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公开(公告)号：JP2019132719A
公开(公告)日：2019-08-08
申请号：JP2018015539
申请日：2018-01-31
Applicant: 旭化成エレクトロニクス株式会社
Abstract: 【課題】検知する入力磁場とキャンセル磁場の差を可能な限り低減する磁気検出装置を提供する。 【解決手段】基板10と、磁化自由層、非磁性層及び磁化固定層を少なくとも有し、所定の方向からの磁場を感知する感磁エリアを有する素子部20と、素子部の感磁軸方向に沿って素子部の両側に近接して配置され、入力磁場を収束する磁気収束部30と、感磁軸と略平行な方向を巻回軸として、導体で形成されたキャンセル磁場発生部70と、素子部で検出した検出値に基づいて、キャンセル磁場発生部にフィードバック電流を印加し、キャンセル磁場発生部に入力磁場を減殺するキャンセル磁場を発生させる電気回路と、を備え、感磁エリアの重心及び磁気収束部の少なくとも一部は、キャンセル磁場発生部の包絡面の内側に存在し、キャンセル磁場発生部の長さLcは、感磁軸と平行な方向における感磁エリアの最大長さLjよりも大きい。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6517956B2
公开(公告)日：2019-05-22
申请号：JP2018003202
申请日：2018-01-12
Applicant: 旭化成エレクトロニクス株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/30 , C30B25/02 , H01L21/20 , C30B29/40
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公开(公告)号：JP6283245B2
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：JP2014069566
申请日：2014-03-28
Applicant: 旭化成エレクトロニクス株式会社
IPC: C23C16/18 , H01L21/20 , H01L21/205
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公开(公告)号：JP2015192093A
公开(公告)日：2015-11-02
申请号：JP2014069566
申请日：2014-03-28
Applicant: 旭化成エレクトロニクス株式会社
IPC: C23C16/18 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 【課題】結晶性が良好で表面平坦に優れるAlInSb層を含む化合物半導体基板の製造方法および化合物半導体基板を提供する。 【解決手段】有機金属気相成長法を用いてIn原料とSb原料とを基板1上に供給し、この基板1上に第1の化合物半導体層11を成長させる工程と、第1の化合物半導体層11の表面温度を420℃以上525℃以下に保持した状態で、この第1の化合物半導体層11上に、In原料とSb原料に加えて、供給量を連続的および/または段階的に増やしながらAl原料を供給し、このAl原料の供給量を増やした後で、第1の化合物半導体層11上へのIn原料とSb原料およびAl原料の各供給量を一定にすることにより、第1の化合物半導体層11上にAl x In 1−x Sb層(0
【選択図】図1Abstract translation: 要解决的问题：提供具有良好的结晶性和优异的表面平坦度的包含AlInSb层的化合物半导体基板的制造方法; 并提供化合物半导体衬底。解决方案：一种化合物半导体衬底制造方法，包括：通过使用有机金属气相外延将In材料和Sb材料供给到衬底1的工艺，以在衬底上生长第一化合物半导体层11 1; 以及在保持第一化合物半导体层11的表面温度的状态下不少于In材料和Sb材料的情况下，通过连续地和/或逐步地增加供给量来提供Al材料的工序不少于 420℃且不高于525℃，并且在Al材料的供给量增加之后，保持第一化合物半导体层11上的In材料，Sb材料和Al材料的供给量恒定，形成 AlInSb层（0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2020138170A1
公开(公告)日：2021-09-09
申请号：JP2019050826
申请日：2019-12-25
Applicant: 旭化成エレクトロニクス株式会社
Abstract: 複数の磁気センサセル(220)を有し、三次元空間内の複数の箇所において3軸方向の入力磁場を検出可能な磁気センサアレイ(210)と、測定対象磁場を含む入力磁場に基づく計測データを取得する計測データ取得部(1720)と、計測データ取得部(1720)が取得した計測データを較正する計測データ演算部(1721)と、を備え、計測データ演算部(1721)は、計測データ演算部(1721)における較正の精度を示す指標を算出する指標算出部(1770)と、指標算出部(1770)が算出した指標に基づいて、故障を判定する故障判定部(1790)と、を有し、複数の磁気センサセル(220)のそれぞれは、磁気センサ(520)と、出力信号を出力する出力部(540)と、を有する磁場計測装置を提供する。
