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公开(公告)号：CN1469481A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03148731.9
申请日：2003-06-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/11507 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L28/55
Abstract: 一种存储装置，具有包含由在硅构成的基板(10)上依次形成的下部电极(21)、铁电体膜(22)以及上部电极(23)所构成的电容(20)的存储单元。铁电体膜(22)，在下部电极(21)上选择性生长后形成。这样，由于在具有所希望的下部电极(21)上选择性地形成铁电体膜(22)，在铁电体膜(22)中不会有损伤部，可以实现存储单元的微细化。
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公开(公告)号：CN1132246C
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN97119623.0
申请日：1997-09-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C29/50016 , G11C11/22 , G11C29/50 , G11C2029/5002
Abstract: 在本发明的半导体存储器的加速试验方法中，求出在某个温度T1下的信息保持寿命时间t1等于另一个温度条件T2下的信息保持寿命时间t2的乘幂的关系式，t1＝t2m，而且用与玻尔兹曼因子成比例的温度的函数表示幂指数m。基于该关系式从某个温度T1下的信息保持寿命时间t1来计算另一个温度T2下的信息保持寿命时间t2。
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公开(公告)号：CN1379475A
公开(公告)日：2002-11-13
申请号：CN02108021.6
申请日：2002-03-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种半导体存储装置及其驱动方法,半导体存储装置具有铁电体电容器,即使由于电子或空穴的注入使施加在铁电体电容器上的电位差消失,也能够读出铁电体电容器所保持的数据。半导体存储装置的结构是:由源区(101)、漏区(102)、沟道区(103)、栅绝缘膜(104)及浮置栅电极(105)构成场效应晶体管,通过绝缘膜在该场效应晶体管上设置铁电体电容器(113),铁电体电容器由铁电体膜(110)和上侧的第1电极(111)及下侧的第2电极(112)组成。将铁电体膜(110)的极化方向下向、且铁电体膜(110)具有几乎饱和极化值的第1状态作为数据“1”写入的同时,将铁电体膜的极化方向下向、且铁电体膜(110)具有几乎为零的极化值的第2状态作为数据“0”写入。
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公开(公告)号：CN1350333A
公开(公告)日：2002-05-22
申请号：CN01118833.2
申请日：2001-06-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/115
CPC classification number: H01L29/78391
Abstract: 一种非易失性半导体存储装置,是将强电介质电容器用于控制场效应型晶体管栅电位的非易失性半导体存储装置。在硅衬底10上形成源极区域11以及漏极区域12,在硅衬底10的源极区域11和漏极区域12之间的区域上侧形成硅氧化膜14,在该硅氧化膜14上形成强电介质膜15,在该强电介质膜15上形成栅电极16。强电介质膜以及硅衬底为第1导电型;源极区域以及漏极区域为第2导电型。在强电介质膜上不易产生伴随泄漏电流的电荷损失,能长期保存数据。
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公开(公告)号：CN1075243C
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：CN95119333.3
申请日：1995-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L28/40 , H01L28/56
Abstract: 本发明揭示一种集成电路用电容元件及其制造方法。该方法包括：在基片上形成钛膜的粘接层，在该粘接层表面形成氧化钛和扩散阻挡层，以及在该扩散阻挡层上依次形成下电极、强介质膜和上电极等工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1229867C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN01115998.7
申请日：2001-07-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种半导体存储装置的驱动方法，所述半导体存储装置包括：强电介质电容器30、串联连接强电介质电容器30的读出FET10、以及并联连接强电介质电容器30的选择FET20。在将数据存入强电介质电容器30之后，消除在强电介质电容器30的上电极31和下电极32之间产生的感应电位差。当读出数据时，将读出电压外加到下电极和衬底之间，使利用相对较高的第1存入电压进行存入时的栅极电位，低于利用相对较低的第2存入电压进行存入时的栅极电位。提高具有利用强电介质膜极化偏位来存储多值数据的强电介质电容器的半导体存储装置的保持特性。
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公开(公告)号：CN1189942C
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN01103798.9
申请日：2001-02-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L21/8239 , G11C11/22
CPC classification number: H01L29/516 , G11C11/22 , G11C11/223 , H01L29/78391
Abstract: 一种半导体存储器件，当从能产生向上的极化或向下的残留极化的强电介质薄膜中读出对应极化状态的数据时，要在控制栅极上施加偏压，同时把有向下的残留极化的状态设为数据“1”，把从有向上的残留极化的状态到残留极化几乎不存在的状态设为数据“0”。通过把残留极化几乎不存在的状态设为数据“0”，使数据为“0”时的读出电流值近似为一固定值，所以能提高读出精度。并通过预先让一侧数据感应出轨迹来进一步提高读出精度。
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公开(公告)号：CN1181553C
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN01118833.2
申请日：2001-06-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/115
CPC classification number: H01L29/78391
Abstract: 一种非易失性半导体存储装置，是将强电介质电容器用于控制场效应型晶体管栅电位的非易失性半导体存储装置。在硅衬底10上形成源极区域11以及漏极区域12，在硅衬底10的源极区域11和漏极区域12之间的区域上侧形成硅氧化膜14，在该硅氧化膜14上形成强电介质膜15，在该强电介质膜15上形成栅电极16。强电介质膜以及硅衬底为第1导电型；源极区域以及漏极区域为第2导电型。在强电介质膜上不易产生伴随泄漏电流的电荷损失，能长期保存数据。
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公开(公告)号：CN1180465C
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN01117608.3
申请日：1995-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/70 , H01L21/283 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L28/40 , H01L28/56
Abstract: 本发明揭示一种集成电路用电容元件的其制造方法。该方法包括：在基片上形成钛膜的粘接层，在该粘接层表面形成氧化钛和扩散阻挡层，以及在该扩散阻挡层上依次形成下电极、强介质膜和上电极等工序。
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公开(公告)号：CN1447433A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03107287.9
申请日：2003-03-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10 , G11C11/22 , G11C11/4063
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种半导体存储装置及其驱动方法，各存储器单元块(MC)具有：选择晶体管(Q)和铁电电容器(C)构成的多个存储器单元、选择晶体管(QREF)和铁电电容器(CREF)构成的参考数据存储存储器单元、读出晶体管(QR)、位线(BL)、子位线(SBL)、复位线(RST)。读出晶体管(QR)的栅极接子位线(SBL)的一端、漏极连接位线(BL)的一端、源极连接复位线RST的一端。相邻的存储器单元块(MC)的子位线(SBL)的其他端之间经子位线耦合晶体管(QS)互相连接。从而可以降低半导体存储装置的存储器单元面积。
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