公开(公告)号：JPWO2020194810A1

公开(公告)日：2021-12-23

申请号：JP2019040421

申请日：2019-10-15

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 福光 政和 ,  樋口 敬之

IPC: H03H3/007 ,  H03H9/24

Abstract: 共振子の振動空間における真空度の低下を抑制することのできる共振装置及び共振装置製造方法を提供する。共振装置1は、共振子10を含むMEMS基板50と、MEMS基板50に対向する面に酸化ケイ素膜L31を含む上蓋30と、共振子10の振動空間を封止するように、MEMS基板50と上蓋30とを接合する接合部60と、を備え、酸化ケイ素膜L31は、上蓋30を平面視したときに振動空間の周囲の少なくとも一部に形成され、上蓋30の裏面まで貫通する貫通孔TH1を含み、貫通孔TH1は、第1金属層80を含む。

公开(公告)号：JPWO2019159410A1

公开(公告)日：2021-01-14

申请号：JP2018034266

申请日：2018-09-14

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 福光 政和 ,  出原 健太郎

IPC: H03H9/24 ,  H03H3/02 ,  H01L23/02 ,  H03H9/02

Abstract: 共振子の振動空間を高真空に保つことができる共振装置及び共振装置製造方法を提供する。 共振装置1は、共振子を含むMEMS基板50と、上蓋30と、共振子10の振動空間を封止するように、MEMS基板50と上蓋30とを接合する接合部60と、を備え、接合部は、MEMS基板50側から上蓋30側にかけて連続して設けられる、ゲルマニウムとアルミニウムを主成分とする金属との共晶合金で構成された共晶層65、第1チタン層63、第1アルミニウム酸化膜62、及び、第1導電層61を含む。

公开(公告)号：JP6628212B2

公开(公告)日：2020-01-08

申请号：JP2017552328

申请日：2016-10-31

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 梅田 圭一 ,  岸 武彦 ,  山田 宏 ,  福光 政和

IPC: H03H9/24

公开(公告)号：JPWO2017090380A1

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：JP2016082310

申请日：2016-10-31

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 梅田 圭一 ,  岸 武彦 ,  山田 宏 ,  福光 政和

IPC: H03H9/24

CPC classification number: H03H3/0072 ,  H03H3/0077 ,  H03H3/04 ,  H03H9/0561 ,  H03H9/0595 ,  H03H9/1057 ,  H03H9/2489 ,  H03H2003/0435

Abstract: パッケージ化された共振装置において、共振周波数の調整を行う。 縮退していないシリコンから成る下蓋と、縮退したシリコンから成り、下蓋 と対向する下面を有する基板と、当該基板に積層された第1電極層及び第2電極層と、第1電極層及び第2電極層の間に形成され、第1電極層を介して基板の上面と対向する面を有する圧電膜と、を有する共振子と、共振子を間に挟んで下蓋と対向する上蓋とを備え、基板の下面は、当該基板の下面における他の領域よりも表面に形成されている凹凸の深さないし高さが大きい領域、又は凹凸が占める面積が大きい領域である調整部を有する。

公开(公告)号：JP5915743B2

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：JP2014522607

申请日：2013-06-24

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 福光 政和 ,  芳井 義治

IPC: H01L33/62 ,  H05K3/34 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L23/60 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L33/62 ,  H05F3/00 ,  H05K3/421 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/0002 ,  H01L33/486 ,  H05K1/0259 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/113 ,  H05K2201/10106

公开(公告)号：JP2015123547A

公开(公告)日：2015-07-06

申请号：JP2013270096

申请日：2013-12-26

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 福光 政和

IPC: B81C3/00 ,  B81B7/02

Abstract: 【課題】シリコン活性層にシリコン酸化膜を形成し温度特性を改善するとともに、製造過程におけるシリコン酸化膜の破断を防止したシリコン酸化膜を備えたウエハ、電子部品、ウエハの製造方法及び電子部品の製造方法を提供する。 【解決手段】ウエハ1は、ボックス層11と、ハンドル層12と、からなる。ボックス層11は、シリコン活性層13とシリコン酸化膜14とを備え、シリコン活性層13の下層にシリコン酸化膜14を形成して構成される。ハンドル層12は、シリコンにより形成され、中央部に凹状のキャビティCを形成してなる。ボックス層11を構成するシリコン酸化膜14は、切欠き15を有する。切欠き15は、シリコン活性層13を加工した際に形成される溝Gと、キャビティCとを連通させる位置に形成される。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供一种具有形成在硅有源层上的氧化硅膜并具有这样的氧化硅膜的晶片，其温度特性得到改善，并且在制造过程中防止了氧化硅膜的断裂，从而提供电子部件 提供晶片的制造方法，并提供电子部件的制造方法。解决方案：晶片1包括盒层11和手柄层12.盒层11包括硅有源层13 以及氧化硅膜14，使得氧化硅膜14形成在硅有源层13的下层上。手柄层12由硅形成，使得在中心部分上形成凹腔C。 构成盒层11的氧化硅膜14具有凹口15.凹槽15形成在处理硅有源层13时形成的沟槽G和空腔C连通的位置。