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公开(公告)号：CN102593167A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210001137.X
申请日：2012-01-04
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L25/07 , H02M1/00
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0661 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/4238 , H01L29/6634 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种半导体装置，能够在保持低损失和高耐压的同时，提高栅极驱动电路对在导通开关时间段中的dv/dt的控制性。该半导体装置设置有：第1导电型的第1半导体层(4)；在其表面附近形成的第2导电型的第2半导体层(2)；与其电连接的第1主电极(11)，与第1半导体层(4)邻接且在与第2半导体层(2)相反侧的表面附近形成的第2导电型的第3半导体层(6)；在其上部上选择性地设置的第1导电型的第4半导体层(7)；与第3半导体层(6)以及第4半导体层(7)电连接的第2主电极(14)；其侧面与第4半导体层(7)和第3半导体层(6)接触且达到第1半导体层(4)的沟槽(17)；沿着该侧面通过多晶硅的边壁形成的栅极电极(9)；以及在沟槽(17)内离开栅极电极(9)而设置且与第2主电极(14)电连接的多晶硅电极(18)。
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公开(公告)号：CN1866742B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610082444.X
申请日：2006-05-19
Applicant: 株式会社日立制作所 , 株式会社次世代PDP开发中心
IPC: H03K17/687 , G09G3/28 , G09G3/20 , H01J17/49 , G09F9/313
CPC classification number: G09G3/296 , G09G2330/028 , Y10T307/461
Abstract: 本发明提供一种小型、低损耗、低成本的负载驱动电路、集成电路以及低成本的等离子显示器。在根据切换命令对向负载3提供的电压进行高低切换的负载驱动电路中的主IGBT 21的栅-阴极间，向触发器5的输出级n型MOS晶体管521的源-漏间提供电压。为了保持该电压，上述触发器5的电源由主电源1或其被连接到固定电位点HVC的电荷泵电源电路8来提供。另外，为了保持电源HVA的电位比主电源1的正极HVC的电位高，设置了放电防止电路7或放电防止元件91、92。
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公开(公告)号：CN1145255C
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN00108684.7
申请日：2000-05-15
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H02M7/53871 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H02M7/003 , H02M2001/0009 , H01L2924/00014
Abstract: 为了高度精确地检测电力转换系统中的电流，将电感器串联到开关元件的主端子，并使用积分电路对切换时电感器的两端产生的电压积分，来检测电流。
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公开(公告)号：CN1304180A
公开(公告)日：2001-07-18
申请号：CN00137611.X
申请日：2000-12-08
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/045 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/732 , H01L29/7397 , H01L29/7722 , H01L29/7811 , H01L29/872
Abstract: 在具有第一端101(源端)和第二端102(漏端)的半导体器件中,半导体芯片的衬底主面在(110)面上,n型区2和p型区4在垂直于(110)面的{111}面,长条形的n型区2和长条形的p型区4相邻交替排列,形成电压保持区,所说的第二端101通过导线连接到所说的p型区,所说的第二端102连接到所说的n型区2。而且,形成所说p型区来覆盖栅多晶硅层8的底部拐角。
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公开(公告)号：CN102005956A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010583756.5
申请日：2007-07-19
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H02M7/003 , B60L3/003 , B60L3/12 , B60L11/123 , B60L11/14 , B60L11/18 , B60L15/007 , B60L2210/40 , B60L2240/525 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/4846 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H05K7/20927 , Y02T10/6217 , Y02T10/645 , Y02T10/7005 , Y02T10/7022 , Y02T10/7077 , Y02T10/7241 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明通过减小寄生电感来提供可靠性高的电力变换装置。具备：功率模块，其具有将直流电流变换为交流电流的功率半导体元件；电容器模块，其具有对直流电流进行平滑化的电容器元件；导体，其将功率模块和电容器模块电连接；和水路形成体，其形成致冷剂流动用的流路；功率模块配置在水路形成体的第一面，电容器模块按照与第一面夹持流路的方式配置在相反侧的水路形成体的第二面，导体具有在正极导体与负极导体之间夹持了绝缘薄板的层叠构造，并且，导体配置成从电容器元件与水路形成体的第二面之间的空间经由水路形成体的侧部到达功率模块。
