公开(公告)号：CN109219576A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201780034377.0

申请日：2017-06-06

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 埜村清志 ,  内田博 ,  石原吉满 ,  中岛裕美子 ,  岛田茂 ,  佐藤一彦

IPC: C01B33/04 ,  B01J29/48 ,  B01J29/46

Abstract: 本发明提供能够选择性制造目标低聚硅烷的低聚硅烷的制造方法。通过不仅使用甲硅烷作为原料，而且使用硅原子数比目标低聚硅烷少的低聚硅烷和/或相反硅原子数多的低聚硅烷作为原料，能够提高目标低聚硅烷的选择率，高效制造低聚硅烷。

公开(公告)号：CN106573786A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580043836.2

申请日：2015-08-12

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 石原吉满 ,  滨田秀昭 ,  岛田茂 ,  佐藤一彦 ,  五十岚正安 ,  内田博

IPC: C01B33/04 ,  B01J29/40 ,  B01J29/44 ,  B01J29/46 ,  B01J29/70 ,  B01J29/74

CPC classification number: C01B33/04 ,  B01J29/126 ,  B01J29/40 ,  B01J29/44 ,  B01J29/46 ,  B01J29/70 ,  B01J29/7007 ,  B01J29/74 ,  B01J29/7407 ,  B01J29/7415 ,  B01J29/7484 ,  B01J37/04 ,  B01J37/088 ,  B01J2229/20

Abstract: 本发明的目的是提供一种低聚硅烷的制造方法，特别是提供能改善收率和选择率、可效率良好地在更低温下制造低聚硅烷的方法。在氢硅烷的脱氢缩合反应中，通过在具有短径0.43nm以上、长径0.69nm以下的细孔的沸石存在下进行反应，低聚硅烷的选择率、特别是乙硅烷的选择率提高，能够在更低温下效率良好地制造低聚硅烷。

公开(公告)号：CN101959872A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980106903.5

申请日：2009-02-20

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 小林有二 ,  内田博 ,  佐藤一彦 ,  今喜裕

IPC: C07D301/12 ,  B01J23/30 ,  B01J31/02 ,  C07D303/04 ,  C07D303/40 ,  C07B61/00

CPC classification number: C07D301/12 ,  B01J31/0237 ,  B01J31/0259 ,  B01J31/0271 ,  B01J31/34 ,  B01J2231/72 ,  B01J2531/66 ,  C07D303/04 ,  C07D303/40

Abstract: 本发明提供在温和的条件下、不使用有机溶剂，通过多烯烃类与过氧化氢水溶液的反应，容易地从反应液中分离水层的催化剂，过氧化氢效率高的多官能性环氧单体的新的制造方法。本发明的方法是使具有碳-碳双键的有机化合物与过氧化氢水溶液中的过氧化氢反应，将该双键进行环氧化来制造对应的环氧化合物的方法，其特征在于，作为反应催化剂，使用钨化合物和叔胺。