公开(公告)号：CN117276339A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202310664561.0

申请日：2018-07-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  松林大介 ,  方堂凉太 ,  伊藤大吾 ,  本多大章 ,  冈本悟

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417

Abstract: 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括：氧化物；氧化物上的第一导电体及第二导电体；氧化物上的第三导电体；氧化物与第三导电体之间的覆盖第三导电体的侧面的第一绝缘体；第三导电体及第一绝缘体上的第二绝缘体；位于第一导电体上且第二绝缘体的侧面处的第三绝缘体；位于第二导电体上且第二绝缘体的侧面处的第四绝缘体；与第三绝缘体的顶面及侧面接触且与第一导电体电连接的第四导电体；以及与第四绝缘体的顶面及侧面接触且与第二导电体电连接的第五导电体。第一绝缘体位于第三绝缘体与第三导电体之间且位于第四绝缘体与第三导电体之间。

公开(公告)号：CN110506328A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201880024885.5

申请日：2018-04-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  松林大介 ,  加藤清 ,  栃林克明 ,  长塚修平

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种能够实现高集成化的半导体装置。该半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管、第一电容器以及第二电容器。第一晶体管包括第一绝缘体上的氧化物、氧化物上的第二绝缘体、第二绝缘体上的第一导电体、第一导电体上的第三绝缘体、与第二绝缘体、第一导电体及第三绝缘体接触的第四绝缘体、以及与第四绝缘体接触的第五绝缘体。第二晶体管包括第一绝缘体上的氧化物、氧化物上的第六绝缘体、第六绝缘体上的第二导电体、第二导电体上的第七绝缘体、与第六绝缘体、第二导电体及第七绝缘体接触的第八绝缘体、以及与第八绝缘体接触的第九绝缘体，第一电容器包括氧化物、氧化物上的第十绝缘体、以及第十绝缘体上的第三导电体。第二电容器包括氧化物、氧化物上的第十一绝缘体、以及第十一绝缘体上的第四导电体。

公开(公告)号：CN108054175A

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201810004958.6

申请日：2013-07-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三宅博之 ,  宍户英明 ,  小山润 ,  松林大介 ,  村山佳右

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1345

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136204 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G02F2201/40 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供不降低开口率且具有电荷容量增大的电容器的半导体装置。该半导体装置包括具有透光性半导体膜的晶体管、介电膜设置在一对电极之间的电容器、设置在透光性半导体膜上的绝缘膜、以及设置在绝缘膜上的透光性导电膜。在电容器中，至少包含铟（In）或锌（Zn）且形成在与晶体管的透光性半导体膜同一表面上的金属氧化物膜用作一个电极，透光性导电膜用作另一个电极，并且，设置在透光性半导体膜上的绝缘膜用作介电膜。

公开(公告)号：CN102693755B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201210082547.1

申请日：2012-03-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 松林大介

IPC: G11C16/06 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/1052 ,  G11C8/10 ,  G11C11/404 ,  G11C11/405 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供了存储器设备和电子设备。对单独的存储器单元执行选择操作。设备包括第一存储器单元和与第一存储器单元设置在同一行中的第二存储器单元，它们各自包括具有第一栅极和第二栅极的场效应晶体管。场效应晶体管通过导通或截止来至少控制存储器单元中的数据写入和数据保持。该设备还包括：行选择线，电连接至包括在第一存储器单元和第二存储器单元中的场效应晶体管的第一栅极；第一列选择线，电连接至包括在第一存储器单元中的场效应晶体管的第二栅极；以及第二列选择线，电连接至包括在第二存储器单元中的场效应晶体管的第二栅极。

公开(公告)号：CN103415921A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201280012501.0

申请日：2012-02-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 松林大介

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1085 ,  C23C14/08 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11514 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L28/40 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种在面积上尽可能小并具有极长数据保持周期的存储装置。将具有极低漏电流的晶体管用作存储装置中的存储元件的单元晶体管。此外，为降低存储单元的面积，将该晶体管形成为使得其源极及漏极在位线及字线彼此相交的区域中在垂直方向上层叠。另外，将电容器堆叠在该晶体管之上。

公开(公告)号：CN116207143A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310258441.0

申请日：2013-11-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 松林大介 ,  篠原聪始 ,  关根航

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其中能够抑制随着晶体管的微型化而变得更显著的电特性的劣化。该半导体装置包括：氧化物半导体叠层，其中在衬底上从衬底一侧依次层叠有第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层及第三氧化物半导体层；接触于氧化物半导体叠层的源电极层及漏电极层；在氧化物半导体叠层、源电极层及漏电极层上的栅极绝缘膜；以及在栅极绝缘膜上的栅电极层。第一氧化物半导体层包括第一区域。栅极绝缘膜包括第二区域。在TS1表示第一区域的厚度且TG1表示第二区域的厚度时，TS1≥TG1。

公开(公告)号：CN110998808A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201880050764.8

申请日：2018-07-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  松林大介 ,  浅见良信

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括氧化物、位于氧化物上且彼此离开的第一导电体及第二导电体、位于第一导电体及第二导电体上且形成有重叠于第一导电体与第二导电体之间处的开口的第一绝缘体、位于开口中的第三导电体以及位于氧化物、第一导电体、第二导电体及第一绝缘体与第三导电体之间的第二绝缘体，该第二绝缘体在氧化物与第三导电体之间具有第一厚度并在第一导电体或第二导电体与第三导电体之间具有第二厚度，并且第一厚度比第二厚度小。

公开(公告)号：CN104823283B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201380061385.6

申请日：2013-11-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 松林大介 ,  篠原聪始 ,  关根航

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供一种半导体装置，其中能够抑制随着晶体管的微型化而变得更显著的电特性的劣化。该半导体装置包括：氧化物半导体叠层，其中在衬底上从衬底一侧依次层叠有第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层及第三氧化物半导体层；接触于氧化物半导体叠层的源电极层及漏电极层；在氧化物半导体叠层、源电极层及漏电极层上的栅极绝缘膜；以及在栅极绝缘膜上的栅电极层。第一氧化物半导体层包括第一区域。栅极绝缘膜包括第二区域。在TS1表示第一区域的厚度且TG1表示第二区域的厚度时，TS1≥TG1。

公开(公告)号：CN103415921B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201280012501.0

申请日：2012-02-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 松林大介

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

Abstract: 一种在面积上尽可能小并具有极长数据保持周期的存储装置。将具有极低漏电流的晶体管用作存储装置中的存储元件的单元晶体管。此外，为降低存储单元的面积，将该晶体管形成为使得其源极及漏极在位线及字线彼此相交的区域中在垂直方向上层叠。另外，将电容器堆叠在该晶体管之上。

公开(公告)号：CN106057802A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610671533.1

申请日：2012-03-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 松林大介

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/115 ,  H01L27/12 ,  G11C11/404 ,  G11C11/405

Abstract: 提供了存储器设备和电子设备。对单独的存储器单元执行选择操作。设备包括第一存储器单元和与第一存储器单元设置在同一行中的第二存储器单元，它们各自包括具有第一栅极和第二栅极的场效应晶体管。场效应晶体管通过导通或截止来至少控制存储器单元中的数据写入和数据保持。该设备还包括：行选择线，电连接至包括在第一存储器单元和第二存储器单元中的场效应晶体管的第一栅极；第一列选择线，电连接至包括在第一存储器单元中的场效应晶体管的第二栅极；以及第二列选择线，电连接至包括在第二存储器单元中的场效应晶体管的第二栅极。