公开(公告)号：CN100592480C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200610101669.5

申请日：1997-02-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫永昭治 ,  小山润 ,  福永健司

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括：在衬底上形成的薄膜晶体管，包括一个源区、一个漏区、形成在所述源区和漏区之间的沟道区、形成在所述沟道区上的栅电极，在所述栅电极和所述沟道区之间有一个栅绝缘膜；形成在所述薄膜晶体管上的层间绝缘膜；形成在所述层间绝缘膜上的源极布线、漏极布线、栅极布线；其中所述源区、漏区和栅电极中的每一个包括一个硅化物膜；其中所述源极布线、漏极布线和栅极布线分别被连接到所述源区的硅化物膜、所述漏区的硅化物膜和所述栅电极的硅化物膜。本发明还涉及包括上述半导体器件的便携式电话和照相机。

公开(公告)号：CN100502053C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200610100799.7

申请日：1997-02-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  宫永昭治 ,  福永健司

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

Abstract: 一种薄膜半导体晶体管结构具有带有电介质表面的衬底和由半导体薄膜构成的有源层，半导体薄膜呈现相当于单晶的结晶度。为制作此晶体管，半导体薄膜形成在衬底上，此膜包括多种晶体的混合物，晶体可是大体上与衬底平行的柱状和/或毛发状晶体。然后，所得结构在含卤素的选定气氛中进行热氧化从而除去在膜中含有的任何金属元素。这就能形成单畴区，在单畴区中各柱状或发毛状晶体接触任何相邻晶体并且能大体认为是其中不存在或包含任何晶界的单晶区。此区用于形成晶体管的有源层。

公开(公告)号：CN1881568A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610103003.3

申请日：1994-05-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦 ,  宫永昭治

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

Abstract: 在除图象元素部分之外的无定形硅薄膜上，在预定的外围电路部分的区域内引入镍，以从该区域结晶。在栅电极和其他电极形成之后，用掺杂法形成源、漏和沟道，用激光照射改善结晶。之后，形成电极/引线。因此，获得有源矩阵型液晶显示器，它的外围电路部分中的薄膜晶体管(TFT)，由结晶薄膜构成，其晶体在平行于载流子流的方向里生长，在图象元素部分里的TFTs由无定形硅薄膜构成。

公开(公告)号：CN1624866A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410086184.4

申请日：1994-12-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大谷久 ,  安达广树 ,  宫永昭治 ,  高山彻

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明的目的是，在使用促进结晶化的催化剂元素于550℃进行4小时加热处理而得到结晶性硅的方法中，精确地控制催化剂元素的引入量。在玻璃衬底11上形成的无定形硅膜12，进而在该无定形硅膜12上形成掩膜21，将含有10～200ppm(需调整)镍等催化剂元素的乙酸盐溶液(或其它水溶液)14滴下。在该状态下保持一定的时间，用旋转器15进行旋转干燥，然后在550℃进行4小时加热处理，得到结晶性硅膜。

公开(公告)号：CN1165976C

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN97104977.7

申请日：1997-02-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫永昭治 ,  小山润 ,  福永健司

IPC: H01L21/322 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/0688 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/1112 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1872 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521 ,  Y10S257/903 ,  Y10S257/904 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体薄膜，其形成有横向生长区，它是柱状或针状晶体的集合，其通常平行于衬底伸展。用具有等效能量激光或强光对半导体薄膜进行照射，结果使相邻的柱状或针状晶体结合在一起，形成实质上没有晶界的区域，即实质上可看作单晶的单畴区。半导体器件可通过使用单畴区作为有源层而形成。

公开(公告)号：CN1153256C

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN97104828.2

申请日：1997-02-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫永昭治 ,  小山润 ,  福永健司

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/335 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及一种薄膜半导体，可以认为该薄膜半导体基本上是单晶，本发明还涉及一种包括由薄膜半导体构成的有源层的半导体器件。在与非晶硅膜的下表面接触的绝缘膜上有意形成至少一个凹凸图形，从而形成至少一个加速结晶的金属元素在此分凝的点。因此，在凹凸图形所在位置选择地形成了晶核，该方法能控制晶体直径。于是获得结晶硅膜。用激光照射或用有与激光相同能量的强光照射结晶硅膜，可以提高其结晶度，从而获得其中基本上没有晶界的单畴区。

公开(公告)号：CN1495910A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN02144036.0

申请日：1997-02-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫永昭治 ,  小山润 ,  福永健司

IPC: H01L29/78 ,  G02F1/136 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11

CPC classification number: H01L27/0688 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/1112 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1872 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521 ,  Y10S257/903 ,  Y10S257/904 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体薄膜，其形成有横向生长区，它是柱状或针状晶体的集合，其通常平行于衬底伸展。用具有等效能量激光或强光对半导体薄膜进行照射，结果使相邻的柱状或针状晶体结合在一起，形成实质上没有晶界的区域，即实质上可看作单晶的单畴区。半导体器件可通过使用单畴区作为有源层而形成。本发明还涉及制造所述半导体薄膜的方法和含有该半导体薄膜的器件和电器。

公开(公告)号：CN1146015C

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN96110486.4

申请日：1996-06-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  宫永昭治

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2022

Abstract: 在制造薄膜晶体管(TFT)中，在玻璃衬底上形成氧化硅膜作为底膜，然后在其中形成非晶硅膜。设置与非晶硅膜表面接触的促进硅结晶的金属元素，在高于非晶硅膜的结晶温度的温度热处理非晶硅膜。热处理时，把玻璃衬底放在有恒定平整性的基体上。通过冷却，获得不损坏不变形衬底的结晶硅膜。

公开(公告)号：CN1360349A

公开(公告)日：2002-07-24

申请号：CN00104152.5

申请日：1994-06-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫永昭治 ,  大谷久 ,  寺本聪

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 在非晶硅膜中引入一种或多种选自III、IV或V族的元素,然后在600℃或更低的温度下加热晶化。在平行于基片的方向上,晶体在已引入元素的区域生长。在结晶半导体层的一个部位,按以下方式形成半导体器件的有源区,即根据所期望的有源区迁移率,来选取晶体生长方向与器件电流方向之间的关系。

公开(公告)号：CN1360338A

公开(公告)日：2002-07-24

申请号：CN00104151.7

申请日：1994-06-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫永昭治 ,  大谷久 ,  寺本聪

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 在非晶硅膜中引入一种或多种选自III、IV或V族的元素,然后在600℃或更低的温度下加热晶化。在平行于基片的方向上,晶体在已引入元素的区域生长。在结晶半导体层的一个部位,按以下方式形成半导体器件的有源区,即根据所期望的有源区迁移率,来选取晶体生长方向与器件电流方向之间的关系。