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公开(公告)号：CN100380224C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200310114187.X
申请日：2003-11-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G02F1/0009 , G02F1/33
Abstract: 本发明提供了一种紫外光声光器件，其包括：射频信号输入部件；将射频信号转换成机械振动的转换器装置；和光学特性随机械振动变化的声光介质。在所述紫外光声光器件中，进入所述声光介质的光是波长为380nm或更短的紫外光，并且所述声光介质是由含有至少硼作为其晶胞组分的氧化物单晶、LiNbO3晶体、或掺杂有MgO的LiNbO3晶体形成的。由此可以获得既不引起激光破坏也不引起光学破坏的声光器件，并且使用该声光器件可以提供不必要水冷的紫外光声光器件和光学成象设备。
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公开(公告)号：CN1211955C
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN01139307.6
申请日：2001-10-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 提供一种装备有磁光调制器的光信号传输系统。该磁光调制器起调制从光源发射的光束的作用，并且由偏振器、磁光的单元、检偏振器、直流磁场发生器、高频场发生器和阻抗调节器构成。该直流磁场发生器起施加直流偏压场给磁光的单元的作用。高频发生器响应来自所述高频信号发生器的高频信号，施加一个高频场给磁光的单元。阻抗调节器起调整高频场发生器的阻抗作用，用于建立高频信号到高频场发生器的有效传输，因此提高调制范围达到频率高于一般的磁光调制器的上限频率。直流偏压场的施加和阻抗调节器的使用实现对于铁磁谐振频率是有效的磁光调制器。
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公开(公告)号：CN1357978A
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN01139307.6
申请日：2001-10-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 提供一种装备有磁光调制器的光信号传输系统。该磁光调制器起调制从光源发射的光束的作用,并且由偏振器、磁光的单元、检偏振器、直流磁场发生器、高频场发生器和阻抗调节器构成。该直流磁场发生器起施加直流偏压场给磁光的单元的作用。高频发生器响应来自所述高频信号发生器的高频信号,施加一个高频场给磁光的单元。阻抗调节器起调整高频场发生器的阻抗作用,用于建立高频信号到高频场发生器的有效传输,因此提高调制范围达到频率高于一般的磁光调制器的上限频率。直流偏压场的施加和阻抗调节器的使用实现对于铁磁谐振频率是有效的磁光调制器。
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公开(公告)号：CN101558188A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200880001092.8
申请日：2008-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L31/03044 , C30B9/10 , C30B11/12 , C30B19/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , G02B1/02
Abstract: 本发明提供晶体生长速度快、可以获得高质量的晶体的III族元素氮化物晶体的制造方法；以及III族元素氮化物晶体。本发明是如下的制造方法，即，将III族元素、碱金属以及III族元素氮化物的晶种加入晶体生长容器中，在含氮气体气氛下，将晶体生长容器加压加热，在含有III族元素、碱金属以及氮的熔液中使III族元素以及氮反应，以晶种作为核来生长III族元素氮化物晶体，其中，在将晶体生长容器加压加热之前，添加沸点高于碱金属的熔点的烃。
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公开(公告)号：CN1610138A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410086095.X
申请日：2004-10-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/02625 , H01L29/155 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L33/02 , Y10S438/94 , Y10T428/24926
