公开(公告)号：CN101276904B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200810008619.1

申请日：2008-02-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 武泽秀治 ,  白根隆行 ,  藤村慎也 ,  冈崎祯之 ,  本田和义

IPC: H01M4/04

CPC classification number: C23C14/0021 ,  C23C14/10 ,  C23C14/547 ,  C23C14/562 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/139 ,  H01M4/1397 ,  H01M4/485 ,  H01M4/58 ,  H01M4/70 ,  H01M10/0404 ,  H01M10/4285 ,  H01M2004/021

Abstract: 本发明涉及电池及其负极的制造方法、负极的制造装置，特别涉及将硅(Si)和硅化合物等具有高容量密度的活性物质用于负极的非水电解质二次电池的性能的稳定化。在所述电池用负极的制造方法中，在输送的集电体表面和比集电体更快地被输送的测量用集电体的表面分别形成由具有红外特性吸收的材料构成的活性物质层和测量用活性物质层；然后将红外线照射在测量用活性物质层上，至少为推定所述测量用活性物质层的组成而对反射的红外线的波数进行测定。使用了根据本发明的制造方法而制作的负极的电池作为移动通信设备、便携式电子设备等的主电源是有用的。

公开(公告)号：CN101699645A

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200910178208.1

申请日：2006-07-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 古结康隆 ,  宇贺治正弥 ,  高桥庆一 ,  美浓辰治 ,  长尾宣明 ,  涩谷聪 ,  本田和义

IPC: H01M10/38 ,  H01M4/04 ,  H01M4/48 ,  H01M4/38

CPC classification number: H01M4/134 ,  H01M4/0423 ,  H01M4/0426 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/38 ,  H01M2004/021 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/54 ,  Y10T29/49115

Abstract: 本发明提供一种锂二次电池的制造方法，具备：制作具有片状正极集电体和担载于该正极集电体上的正极活性物质层的正极的工序；根据锂二次电池用负极的制造方法制作负极的工序，该负极具备片状负极集电体和担载于该负极集电体上的负极活性物质层；使隔膜介于所述正极活性物质层和负极活性物质层之间而将它们相互对置的工序；所述锂二次电池用负极的制造方法，包括如下工序：(a)准备表面粗糙度Rz为2μm以上20μm以下的片状集电体；(b)在氧或氮气氛下，使硅从与所述集电体的法线方向构成角Φ的方向入射到所述集电体上并使其沉积，形成含有所述硅和所述氧、或者所述硅和所述氮的活性物质层，其中，20°≤Φ≤85°。

公开(公告)号：CN101675545A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200880014815.8

申请日：2008-07-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 本田和义 ,  佐藤俊忠 ,  末次大辅 ,  柏木克巨 ,  别所邦彦

IPC: H01M4/04 ,  H01M4/02 ,  H01M4/38 ,  H01M4/40 ,  H01M4/48 ,  H01M4/58 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M10/0525 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/131 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/386 ,  H01M4/387 ,  H01M4/485 ,  H01M10/446

Abstract: 由正极集电体，与正极集电体相接设置在正极活性物质层，设置在正极活性物质层的未设置正极集电体的一侧的隔膜，设置在隔膜层的未设置正极活性物质层的一侧、具有与正极活性物质层对向的对向部和不与正极活性物质层对向的非对向部，含有采用薄膜形成法在对向部和非对向部制作的锂、以硅或锡为主成分的负极活性物质层，设置在负极活性物质层的未设置隔膜层的一侧的负极集电体构成锂离子二次电池。由此防止负极的变形，伴随负极变形的循环特性的降低。

公开(公告)号：CN100550480C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200510136944.2

申请日：2005-12-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 古结康隆 ,  本田和义 ,  佐藤俊忠 ,  芳泽浩司

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M10/0525 ,  H01M4/0426 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/386 ,  H01M4/485 ,  H01M4/525 ,  H01M10/0587 ,  H01M2004/027

Abstract: 一种用于锂离子二次电池的负电极，其包括集电器和负载在该集电器上的活性材料层，其中该活性材料层包括在活性材料层厚度方向上交替层叠的第一层和第二层，其中第一层含有硅或硅和少量氧，第二层含有硅和比第一层更多量的氧。通过使用该负电极，可以提供具有优异的高速充/放电特性和优秀循环特性的高容量锂离子二次电池。

公开(公告)号：CN100423327C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200610093236.X

申请日：2006-06-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 古结康隆 ,  本田和义 ,  小川裕子

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/36 ,  H01M4/04 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/58 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/0426 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/38 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/027

Abstract: 一种用于锂离子二次电池的负极，包括集电器和附在所述集电器上的活性材料层，其中所述活性材料层包含活性材料但不含粘合剂，该活性材料包含硅和氮，并且所述活性材料层在其与所述集电器接触的第一面一侧上的氮的比率高于在其不与所述集电器接触的第二面一侧上的氮的比率。

