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公开(公告)号：CN102486696A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201110032825.8
申请日：2011-01-26
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明提供一种特别是相对于压入荷重等的纵向的耐久性优异，难以发生断线或经时的电阻增加，可靠性高的触摸板传感器，其具有透明导电膜和与所述透明导电膜连接的布线，所述布线以从基板侧开始的顺序，由高熔点金属膜、Al合金膜和高熔点金属膜构成，所述Al合金膜含有0.05～1原子％的稀土元素，并且，硬度为2～3.5GPa，在Al合金组织中存在的晶界三重点的密度为2×108个/mm2以上。
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公开(公告)号：CN101691657A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910132939.2
申请日：2009-03-31
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C21/00 , C22F1/04
Abstract: 本发明提供一种能减少溅射靶在使用初始阶段产生的飞溅，由此防止配线膜等中产生的缺陷，提高FPD的成品率和动作性能的Al-(Ni，Co)-(Cu，Ge)-(La，Gd，Nd)系合金溅射靶及其制造方法。本发明涉及构成分别含有选自A组(Ni，Co)中的至少一种、选自B组(Cu，Ge)中的至少一种和选自C组(La，Gd，Nd)中的至少一种的Al-(Ni，Co)-(Cu，Ge)-(La，Gd，Nd)系合金溅射靶，并且其维氏硬度(HV)为35以上的Al-基合金溅射靶。
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公开(公告)号：CN103548420B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280024692.2
申请日：2012-05-18
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: H01L27/3276 , C22C21/00 , H01L27/3248 , H01L51/5218
Abstract: 提供一种配线结构，其具有具备Al合金膜的有机EL显示器用的反射阳极电极，该Al合金膜耐久性优异，即便使Al反射膜直接与有机层连接，也能够确保稳定的发光性能，而且可以实现高成品率。本发明涉及在基板上具有构成有机EL显示器用的反射阳极电极的Al合金膜，和含发光层的有机层的配线结构，其中，所述Al合金膜含有特定的稀土类元素为0.05～5原子％，在所述Al合金膜上直接连接有所述有机层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103403214A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280010495.5
申请日：2012-02-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C14/14 , C22C21/00 , C22F1/00 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: C22C21/00 , C22F1/04 , C23C14/165 , C23C14/185 , C23C14/3414 , H01L21/28008 , H01L21/2855 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种高温耐热性优良，膜自身的电阻（配线电阻）也低，且碱环境下的耐蚀性也优良的显示装置用Al合金膜。本发明涉及一种Al合金膜，其含有Ge（0.01～2.0原子%）和X组元素（Ta、Ti、Zr、Hf、W、Cr、Nb、Mo、Ir、Pt、Re及/或Os），且对进行450～600℃的加热处理时的含有Al、X组元素及Ge的析出物中的当量圆直径为50nm以上的析出物的密度进行控制。
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公开(公告)号：CN102486695A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010625209.9
申请日：2010-12-24
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明提供一种尤其相对于横方向耐久性优异，难以引起断线及经时的电阻的增加，可靠性高的触摸面板传感器。本发明的触摸面板传感器，其具有透明导电膜及与所述透明导电膜连接的布线，布线自基板侧按顺序由高融点金属膜、Al合金膜、高融点金属膜构成，Al合金膜含有0.05～5原子％的稀土元素，且，杨氏模量为80～200GPa，晶粒的规定方向切线直径(Feret直径)的最大值为100～350nm。
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公开(公告)号：CN101542696B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200780044289.5
申请日：2007-11-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/3205 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供显示装置用Al合金膜、使用该Al合金膜的显示装置及显示装置用的溅射靶材，所述显示装置用Al合金膜在基板上与导电性氧化膜直接连接，Al合金膜含有Ge0.05～0.5原子％，含有Gd及/或La合计为0.05～0.45原子％。本发明的Al合金膜未设置阻挡金属，即使导电性氧化膜和Al合金膜直接连接，导电性氧化膜和Al合金膜之间的粘接性也很高、接触电阻率低，优选干法刻蚀性能优异。
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公开(公告)号：CN101335294A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810128672.5
申请日：2008-06-23
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/45 , H01L29/786 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/124 , H01L29/458
Abstract: 提供一种即使减少Al合金中的合金元素，仍能够降低与透明氧化物导电膜的接触阻抗的低接触阻抗型电极，和用于制造这种电极的有用的方法，以及具有这种电极的显示装置。本发明的低接触阻抗型电极，在与氧化物透明导电膜直接接触的由Al合金膜构成的低接触阻抗型电极中，所述Al合金膜以0.1～1.0原子％的比例含有比Al离子化倾向小的金属元素，且Al合金膜与氧化物透明电极直接接触的Al合金膜表面，形成有以最大的高粗糙度Rz计为5nm以上的凹凸。
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公开(公告)号：CN103733310B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280035317.8
申请日：2012-07-19
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L23/53223 , H01L21/28525 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/76841 , H01L21/76867 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/401 , H01L29/456 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体元件，即使在制造工序等中暴露于高温下的情况下，也能抑制半导体区与电极之间的原子的相互扩散，并且抑制界面电阻上升。本发明的半导体元件具备包含硅的半导体区、包含铝的电极、以及介于所述半导体区与电极之间并且含有锗的防扩散层，所述防扩散层的至少一部分的锗含量为4原子％以上。
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