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公开(公告)号：CN110168705A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201780082927.6
申请日：2017-09-12
Applicant: 栗田工业株式会社
Inventor： 藤村侑
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种使用臭氧水清洗半导体基板的半导体基板的清洗装置(10)，其具备：冷却机构(3)，将20℃以上的臭氧水(W2)冷却至规定温度；和清洗机构(4)，用通过冷却机构(3)冷却过的臭氧水(W3)清洗基板。清洗机构(4)具有清洗槽(41)，所述清洗槽(41)用于将基板浸渍在被冷却机构(3)冷却过的臭氧水(W3)中进行清洗。根据使用该半导体基板的清洗装置(10)的清洗方法，通过使半导体基板浸渍在臭氧水中，能够将基板表面残留的抗蚀剂等有机物、金属异物清洗除去，并且能够减少清洗工序中的基板材料的损失。
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