公开(公告)号：CN1306643C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN02817051.2

申请日：2002-08-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 本田和义 ,  高井顺子 ,  冈崎祯之 ,  伊藤修二 ,  稻叶纯一 ,  樋口洋

IPC: H01M10/36 ,  H01M10/38 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M10/0562 ,  H01M4/0483 ,  H01M6/40 ,  H01M10/0404 ,  H01M10/0436 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0585 ,  H01M10/0587 ,  H01M2300/0068 ,  Y10T29/49115 ,  Y10T29/53135

Abstract: 一种锂二次电池制造方法，包括步骤：向从正电极板(20)和负电极板(30)中选出的至少一个电极板上喷射固体电解质的熔体(61)，以将熔体(61)淀积到至少一个电极板上；以及挤压正电极板(20)和负电极板(30)并使熔体(61)保持在其间，由此形成包括正电极板(20)、包括固体电解质的电解质层(62)和负电极板(30)的层状体，这样可以以高效生产率制造出具有优异特性的薄的锂二次电池。

公开(公告)号：CN1681056A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200510055192.7

申请日：2000-04-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 本田和义 ,  越后纪康 ,  小田桐优 ,  杉本高则

IPC: H01G4/38 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/0231 ,  H05K1/0289 ,  H05K1/141 ,  H05K1/162 ,  H05K3/0026 ,  H05K3/403 ,  H05K3/467 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/049 ,  H05K2201/09236 ,  H05K2201/10734

Abstract: 本发明涉及电子部件的制造方法，具有重复层叠金属薄膜和电介质薄膜的工序，在层叠了金属薄膜后，层叠有开口的电介质薄膜，通过再层叠金属薄膜覆盖上述开口，形成通过上述开口导电性地连接多个上述金属薄膜的贯通电极。

公开(公告)号：CN1622380A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410097336.0

申请日：2004-11-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 本田和义 ,  大石毅一郎 ,  美藤靖彦 ,  中本贵之

IPC: H01M10/00

CPC classification number: H01M4/04 ,  C23C14/0068 ,  C23C14/0078 ,  C23C14/0084 ,  C23C14/042 ,  C23C14/16 ,  C23C14/165 ,  C23C14/226 ,  C23C14/352 ,  C23C14/562 ,  C23C16/4585 ,  C23C26/00 ,  C23C30/00 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/667 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/021 ,  Y10T29/49115

Abstract: 直接或通过一个底层在一个集流片层上提供的一种负极活性材料薄膜具有多层结构，所述多层结构包括至少两层含有硅作为主要成分的硅薄膜。由此，即使所述负极活性材料薄膜的厚度增加，也可以通过增加硅薄膜的数目而防止一层硅薄膜厚度的增加。因此，在所述硅薄膜中，基本上为倒截锥状的硅颗粒的直径不会增大。因此，在具有主要含有硅来作为负极活性材料的薄膜的能量装置中，即使增加所述负极活性材料层的厚度以获得大的容量，循环特性也不会退化。

公开(公告)号：CN1179380C

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN98813080.7

申请日：1998-11-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 本田和义 ,  越后纪康 ,  小田桐优 ,  砂流伸树 ,  陶泽真一

IPC: H01G4/30

CPC classification number: H01G4/30

Abstract: 一种将由树脂薄膜层和金属薄膜层构成的层叠单位层叠出数层而成的层叠体，使上述树脂薄膜层的表面粗度为0.1μm以下，或使上述树脂薄膜层不含有突起形成成分，或使上述金属薄膜层的表面粗度为0.1μm以下。无论层叠厚度如何，由于表面特性良好，层叠体中不含有异物，所以可充分满足薄膜化和高性能化的要求。本发明的层叠体适用于电容器、特别是超小型电容器等电子元件中。

公开(公告)号：CN1533881A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410001858.6

申请日：1998-11-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 本田和义 ,  越后纪康 ,  小田桐优 ,  砂流伸树 ,  陶泽真一

IPC: B32B5/00 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/005 ,  C23C14/042 ,  H01G4/145 ,  H01G4/306 ,  H01G13/00 ,  Y10T428/2438 ,  Y10T428/24405 ,  Y10T428/24413

Abstract: 一种层叠体，不易产生金属薄膜层的破裂，在作为电容器使用的情况下，与以往的薄膜电容器相比在外观和结构上相似，从而在实际安装时不必有特别的顾虑，并可同时满足小型化和高性能化的要求。该层叠体由层叠出100层以上的层叠单位而成，其中，层叠单位由厚度为1μm以下的电介质层，和层叠在上述电介质层的单面上、由带状的电气绝缘部分所区分的第1金属薄膜层和第1金属薄膜层构成，其中，邻接的上述层叠单位中上述电气绝缘部分的层叠位置不同，同时每隔一层的层叠单位中电气绝缘部分的层叠位置在层叠体整体上不相同。