公开(公告)号：CN1324090A

公开(公告)日：2001-11-28

申请号：CN01119208.9

申请日：2001-04-04

Applicant: 株式会社东金

Inventor： 渡边真也 ,  龟井浩二 ,  小野裕司 ,  吉田荣吉 ,  根本道夫

IPC: H01J5/08 ,  H01F1/047 ,  H01F41/14 ,  H01J17/49 ,  H01J29/88 ,  H01S5/00 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01J11/12 ,  C03C17/22 ,  C03C17/245 ,  C03C2217/217 ,  C03C2217/23 ,  C03C2217/281 ,  C03C2217/285 ,  C03C2218/15 ,  C03C2218/154 ,  H01J11/44 ,  H01J29/867 ,  H01J2211/446 ,  H01J2329/869

Abstract: 在具有显示窗(73,81,93)的显示器件(70,70A,80－80G,90－90F)中,至少在显示窗的部分主表面上形成磁损耗层(75,75A,88－88C,97－97C)。磁损耗层可以是粒状磁性薄层,例如由包括M、X和Y的磁性组合物的磁性物质制成,其中M是由Fe、Co和/或Ni构成的金属磁性材料,X是除M和Y之外的元素,Y是F、N和/或O。形成的磁损耗层可以是从垫片状、格状、带状和点状中选出的任一种形状,该磁损耗层可以形成为网状。

公开(公告)号：CN1318849A

公开(公告)日：2001-10-24

申请号：CN01116699.1

申请日：2001-04-17

Applicant: 株式会社东金

Inventor： 渡边真也 ,  龟井浩二 ,  栗仓由夫

IPC: H01F10/00 ,  H01L23/58

CPC classification number: H05K9/0083 ,  H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/0233 ,  Y10S428/90 ,  Y10S428/928 ,  Y10T428/14 ,  Y10T428/28 ,  H01L2924/00

Abstract: 为了提供一种表现出显著高频磁损耗特性、能极为有效地消除来自非常密集地集成的电子微电路如半导体集成周边器件的高频传输噪声的磁损耗材料,及其制造方法和所用到的高频电流抑制体,本发明是一种片状、包括在磁性薄膜(19)的至少一个表面上的粘性层或压敏粘性层(23)的高频电流抑制体。这种磁性薄膜是包括M－X－Y的磁损耗材料,其中,M为Fe,Co和Ni中的至少一种,X为不同于M或Y的至少一种元素,而Y为F,N和O中的至少一种。

公开(公告)号：CN1316373A

公开(公告)日：2001-10-10

申请号：CN01116568.5

申请日：2001-04-04

Applicant: 株式会社东金

Inventor： 栗仓由夫 ,  龟井浩二 ,  白鸟聪

IPC: B65D85/86 ,  H05K9/00

CPC classification number: H05K9/0049 ,  B82Y25/00 ,  H01F10/007 ,  H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1617 ,  H01L2924/3011 ,  H05K9/0088 ,  Y10T428/12431 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种在金属盒中包括电子电路或电路元件的电子部件(11)，其金属盒内表面的至少一部分具有由磁性损耗材料构成的磁性薄膜(51)。磁性损耗材料的组成物由M－X－Y表示，M为Fe、Co和Ni中的至少一个，X为除M和Y外的元素中的至少一个，Y为N、F和O中的至少一个。复磁导率特性中虚部μ”的最大值在100MHz－10GHz的频率范围内出现，相对带宽不大于200%。有可能提供包括高速操作型半导体器件和/或电子电路的电子部件并且不期望的辐射得到减小。