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公开(公告)号：CN103765561A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280034847.0
申请日：2012-06-22
Applicant: 栗田工业株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/027 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/02068 , H01L21/02057 , H01L21/02071 , H01L21/31133 , H01L21/67017
Abstract: 本发明的课题是提供一种能够在抑制金属栅极的腐蚀的同时有效地剥离在半导体上附着的抗蚀剂的金属栅极半导体的清洗方法。具有灰化半导体上的光抗蚀剂的灰化工序(步骤s1)、和在灰化工序后使经过灰化工序的上述半导体接触含有过硫酸的硫酸溶液，从上述半导体剥离半导体上的光抗蚀剂的过硫酸清洗工序(步骤s2)。上述过硫酸清洗工序中的含有过硫酸的硫酸溶液中，过氧化氢浓度在16mM？as？O以下，硫酸浓度在90质量％以上96质量％以下，溶液温度在70℃以上130℃以下，过硫酸浓度在0.50mM？as？O以上～25mM？as？O以下。
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公开(公告)号：CN101918615B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200880124590.1
申请日：2008-12-26
Applicant: 栗田工业株式会社
IPC: C25B1/30 , C25B11/12 , H01L21/304
Abstract: 极力防止电极的损耗，可高效地进行硫酸溶液等的电解。本发明是一种电解方法，该方法是将电解液通入具备阳极和阴极作为至少一对电极的电解室，对该电极通电，藉此将电解液电解，其中，将所述电解液的粘度控制在与所述通电时的电流密度相对应的范围内来进行所述电解。电流密度在50A/dm2以下时，作为电解液的硫酸溶液的粘度在10cP以下；电流密度超过50A/dm2但在75A/dm2以下时，硫酸溶液的粘度在8cP以下；电流密度超过75A/dm2但在100A/dm2以下时，硫酸溶液的粘度在6cP以下。尤其是在利用金刚石电极以高电流密度电解高浓度硫酸溶液时，可在减少电极损耗的同时以高效率进行电解处理。
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公开(公告)号：CN109906286A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201780067725.4
申请日：2017-09-12
Applicant: 栗田工业株式会社
Abstract: 处理装置(1)具有：外周设有恒温加热器(3)的处理槽(2)；以及通过配管(4)和泵(5)连接的供给槽(6)。处理槽(2)和供给槽(6)中，分别填充有规定的硫酸浓度和过硫酸浓度的过硫酸盐溶液(S、S1)。另外，在处理槽(2)内，在上下方向悬挂有作为被处理塑料的塑料板(7)。此过硫酸盐的溶液(S、S1)的硫酸浓度为50～92wt％。另外，溶解了过硫酸盐的溶液(S、S1)的过硫酸浓度为3～20g/L。根据使用该处理装置(1)的无Cr的塑料表面的处理方法，能够形成与塑料表面充分密合的镀覆。
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公开(公告)号：CN104871296A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201380065148.7
申请日：2013-10-09
Applicant: 栗田工业株式会社
IPC: H01L21/306 , B08B3/08 , H01L21/304
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D7/08 , H01L21/31111
Abstract: 为了在对基板上具有氮化硅和氧化硅的基板进行清洗时用清洗液选择性地蚀刻氮化硅，将用于清洗在同一基板上具有氮化硅和氧化硅并且前述氮化硅以及前述氧化硅的一方或双方的至少一部分露出的基板的清洗液在较好地165℃以上且不到沸点的条件下与基板接触而选择性地蚀刻氮化硅，该清洗液包含磷酸、含有由电解而生成的优选浓度为1.0g/L～8.0g/L的过硫酸的电解硫酸以及水，由此在抑制氧化硅的蚀刻的同时有效地蚀刻氮化硅，良好地清洗图案线宽在37nm以下的高集成度的半导体基板。
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公开(公告)号：CN102159750A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200980138289.0
申请日：2009-09-18
Applicant: 栗田工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC classification number: C02F1/46109 , C02F2001/46138 , C23C16/271 , C25B11/0447
