公开(公告)号：CN102916023A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210272818.X

申请日：2012-08-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 户野谷纯一 ,  藤井孝佳 ,  佐佐木贤司 ,  今野有作

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明涉及一种固态成像装置及其制造方法。根据一个实施例，一种固态成像装置包括基底和多个干涉滤光器。基底包括多个光电转换单元。单独地为所述多个光电转换单元设置多个干涉滤光器。多个干涉滤光器包括堆叠的具有不同折射率的多个层。将所述多个干涉滤光器配置为选择性地透射指定波长范围内的光。在相邻的干涉滤光器之间设置空隙部。

公开(公告)号：CN100428513C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200610084057.X

申请日：2006-05-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 冈田康秀 ,  藤井孝佳 ,  堀内一男

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/08

Abstract: 本发明揭示一种能从衬底效率良好地取出发光层产生的光的半导体发光元件。包含：具有透光性的衬底(10)；设在所述衬底(10)的入射面(11)侧并利用通电发光的发光层(23)；以及设在所述衬底(10)的入射面(11)侧或出射面(12)侧并使所述发光层(23)通电的一对N电极(22)和P电极(25)，并且在所述衬底(10)的出射面(12)形成取出来自所述发光层(23)的光的槽部(13)。

公开(公告)号：CN1866562A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200610084057.X

申请日：2006-05-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 冈田康秀 ,  藤井孝佳 ,  堀内一男

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/08

Abstract: 本发明揭示一种能从衬底效率良好地取出发光层产生的光的半导体发光元件。包含：具有透光性的衬底(10)；设在所述衬底(10)的入射面(11)侧并利用通电发光的发光层(23)；以及设在所述衬底(10)的入射面(11)侧或出射面(12)侧并使所述发光层(23)通电的一对N电极(22)和P电极(25)，并且在所述衬底(10)的出射面(12)形成取出来自所述发光层(23)的光的槽部(13)。