-
公开(公告)号：CN100377239C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200510056039.6
申请日：2000-03-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
Abstract: 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆的相转移的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆的相转移的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶结构的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
-
公开(公告)号：CN1326133C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN03107320.4
申请日：2003-03-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24038 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/266 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的光学信息记录介质，其特征为，至少含有一个信息层，该信息层从激光入射侧按顺序包括：含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr和O的第1电介质膜；设在前述第1电介质膜上、通过激光的照射光学特性可逆地变化的记录膜；设在前述记录膜上、含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr和O的第2电介质膜，前述第1电介质膜的Cr原子浓度至少为6at%以上，前述第2电介质膜的Cr原子浓度至少为9at%以上，并且，前述第2电介质膜的Cr原子浓度比前述第1电介质膜的Cr原子浓度大。
-
公开(公告)号：CN1967688A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610160332.1
申请日：2000-03-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
Abstract: 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
-
公开(公告)号：CN1538421A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410031432.5
申请日：2004-03-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/00454 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的光学信息记录介质包括透明衬底和在该透明衬底上提供的多层薄膜。多层薄膜至少包括能通过光束照射以光学方式被检测的在两个或多个不同状态之间改变的记录层，以及光吸收层，该记录层和该光吸收层从接近该透明衬底的一侧按所提及的顺序排列。该记录层包含由分子式Gex(BiySb1－y)2Tex+3(其中，x≥5以及0＜y≤1)表示的材料作为主要成分。包括记录层的这种多层薄膜也适用于包括从接近该透明衬底的一侧按所提及的顺序排列的、位于该透明衬底上的第一信息层至第N信息层(N为2或更大的整数)的多层记录介质。在这种情况下，第一信息层至第N信息层的至少一个具有与多层薄膜相同的结构。
-
公开(公告)号：CN100472626C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200410031432.5
申请日：2004-03-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/00454 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的光学信息记录介质包括透明衬底和在该透明衬底上提供的多层薄膜。多层薄膜至少包括能通过光束照射以光学方式被检测的在两个或多个不同状态之间改变的记录层，以及光吸收层，该记录层和该光吸收层从接近该透明衬底的一侧按所提及的顺序排列。该记录层包含由分子式Gex(BiySb1-y)2Tex+3(其中，x≥5以及0＜y≤1)表示的材料作为主要成分。包括记录层的这种多层薄膜也适用于包括从接近该透明衬底的一侧按所提及的顺序排列的、位于该透明衬底上的第一信息层至第N信息层(N为2或更大的整数)的多层记录介质。在这种情况下，第一信息层至第N信息层的至少一个具有与多层薄膜相同的结构。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1316484C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN01132834.7
申请日：2001-07-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/00454 , G11B7/0052 , G11B7/007 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/2542 , G11B7/256 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/259 , G11B7/26 , G11B2007/0013 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 本发明的信息记录介质具有第1衬底(11)，相对第1衬底(11)配置的第2衬底(12)，在第1衬底(11)与第2衬底(12)之间配置的第1信息层(13)，在第1信息层(13)与第2衬底(12)之间配置的第2信息层(14)，在第1信息层(13)与第2信息层(14)之间配置的中间层(15)。第1信息层(13)包括在激光束(35)的作用下，在晶体相与非晶相之间产生可逆相变反应的第1记录层(18)，第2信息层(14)包括在激光束(35)的作用下，在晶体相与非晶相之间产生可逆相变反应的第2记录层(27)。第1记录层18含有Ge、Sn、Sb、Te，并且其厚度在9nm以下。
-
公开(公告)号：CN1169135C
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN01111350.2
申请日：2001-03-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , Y10T428/21
Abstract: 提供一种信息记录媒体及其制造方法，可以实现高密度记录，重复改写性能好，结晶化灵敏度随时间下降小。根据本发明的一种信息记录媒体，具有在基板和基板的上方配置的记录层，其特征在于：上述记录层的构成元素包含从Ag、Al、Cr、Mn和N中选出的至少1种元素M以及Ge、Sb、Te、Sn，而且，通过照射能量束，在结晶相和非结晶相之间以可逆方式引起相变态；上述记录层由组成式[(Ge，Sn)ASb2Te3+A]100-BMB表示的材料形成，这里，0＜A≤10、0＜b≤20。
-
公开(公告)号：CN1445767A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03107320.4
申请日：2003-03-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24038 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/266 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的光学信息记录介质，其特征为，至少含有一个信息层，该信息层从激光入射侧按顺序包括：含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr和O的第1电介质膜；设在前述第1电介质膜上、通过激光的照射光学特性可逆地变化的记录膜；设在前述记录膜上、含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr和O的第2电介质膜，前述第1电介质膜的Cr原子浓度至少为6at％以上，前述第2电介质膜的Cr原子浓度至少为9at％以上，并且，前述第2电介质膜的Cr原子浓度比前述第1电介质膜的Cr原子浓度大。
-
公开(公告)号：CN1350489A
公开(公告)日：2002-05-22
申请号：CN00807627.8
申请日：2000-03-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
Abstract: 一种信息记录媒体,在基板上设有记录材料层,利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移,形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中,含有晶格缺陷的结晶结构的材料,或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相,所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料,而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体,由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小,耐候性好,抗组成变动强,而且特性容易控制。
-
公开(公告)号：CN1347082A
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN01135703.7
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/253 , G11B7/0045 , G11B7/126 , G11B7/1263 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21 , Y10T428/24942
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质,及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层11和第2信息层20,第1信息层11包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层4,第2信息层20包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层14。而且,第1记录层4由第1材料组成,第2记录层14由第2材料组成,且两种材料不同。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.065 seconds)
