公开(公告)号：CN116194200A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202180056597.X

申请日：2021-03-18

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 颜畅子

IPC: B01F21/00

Abstract: pH‑氧化还原电位调整水制造装置(1)在超纯水(W)的供给线(2)设置铂族金属负载树脂柱(3)，超纯水供给线(2)接着分支为第一调整水制造线(4)和第二调整水制造线(5)。在第一调整水制造线(4)连通有pH调整剂罐(41)并且连通有氧化还原电位调整剂罐(42)，在其后段设置有第一储存槽(43)。在第二调整水制造线(5)连通有pH调整剂罐(51)并且连通有氧化还原电位调整剂罐(52)，在其后段设置有第二储存槽(53)。只要是这种pH‑氧化还原电位调整水的制造装置，能够在使用钴等过渡金属作为布线金属的半导体的布线制造工序中溶解规定量的布线金属。

公开(公告)号：CN116113486A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202180062547.2

申请日：2021-09-22

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 颜畅子

IPC: B01D61/00

Abstract: 本发明的pH‑氧化还原电位调整水的制造装置(1)在超纯水(W)的供给线(2)设置铂族金属负载树脂柱(3)，在其后段设置pH调整剂罐(4)和氧化还原电位调整剂罐(5)。另外，在其后段具有膜式脱气装置(6)，在该膜式脱气装置后段配置气体溶解膜(7)。而且，在供给线的气体溶解膜的下游侧设置具有pH计、ORP计和非活性气体浓度测定机构的洗涤水质监视机构，该洗涤水质监视机构与未图示的控制机构连接，该控制机构能够基于洗涤水质监视机构的测量值对pH调整剂罐的泵(4B)、氧化还原电位调整剂罐的泵(5B)和气体溶解膜进行控制。通过这种结构，本发明能够在铬族元素露出的晶片表面的冲洗工序中将金属的溶解抑制为最小限。

公开(公告)号：CN111132939A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201880060253.4

申请日：2018-03-20

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 颜畅子

IPC: C02F1/66 ,  C02F1/20 ,  C02F1/58 ,  H01L21/304

Abstract: pH及氧化还原电位调节水的制造装置(1)在超纯水(W)的供给线(2)设置有铂族金属负载树脂柱(3)，在其后段配备了pH调节剂注入装置(4A)和根据需要而设的氧化还原电位调节剂注入装置(4B)。在该装置(4A)、(4B)的后段，膜式脱气装置(6)连通着排出线(9)。在该排出线(9)的中途设有pH计(10A)和ORP计(10B)，上述pH计(10A)及ORP计(10B)连接着控制装置(11)。然后，根据pH计(10A)及ORP计(10B)的测量结果，控制pH调节剂注入装置4A和氧化还原电位调节剂注入装置(4B)的注入量。根据所述pH及氧化还原电位调节水的制造装置，能通过准确地调节pH及氧化还原电位从而使有钨等铬族元素暴露的半导体晶片的带电、腐蚀溶解的程度最小化。

公开(公告)号：CN110225889A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201780084661.9

申请日：2017-09-12

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 藤村侑 ,  颜畅子

IPC: C02F1/66 ,  B01D61/00 ,  C02F1/74

Abstract: 稀释药液的制造装置具有以下构成：在超纯水(W)的供给线(1)上依次具备铂族金属负载树脂柱(2)、膜式脱气装置(3)、和气体溶解膜装置(4)，在铂族金属负载树脂柱(2)与膜式脱气装置(3)之间设有pH调节剂注入装置(5A)和氧化还原电位调节剂注入装置(5B)。膜式脱气装置(3)的气相侧与非活性气体源(6)连接，并且气体溶解膜装置4的气相侧也与非活性气体源(7)连接，气体溶解膜装置(4)与排出线(8)连通。在该排出线(8)上设有pH计(10A)和ORP计(10B)。根据该稀释药液的制造装置，能够控制pH以及氧化还原电位。