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公开(公告)号：JP2021006813A
公开(公告)日：2021-01-21
申请号：JP2020148584
申请日：2020-09-03
Applicant: 旭化成エレクトロニクス株式会社
Abstract: 【課題】各々が磁気抵抗素子を有する磁気センサを複数有し、磁場を3軸方向で検出可能な磁気センサアレイを備える磁場計測装置を提供する。 【解決手段】磁場を3軸方向で検出可能な複数の磁気センサセル220を三次元に配列して構成される磁気センサアレイ210と、磁気センサアレイ210によって計測された計測データを取得する磁場取得部820と、計測データによって示される磁場の空間分布を、正規直交関数の空間分布を持つ磁場を磁気センサアレイ210で検出したときに複数の磁気センサ220のそれぞれが出力する信号ベクトルを基底ベクトルとして信号分離する信号空間分離部860と、を備える。 【選択図】図8
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公开(公告)号：JP2019174438A
公开(公告)日：2019-10-10
申请号：JP2019007783
申请日：2019-01-21
Applicant: 旭化成エレクトロニクス株式会社
Abstract: 【課題】さらなる高精度化が可能な磁気検出装置を提供する。 【解決手段】磁気検出装置1は、第1の磁気センサユニット1000a、第2の磁気センサユニット1000b、第3の磁気センサユニット1000cおよび第4の磁気センサユニット1000dを含み、第1および第2の磁気センサユニットは、感磁軸の方向が第1の方向であるように、第1の方向に並んで配置されて、第3および第4の磁気センサユニットは、感磁軸の方向が第2の方向であるように、第2の方向に並んで配置されて、第1のおよび第2の磁気センサユニットは、第3および第4の磁気センサユニットそれぞれの重心を含み第2の方向を法線方向とする平面の間に配置され、かつ、第3および第4の磁気センサユニットは、第1および第2の磁気センサユニットそれぞれの重心を含み第1の方向を法線方向とする平面の間に配置される。 【選択図】図7
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公开(公告)号：JP2019045496A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：JP2018157607
申请日：2018-08-24
Applicant: 旭化成エレクトロニクス株式会社
Abstract: 【課題】微弱な磁場を精度よく検出する装置を、低コストで簡便に構成する。 【解決手段】測定対象を測定する測定位置に設けられ、入力磁場を互いに異なる検出軸方向で検出する複数の測定用センサ部と、複数の測定用センサ部の出力を、各座標軸方向の磁場成分を示す複数の測定用磁場信号に変換する第1変換部と、測定位置から離間した参照位置に設けられ、入力磁場を互いに異なる検出軸方向で検出する複数の参照用センサ部と、複数の参照用センサ部の出力を、各座標軸方向の磁場成分を示す複数の参照用磁場信号に変換する第2変換部と、複数の測定用磁場信号および複数の参照用磁場信号の各座標軸方向の差分を示す複数の差分信号を算出する差分算出部とを備える、測定装置を提供する。 【選択図】図7
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公开(公告)号：JP2018165699A
公开(公告)日：2018-10-25
申请号：JP2017063835
申请日：2017-03-28
Applicant: 旭化成エレクトロニクス株式会社
Inventor： 森安 嘉貴
IPC: G01R15/20
Abstract: 【課題】被測定電流を測定する電流センサを提供する。 【解決手段】被測定電流が流れる第1導体および第2導体と、予め定められた第1の方向に感磁軸を有し、第1導体および第2導体に流れる被測定電流により生じた磁場を検出する第1抵抗素子と、第1の方向に感磁軸を有し、第1導体および第2導体に流れる被測定電流により生じた磁場を検出する第2抵抗素子とを備え、第2導体の重心は、断面視で、第1導体の重心を通り、第1の方向に延びる第1仮想直線上に位置せず、第2抵抗素子は、断面視で、第1仮想直線と、第2導体の重心を通り、第1の方向に延びる第2仮想直線との間の領域に設けられる電流センサを提供する。 【選択図】図2
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