Abstract: 本发明提供一种防止碱金属扩散的半导体器件。在III族元素氮化物结晶衬底上层叠有III族元素氮化物结晶层的III族元素氮化物半导体器件中，所述衬底是在含有碱金属及碱土类金属之中的至少一种的熔融液中，通过使含有氮的气体中的所述氮和III族元素反应并结晶化而制成，在所述衬底上形成有薄膜层，其中，在所述衬底中含有的杂质在所述薄膜层中的扩散系数比该杂质在所述衬底中的扩散系数更小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1499244A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310114187.X
申请日：2003-11-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02F1/11
CPC classification number: G02F1/0009 , G02F1/33
Abstract: 本发明提供了一种紫外光声光器件，其包括：射频信号输入部件；将射频信号转换成机械振动的转换器装置；和光学特性随机械振动变化的声光介质。在所述紫外光声光器件中，进入所述声光介质的光是波长为380nm或更短的紫外光，并且所述声光介质是由含有至少硼作为其晶胞组分的氧化物单晶、LiNbO3晶体、或掺杂有MgO的LiNbO3晶体形成的。由此可以获得既不引起激光破坏也不引起光学破坏的声光器件，并且使用该声光器件可以提供不必要水冷的紫外光声光器件和光学成象设备。
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公开(公告)号：WO2005080648A1
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：PCT/JP2005/002560
申请日：2005-02-18
IPC: C30B19/02
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/063 , C30B19/064 , Y10T117/1016
Abstract: 成長レートを向上し、結晶均一性が高く大きな単結晶を短時間で育成できる化合物単結晶の製造方法、およびそれに用いる製造装置を提供する。原料液において、原料ガスと接する気液界面から前記原料液の内部に向かう流れが生じるように、前記原料液を攪拌しながら化合物単結晶を成長させる。前記攪拌によって、原料ガスを容易に原料液に溶解することができ、短時間で過飽和状態を実現することが可能であり、化合物単結晶の成長レートを向上させることができる、しかも、前記攪拌によって、原料ガス濃度の高い気液界面から原料ガス濃度の低い原料液内部への流れが形成され、原料ガスの溶解も均一となるので、気液界面での不均一な核発生を抑制でき、得られる化合物単結晶の品質も向上する。
Abstract translation: 一种制造包含气态原料与液体原料反应的化合物单晶的方法，其中，化合物单晶以液态原料搅拌生长，从而在液体原料中形成流动， 气体和液体彼此接触的气液界面到液体原料的内部; 以及用于该方法的装置。 上述搅拌使得气态原料容易地溶解在液体原料中并在短时间内达到过饱和状态，从而提高了化合物单晶的生长速度，并且还允许更均匀地溶解 气态原料通过从具有高含量的气态原料的气 - 液界面形成到具有低含量气态原料的液体原料的内部，导致非气态原料的抑制， 在气 - 液界面中均匀地产生核，这又导致所得化合物单晶质量的提高。 结果，上述化合物单晶的制造方法能够以提高的生长速度在短时间内生长具有高均匀度的大单晶。
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公开(公告)号：WO2005103341A1
公开(公告)日：2005-11-03
申请号：PCT/JP2005/008072
申请日：2005-04-27
IPC: C30B9/00
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/10 , C30B29/406 , C30B35/00 , Y10T117/1064 , Y10T117/1096
Abstract: 高品質の結晶が製造可能なIII族元素窒化物結晶製造装置およびIII族元素窒化物結晶製造方法を提供する。 本発明の装置を用いた結晶成長は、例えば、以下のようにして行うことができる。反応容器（１２０）内に結晶原料（１３１）および窒素含有ガスを導入して加熱器（１１０）で加熱し、かつ加圧雰囲気下で結晶を成長させる。前記ガスは、ガス供給装置（１８０）から前記反応容器のガス導入口を通して前記反応容器（１２０）内に導入し、ついで、前記反応容器のガス排出口から耐圧容器（１０２）の内部に排出する。前記ガスが耐圧容器（１０２）を介さず反応容器（１２０）に直接導入するため、耐圧容器（１０２）等に付着した不純物の結晶成長の場への混入を防止できる。また、前記ガスが反応容器（１２０）内においてフローするため、蒸発したアルカリ金属等のガス導入口等での凝集やガス供給装置（１８０）等への流入等がない。これらの結果、得られるIII族元素窒化物結晶の品質を向上させることができる。
