路的电源电压的电压施加到90°或更小的范围内的光相位调整，以至 分枝两臂。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：JP6853552B2
公开(公告)日：2021-03-31
申请号：JP2017509198
申请日：2016-02-17
Applicant: 日本電気株式会社 , 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
IPC: G02F1/025
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公开(公告)号：JP2019159273A
公开(公告)日：2019-09-19
申请号：JP2018049913
申请日：2018-03-16
Applicant: 日本電気株式会社 , 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
Inventor： 藤方 潤一
IPC: G02F1/025
Abstract: 【課題】Si導波路と高効率に光結合し、変調効率を高めると共に、電極層による光吸収を低減して、低光損失化を実現することが可能なGeSiを用いた電界吸収型光変調器を提供する。 【解決手段】基板31と平行に配置された第一導電型の第1Si層34と第二導電型の第2Si層35と、第1及び第2Si層の上にGe 1−x Si x (0
1−xSi
x /Si積層膜とを含むことを特徴とする電界吸収型光変調器を用いる。
【選択図】図4-
公开(公告)号：JP2019008163A
公开(公告)日：2019-01-17
申请号：JP2017124291
申请日：2017-06-26
Applicant: 日本電気株式会社 , 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
Inventor： 藤方 潤一
IPC: G02F1/025
Abstract: 【課題】Si導波路と高効率に光結合し、変調効率を高めると共に、電極層による光吸収を低減して、低光損失化を実現することが可能なGeSiを用いた電界吸収型光変調器を提供する。 【解決手段】基板31と平行に配置された第一導電型の第1Si層34と第二導電型の第2Si層35と、第1及び第2Si層の上に積層されたGeSi層51とを含むことを特徴とする電界吸収型光変調器を用いる。 【選択図】図4
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公开(公告)号：JPWO2016157687A1
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：JP2017509198
申请日：2016-02-17
Applicant: 日本電気株式会社 , 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
IPC: G02F1/025
CPC classification number: G02F1/025
Abstract: リブ型導波路を有し、かつ高濃度不純物導入領域の形成に適切なアニールを行える構造の電気光学装置を提供する。電気光学装置は、リブ部141及びリブ部から第1の方向へ延びる第1のスラブ部142を含むリブ型導波路を有する第1の半導体層9と、リブ部上に形成された誘電体層12と、誘電体層の上面から第1の方向とは逆の第2の方向へと延びる第2の半導体層10と、第1のスラブ部に第1の方向の側で接するように第1の半導体層に形成された第1の高濃度不純物領域4と、第2の半導体層の第2の方向寄りの領域に形成された第2の高濃度不純物領域11とを有する。第2の高濃度不純物領域は、第1の半導体層と積層方向に重なる領域以外の領域に形成されている。
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