陶瓷基板的制造方法、陶瓷基板以及模块

    公开(公告)号:CN111096090A

    公开(公告)日:2020-05-01

    申请号:CN201880060686.X

    申请日:2018-09-10

    Abstract: 本发明的陶瓷基板的制造方法中,陶瓷基板具备,具有陶瓷层的基板主体与设置于基板主体一个主面的柱状的突起电极,陶瓷基板的制造方法具备如下工序:准备将会成为陶瓷层的陶瓷生片;准备用于形成突起电极的电极形成用片;在电极形成用片上形成贯通孔,并将含有第1导电性粉末的第1导电性糊料填充于贯通孔;层叠陶瓷生片,并且在陶瓷生片的层叠体的一个主面上层叠将第1导电性糊料填充于贯通孔而得的电极形成用片,来制成复合层叠体;以及以陶瓷生片烧结的温度,对复合层叠体进行烧制,其中,第1导电性粉末包含导电性金属与抑制导电性金属的粒子烧结的烧结抑制陶瓷,并且在导电性金属的粒子的表面的至少局部覆盖烧结抑制陶瓷。

    多层陶瓷基板及电子装置
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109156083A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201780030766.6

    申请日:2017-04-25

    Inventor: 藤田诚司

    Abstract: 本发明的多层陶瓷基板具有由位于表面的表层部与位于比上述表层部靠内侧的内层部构成的层叠构造,在上述表层部的表面设置有表层电极,其特征在于,上述表层部包括与上述内层部相邻的第一层,上述内层部包括与上述第一层相邻的第二层,上述第一层的热膨胀系数小于上述第二层的热膨胀系数,构成上述第一层及上述第二层的材料均包括:包含40重量%以上且65重量%以下的MO(其中,MO是从由CaO、MgO、SrO及BaO构成的组中选择的至少一种)的玻璃;氧化铝;以及从由CuO及Ag2O构成的组中选择的至少一种金属氧化物,上述氧化铝的含有量相对于上述玻璃及上述氧化铝的合计重量为35重量%以上且60重量%以下,上述金属氧化物的含有量相对于上述玻璃及上述氧化铝的合计重量为1重量%以上且10重量%以下。

    陶瓷基板的制造方法、陶瓷基板以及模块

    公开(公告)号:CN111096090B

    公开(公告)日:2023-04-21

    申请号:CN201880060686.X

    申请日:2018-09-10

    Abstract: 本发明的陶瓷基板的制造方法中,陶瓷基板具备,具有陶瓷层的基板主体与设置于基板主体一个主面的柱状的突起电极,陶瓷基板的制造方法具备如下工序:准备将会成为陶瓷层的陶瓷生片;准备用于形成突起电极的电极形成用片;在电极形成用片上形成贯通孔,并将含有第1导电性粉末的第1导电性糊料填充于贯通孔;层叠陶瓷生片,并且在陶瓷生片的层叠体的一个主面上层叠将第1导电性糊料填充于贯通孔而得的电极形成用片,来制成复合层叠体;以及以陶瓷生片烧结的温度,对复合层叠体进行烧制,其中,第1导电性粉末包含导电性金属与抑制导电性金属的粒子烧结的烧结抑制陶瓷,并且在导电性金属的粒子的表面的至少局部覆盖烧结抑制陶瓷。

    多层陶瓷基板以及电子装置

    公开(公告)号:CN110024498B

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN201780073556.5

    申请日:2017-11-14

    Inventor: 藤田诚司

    Abstract: 本发明的多层陶瓷基板具有由位于表面的表层部和位于比上述表层部靠内侧的内层部构成的层叠构造,在上述表层部的表面设置有表层电极,上述多层陶瓷基板的特征在于,上述表层部包含与上述内层部相邻的第一层,上述内层部包含与上述第一层相邻的第二层,上述第一层的孔隙率为13%以下,最大孔隙直径为10μm以下,上述第二层的孔隙率为14%以下,最大孔隙直径为11μm以下。

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