公开(公告)号：CN88100501A

公开(公告)日：1988-08-10

申请号：CN88100501

申请日：1988-01-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 长谷川晴弘 ,  川辺潮 ,  樽谷良倍 ,  深泽德海 ,  会田敏之 ,  高木一正

IPC: H01B12/00 ,  H01L39/24

CPC classification number: H01L39/2419 ,  C04B35/4504 ,  H01L39/126 ,  Y10S505/729

Abstract: 一种高临界温度氧化物超导体，包括具有类钙钛矿晶体结构的K2NiF4晶体结构的氧化物，并由下式表示：(BaXSrzLa1-x-z)2Cu1-wAgwO4(1-y)其中0.1＜x+z＜0.3，W＝0，y≥0；或0≤x＜1，0≤z1，0＜w＜1，y≥0。一种至少具有CuO6八面体的CuO5五面体中之一的氧化物超导体，其中A3Cu3O7型氧化物超导体中包含Na，K，Rb，Cs或F原子。可利用助熔剂法制备复合氧化物超导体的单晶。

公开(公告)号：CN86101082A

公开(公告)日：1986-08-20

申请号：CN86101082

申请日：1986-02-06

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山本惠彦 ,  田口贞宪 ,  会田敏之 ,  渡部勇人 ,  川濑进

IPC: H01J1/14 ,  H01J1/20

CPC classification number: H01L29/515 ,  H01L29/42372

Abstract: 本发明涉及一种浸渍阴极，其特点是在浸渍阴极颗粒表面至少有两层薄膜：下层是由如Os、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Re、Mo、W、Ta等组成的高熔点金属薄膜；下层是含Sc2O3的高熔点金属层，并覆盖于下层之上。浸渍阴极颗粒是用电子发射材料浸渍难熔多孔主体而制成。本发明也涉及有此电极的电子管。此阴极表面有长时期稳定的低逸出功单原子层。