发光二极管
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104823289A

    公开(公告)日:2015-08-05

    申请号:CN201380061962.1

    申请日:2013-11-28

    Inventor: 高敏镇

    Abstract: 本发明涉及发光二极管、制造其的方法及其用途。本申请可以提供具有极佳的初始光输出以及极佳的颜色均匀度和色散的发光二极管、制造该发光二极管的方法及其用途。根据本申请实施方案的发光二极管包含:发光二极管芯片;在该发光二极管芯片上的第一聚硅氧烷膜层,第一聚硅氧烷膜层包含磷光体;以及在该第一聚硅氧烷膜层上的第二聚硅氧烷膜层,第二聚硅氧烷膜层包含磷光体,并且在不包含该磷光体的状态下具有与第一聚硅氧烷膜层相比更低的折射率。

    发光二极管
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104813491A

    公开(公告)日:2015-07-29

    申请号:CN201380061906.8

    申请日:2013-11-28

    Inventor: 高敏镇

    Abstract: 本发明涉及发光二极管、制造其的方法及其用途。本申请可以提供具有极佳的初始光输出以及极佳的颜色均匀度和色散的发光二极管、制造该发光二极管的方法及其用途。根据本申请实施方案的发光二极管包含:发光二极管芯片;在该发光二极管芯片上的第一聚硅氧烷膜层;以及在该第一聚硅氧烷膜层上的第二聚硅氧烷膜层,第二聚硅氧烷膜层包含磷光体,并且在不包含该磷光体的状态下具有与第一聚硅氧烷膜层相比更低的折射率。

    发光二极管
    20.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104813491B

    公开(公告)日:2019-01-11

    申请号:CN201380061906.8

    申请日:2013-11-28

    Inventor: 高敏镇

    Abstract: 本发明涉及发光二极管、制造其的方法及其用途。本申请可以提供具有极佳的初始光输出以及极佳的颜色均匀度和色散的发光二极管、制造该发光二极管的方法及其用途。根据本申请实施方案的发光二极管包含:发光二极管芯片;在该发光二极管芯片上的第一聚硅氧烷膜层;以及在该第一聚硅氧烷膜层上的第二聚硅氧烷膜层,第二聚硅氧烷膜层包含磷光体,并且在不包含该磷光体的状态下具有与第一聚硅氧烷膜层相比更低的折射率。

Patent Agency Ranking