Abstract translation: 用于生产III族元素氮化物的晶体的装置和用于制造III族元素氮化物的晶体的方法，通过该晶体可以生产高质量的晶体。 通过该装置的晶体生长可以例如以下述方式进行。 将晶体（131）和含氮气体的原料引入反应容器（120）中并通过加热器（110）加热，并在加压气氛中生长晶体。 上述气体从气体供给单元（180）通过反应容器的气体入口输送到反应容器（120）中，从反应容器的气体出口排出到压力容器（102）的内部。 由于上述气体直接通过导入反应容器（120）的压力容器（102），粘附在压力容器（102）等上的杂质混入到晶体生长领域 避免。 此外，当上述气体流过反应容器（120）的内部时，可以避免例如在气体入口等处的蒸发的碱金属等的冷凝和其进入气体供应单元（ 180）等。结果，可以提高所获得的III族元素氮化物的晶体的质量。
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公开(公告)号：WO2008111289A1
公开(公告)日：2008-09-18
申请号：PCT/JP2008/000444
申请日：2008-03-05
CPC classification number: H01L31/03044 , C30B9/10 , C30B11/12 , C30B19/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , G02B1/02
Abstract: 結晶成長レートが高く、高品質の結晶が得られるＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法、およびＩＩＩ族元素窒化物結晶を提供する。ＩＩＩ族元素、アルカリ金属およびＩＩＩ族元素窒化物の種結晶を結晶成長容器に入れ、窒素含有ガス雰囲気下において、結晶成長容器を加圧加熱し、ＩＩＩ族元素、アルカリ金属および窒素を含む融液中でＩＩＩ族元素および窒素を反応させ、種結晶を核としてＩＩＩ族元素窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法であって、結晶成長容器を加圧加熱する前に、沸点がアルカリ金属の融点よりも高い炭化水素を添加する。
Abstract translation: 本发明提供一种可以实现高晶体生长速度并能够生产高质量晶体的III族元素氮化物晶体和III族元素氮化物晶体的制造方法。 在制造方法中，将III族元素，碱金属和III族元素氮化物的晶种置于晶体生长容器中。 将晶体生长容器在含氮气体气氛下加压和加热，使III族元素和氮在含有III族元素，碱金属和氮的熔体中反应，从而生长III族元素氮化物晶体 使用晶种作为核。 在晶体生长容器被加压和加热之前，加入沸点高于碱金属的烃。
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公开(公告)号：WO2005095681A1
公开(公告)日：2005-10-13
申请号：PCT/JP2005/006365
申请日：2005-03-31
IPC: C30B29/38
CPC classification number: C30B9/10 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/1092 , Y10T117/1096
Abstract: 成長レートを向上し、高品質で大きな結晶を短時間で育成できるIII族元素窒化物結晶の製造方法、それに用いる製造装置、およびそれらにより得られた半導体素子を提供する。 アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方とIII族元素と窒素とを含む原料液中において、窒素含有ガス雰囲気下、加圧加熱して前記原料液中の窒素とIII族元素とを反応させ結晶を成長させる結晶成長工程を有するIII族元素窒化物結晶の製造方法であって、前記結晶成長工程に先立ち、さらに、原料調製工程を有し、前記原料調製工程は、窒素含有ガス雰囲気下、雰囲気温度および雰囲気圧力の少なくとも一方を前記結晶成長工程の条件よりも高く設定して、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方とIII族元素とを含む融液中に窒素を溶解させて前記原料液を調製する工程である。本発明の方法は、例えば、図７に示す製造装置により行うことができる。
Abstract translation: 一种生产III族元素氮化物晶体的方法，其具有晶体生长步骤，在压力下加热含有碱金属和碱土金属，III族元素和氮气中的至少一种的原料流体，所述气体含有 从而使上述原料流体中的氮和III族元素反应，并且生长晶体，其进一步包括原料制备步骤，在上述晶体生长步骤之前，将氮溶解在含有至少一种 的碱金属和碱土金属在含氮气体的气氛中，其中将气氛的温度和压力中的至少一个设定在比上述晶体生长步骤高的水平的条件下，制备 以上原料液; 实施上述方法的制造装置，例如图1所示。 7; 以及由上述制造的半导体元件。 该方法允许在短时间内生产具有高质量和大尺寸的III族元素氮化物的晶体，并具有改善的生长速率。
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