Abstract: 本发明提供即使用于以高电流密度电解含有强氧化性物质的电解液这样的苛酷的用途，金刚石层也不会剥离的金刚石电极。形成膜厚为20μm以上的金刚石层3，该金刚石层3从两面被覆基板1直至基板1的端面2a。将在所述基板的一面形成厚10～30μm的金刚石层后接着在所述基板的另一面形成厚10～30μm的金刚石层的工序进行1次或反复进行规定次数，藉此用复合层的金刚石层被覆所述基板两面。可以使金刚石层表面成为无孔质，可以防止金刚石层剥离引起的电极劣化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101918615A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200880124590.1
申请日：2008-12-26
Applicant: 栗田工业株式会社
IPC: C25B1/30 , C25B11/12 , H01L21/304
Abstract: 极力防止电极的损耗，可高效地进行硫酸溶液等的电解。本发明是一种电解方法，该方法是将电解液通入具备阳极和阴极作为至少一对电极的电解室，对该电极通电，藉此将电解液电解，其中，将所述电解液的粘度控制在与所述通电时的电流密度相对应的范围内来进行所述电解。电流密度在50A/dm2以下时，作为电解液的硫酸溶液的粘度在10cP以下；电流密度超过50A/dm2但在75A/dm2以下时，硫酸溶液的粘度在8cP以下；电流密度超过75A/dm2但在100A/dm2以下时，硫酸溶液的粘度在6cP以下。尤其是在利用金刚石电极以高电流密度电解高浓度硫酸溶液时，可在减少电极损耗的同时以高效率进行电解处理。
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公开(公告)号：CN101512725A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780033165.7
申请日：2007-09-05
Applicant: 栗田工业株式会社 , 大日本网屏制造株式会社
IPC: H01L21/027 , G02F1/13 , B08B3/02 , H01L21/304 , B08B3/08 , G11B7/26
CPC classification number: G03F7/423 , H01L21/6708
Abstract: 本发明提供一种能够从基板很好地去除抗蚀剂，并且能够再利用在该抗蚀剂的去除中使用过的处理液的基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置具有：基板保持装置，其用于保持基板；过硫酸生成装置，其使用硫酸生成过硫酸；混合装置，其对通过所述过硫酸生成装置生成的过硫酸以及与由所述过硫酸生成装置使用的硫酸相比更高温并且更高浓度的硫酸加以混合；以及喷出装置，其将通过所述混合装置混合的过硫酸和硫酸的混合液作为从基板去除抗蚀剂用的处理液，并向保持在所述基板保持装置的基板喷出。
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公开(公告)号：CN108884569B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201780022812.8
申请日：2017-03-14
Applicant: 栗田工业株式会社
Abstract: 本发明是无Cr塑料表面的处理方法，提供能够进行与塑料表面充分密合的镀覆的塑料表面的处理方法。该塑料表面的处理方法的特征在于，用对硫酸进行电解而得到的溶液对塑料进行处理。硫酸溶液的硫酸浓度为50～92wt％，过硫酸浓度为3g/L以上，处理温度优选为80℃以上例如80℃～140℃，特别优选为100℃～130℃。通过将塑料在该硫酸溶液中浸渍1～10分钟，亲水性的官能团在塑料的表面露出。
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公开(公告)号：CN111133130A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201880059527.8
申请日：2018-09-14
Applicant: 栗田工业株式会社
Abstract: 处理装置(1)具有：处理槽(2)、与配备了循环泵(5)的配管(4)连接的配备了金刚石电极的电解池(6)以及从该电解池(6)向处理槽(2)进行供给的配管(7)。处理槽(2)及电解池(6)中填充了规定浓度的硫酸，给电解池(6)通入电流，通过对硫酸进行电解使硫酸电解从而生成过硫酸溶液(S)，经由配管(7)将该过硫酸溶液(S)供给至处理槽(2)。然后，在处理槽(2)内，PPS树脂板(8)在被固定于夹具(8A)的状态下悬挂在上下方向，利用过硫酸溶液S处理PPS树脂板(8)。根据所述PPS树脂的亲水化处理方法，能够形成与PPS树脂表面充分密合的镀敷。
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公开(公告)号：CN104871296B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201380065148.7
申请日：2013-10-09
Applicant: 栗田工业株式会社
IPC: H01L21/306 , B08B3/08 , H01L21/304
Abstract: 为了在对基板上具有氮化硅和氧化硅的基板进行清洗时用清洗液选择性地蚀刻氮化硅，将用于清洗在同一基板上具有氮化硅和氧化硅并且前述氮化硅以及前述氧化硅的一方或双方的至少一部分露出的基板的清洗液在较好地165℃以上且不到沸点的条件下与基板接触而选择性地蚀刻氮化硅，该清洗液包含磷酸、含有由电解而生成的优选浓度为1.0g/L～8.0g/L的过硫酸的电解硫酸以及水，由此在抑制氧化硅的蚀刻的同时有效地蚀刻氮化硅，良好地清洗图案线宽在37nm以下的高集成度的半导体基板。
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