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公开(公告)号：CN101471027A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810185248.4
申请日：2008-12-24
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G09G3/296 , G09G3/294 , G09G2320/0233 , G09G2330/021 , G09G2330/028
Abstract: 本发明提供等离子显示器装置和其驱动方法及驱动IC，实现在目前的具有单侧驱动的吸持电路的AC型PDP装置中不能实现的、吸持期间的电源Va的稳定化、进而抑制复位期间的Y电极和A电极之间的放电，正常地实现Y电极和X电极之间的正的钝波复位，并有效利用流入寻址电源的电力。在维持AC型PDP的发光的期间，设为将面板单侧的电极固定在一定的电位，且向面板的另一侧电极交替施加正负的电压来进行驱动的方式，具有将流入寻址电源的电力变换成其他电源的装置。能够提供没有亮度不均、低消耗电力且亮度寿命长的AC型PDP。
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公开(公告)号：CN101140953A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710152878.7
申请日：2000-12-08
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/045 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/732 , H01L29/7397 , H01L29/7722 , H01L29/7811 , H01L29/872
Abstract: 一种功率半导体器件，当在第一端和第二端之间加电压时，通过形成延伸穿过一部分半导体芯片的空间电荷区，在所说的第一端和第二端之间阻止电流流动：半导体芯片的衬底主面位于(110)面上，一对相对的侧边缘位于垂直于(110)面的{111}面上；形成有电压保持区，包括电连接到所说第二端的第一导电类型的第一区和电连接到所说第一端的第二导电类型的第二区；所说的第一导电类型的第一区和所说的第二导电类型的第二区之间的边界具有沿[110]轴方向延伸的形状；当在所说的第一端和所说的第二端之间的电流流动受阻时，在包括所说的第一导电类型的第一区和所说的第二导电类型的第二区的所说的电压保持区中，形成交替排列的正负空间电荷区。
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公开(公告)号：CN101110555A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710137063.1
申请日：2007-07-19
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H02M7/003 , B60L3/003 , B60L3/12 , B60L11/123 , B60L11/14 , B60L11/18 , B60L15/007 , B60L2210/40 , B60L2240/525 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/4846 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H05K7/20927 , Y02T10/6217 , Y02T10/645 , Y02T10/7005 , Y02T10/7022 , Y02T10/7077 , Y02T10/7241 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明通过减小寄生电感来提供可靠性高的电力变换装置。具备：具有直流端子的电容器模块；将直流电流变换为交流电流的逆变器；和用于冷却逆变器的散热片，逆变器具有具备多个功率半导体元件的功率模块，功率模块具备金属基底、设置于金属基底的一个面的绝缘基板；固定于绝缘基板的功率半导体元件和直流端子，在金属基底的另一个面设置有散热片，功率模块的直流端子和电容器模块的直流端子分别构成为隔着绝缘物层叠平板导体，并且构成为使正负的直流端子的前端部在彼此相反方向上弯曲，将该弯曲的面作为功率模块和电容器模块的连接面，在该连接面中使各个绝缘彼此重叠。
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公开(公告)号：CN100338771C
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN03109521.6
申请日：2003-04-08
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 在包括半导体元件，覆盖半导体的电绝缘盖，以及分别电连接到半导体元件的至少第一和第二导电端子的半导体装置中，第一导电端子具有第一端子凸起从盖的第一表面突出并且包括第一终止端和第一根源端，第二导电端子具有第二端子凸起从盖的第二表面突出并且包括第二终止端和第二根源端，在沿着平行于突出方向的虚平面而获得的断面图中，盖具有盖凸起和盖凹槽中至少一个，盖凸起突出到高于第一和第二终止端高度的高度，盖凹槽的底部相对于盖的第一和第二表面凹陷。
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公开(公告)号：CN1050226C
公开(公告)日：2000-03-08
申请号：CN96103944.2
申请日：1996-03-08
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/092 , H01L29/74
CPC classification number: H01L29/7455 , H01L29/102 , H01L29/749
Abstract: 本发明为一种复合半导体装置，包括串联在一起的一个MIS场效应管和一个可控硅，这里，或者把MIS场效应管的p基极层和可控硅p基极层之间的可承受电压设置成低于该MIS场效应管的可承受电压，在MIS场效应管的p基极层和可控硅p基极层通过-p通道连接的条件下使该MIS场效应管“断掉”，或者减小该可控硅p基极层的侧向电阻，从而扩展了该复合半导体装置的安全操作区间。
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