-
公开(公告)号：CN100559182C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200480024753.0
申请日：2004-08-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01N33/543 , C12M1/00 , G01N33/535
CPC classification number: G01N33/54373 , Y10S435/808 , Y10S436/805
Abstract: 本发明提供了一种测定待测物质浓度的方法，其可在很短的时间内测定非常少量的测试样品中待测物质的浓度，即使当用于测定的测试样品的量非常少时，也可对该待测物质的浓度进行准确测定。对待测物质浓度进行测定的方法采用传感器芯片，所述传感器芯片具有一个光波导层，以及设置于所述光波导层表面上的抗体固定化层，该方法包括将待测物质和用标记酶标记的酶标抗体固定于传感器芯片的具有固定化抗体的抗体固定化层上，通过使显色试剂与抗体固定化层上的标记酶反应产生显色的酶反应产物，并将所述酶反应产物沉积在抗体固定化层上，使从外面照射到传感器芯片上的光在光波导层与抗体固定化层之间的界面处被全反射，并观察全反射光的物理量。
-
公开(公告)号：CN101451995A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810176057.1
申请日：2008-11-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01N33/543 , G01N21/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种可以更少的被测定样品量、在更短的时间内、定量测定被测定样品的测定对象物质的光波导型传感器。该目的是通过下述手段实现的：一种光波导型传感器，其特征在于，具有在表面上固定化有与测定对象物质特异性反应的第1物质的光波导，和分散于上述光波导表面、且固定化有与上述测定对象物质特异性反应的第2物质的微粒。
-
公开(公告)号：CN100449313C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200410055805.2
申请日：2004-07-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G01N21/7703 , G01N21/78
Abstract: 本发明提供能高精度地测定易消失(evanescent)波的变化量的光学式生物传感器。该传感器包含：使入射光在层内一边全反射一边透过的全反射层(10)、与所述全反射层(10)相接，并互相隔开设置的入射侧光栅(11a)和出射侧光栅(11b)、含有与所述全反射层(10)相接地设置于所述入射侧光栅(11a)和出射侧光栅(11b)之间的酶与发色试剂的感测膜(12)。
-
公开(公告)号：CN109478509B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN201880002785.2
申请日：2018-03-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明的实施方式的蚀刻液是用于氮化硅的蚀刻的蚀刻液，其包含磷酸、具有比磷酸的第1酸解离指数pKa1小的酸解离指数的酸、硅酸化合物和水。磷酸的质量M1与酸的质量M2之比M1/M2在0.82以上且725以下的范围内。
-
公开(公告)号：CN110904503B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201910202118.5
申请日：2019-03-18
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式涉及添加剂、添加剂分散液、蚀刻原料单元、添加剂供给装置、蚀刻装置及蚀刻方法。提供用于制备能够实现高的处理效率的硅的蚀刻液的添加剂及添加剂分散液、和使用了该添加剂及添加剂分散液的蚀刻技术。一实施方式所涉及的添加剂为用于制备在硅的蚀刻中所使用的蚀刻液的添加剂。添加剂包含固体状硅材料。固体状硅材料的比表面积大于12.6cm2/g。固体状硅材料的表面的至少一部分被氧化。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN112997281A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202080005933.3
申请日：2020-01-15
Applicant: 株式会社东芝 , 铠侠股份有限公司 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 根据实施方式，本申请提供一种判定方法。判定方法对在使包含硅及卤素的物质反应或者使包含硅的物质与包含卤素的物质反应的工序中产生的副产物的处理的进行判定。副产物的处理包括使包含水的处理液与副产物接触而得到第一固形物。判定方法包括基于关于第一固形物的Si‑α键(α为选自由F、Cl、Br及I构成的组中的至少1种)及Si‑H键中的至少一者的利用化学分析的信号来判定副产物的处理的进行。
-
公开(公告)号：CN110857913A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910193622.3
申请日：2019-03-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01N21/3577
Abstract: 本发明提供能够测定溶液中的微量硅浓度的测定器、蚀刻系统、硅浓度测定方法及硅浓度测定程序。根据实施方式，提供一种测定器，其包含输入输出部、存储器和处理器。输入输出部被输入测定值信息，所述测定值信息表示测定对象液的磷酸、第2酸和水的浓度，所述测定对象液包含磷酸、具有比磷酸的第1酸解离指数pKa1小的酸解离指数pK的第2酸和水。存储器保持变动值信息，所述变动值信息包含在基准液中按照成为基准硅浓度的方式添加硅时的磷酸、第2酸和水的浓度变化与基准硅浓度的关系，所述基准液含有磷酸、第2酸和水。处理器基于输入至输入输出部的测定值信息和从存储器读出的变动值信息，得到相当于测定值信息的测定对象液的硅浓度。
-
公开(公告)号：CN107429873A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680014502.7
申请日：2016-03-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝生活电器株式会社
IPC: F16L59/065 , B32B5/26 , F25D23/06
Abstract: 本实施方式的真空绝热面板是将由树脂纤维构成的芯材收纳于外包装材料内的真空绝热面板，其中，所述树脂纤维被直接成膜于所述外包装材料的内表面。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
90
records
(took 0.037 seconds)
