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公开(公告)号：JP2017001951A
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2016199466
申请日：2016-10-07
Applicant: 株式会社SUMCO
IPC: C30B29/06
CPC classification number: Y02P40/57
Abstract: 【課題】長時間の高温条件下で使用しても、変形が抑制されるシリカガラスルツボを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供すること。 【解決手段】本発明は、上端が開口し鉛直方向に延びる略円筒形の直胴部、湾曲した底部、及び前記直胴部と前記底部とを連結し且つ前記底部よりも曲率が大きいコーナー部を備えるシリカガラスルツボを用いたシリコン単結晶の製造方法であって、シリカガラスルツボは、内側に透明層、及びその外側に気泡層を備え、透明層の内表面側に圧縮応力が残留する圧縮応力層と、圧縮応力層と0.17MPa/mm以上、1.5MPa/mm以下の応力変化率で隣接している、引張応力が残留する引張応力層と、を備え、このシリカガラスルツボに多結晶シリコンを投入し、多結晶シリコンを熔融させ、多結晶シリコンの融液にシリコン種結晶の端部を浸けて回転させながら引き上げる、ことを特徴とする。 【選択図】図1
Abstract translation: 在长期高温条件A被使用，以用于使用所述石英玻璃坩埚变形被抑制的制造硅单晶的方法。 本发明涉及一种延伸到所述开口和垂直方向上，弯曲的底部部分，并且所述直体部以及连接所述底部部分和所述底部的曲率的大致圆筒状的上端的直体部分比部分大的角部 用于制造使用与石英玻璃坩埚的石英玻璃坩埚的硅单晶的方法是在内侧的透明层，并且包括在外侧的气泡层，压缩压缩应力残留在该透明层的内表面侧 和应力层，所述压缩应力层和0.17兆帕/ mm以上，在低于1.5兆帕/毫米的应力变化率相邻，具有拉伸应力层的拉伸应力残留，在二氧化硅玻璃坩埚的多晶硅 它被充电时，多晶硅熔化，同时拉与在多晶硅的熔融硅晶种，其特征在于的端部旋转。 1点域
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公开(公告)号：JP2015163588A
公开(公告)日：2015-09-10
申请号：JP2015097795
申请日：2015-05-13
Applicant: 株式会社SUMCO
Abstract: 【課題】シリカガラスルツボの表面粗さの三次元分布を高精度に決定する方法を提供する。 【解決手段】本発明によれば、シリカガラスルツボの内表面に沿って非接触で内部測距部を移動させ、移動経路上の複数の測定点において、内部測距部からシリカガラスルツボの内表面に対して斜め方向にレーザー光を照射し、レーザー光の反射光をレーザー変位計で測定して2つのピークが観測されるように内部測距部と内表面との距離やレーザー光の出射方向を変化させて、2つのピークのうちの内表面側のピークの位置によって内部測距部と内表面との間の内表面距離を測定し、各測定点の三次元座標と、内表面距離を関連付けることによって、シリカガラスルツボの内表面の三次元形状を求め、この三次元形状上の複数の測定点において内表面の表面粗さを測定することによって、内表面の表面粗さの三次元分布を決定する工程を備える。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供二氧化硅玻璃坩埚的表面粗糙度的三维分布的高精度的测定方法。解决方案：根据本发明，提供一种表面粗糙度的三维分布的确定方法， 内表面包括以非接触方式沿着石英玻璃坩埚的内表面移动内部测距部分的步骤; 在运动路线上的多个测量点沿倾斜方向从内部测距部分发射激光束到石英玻璃坩埚的内表面; 改变内部测距部分和内部表面之间的距离或激光束的发射方向，使得可以通过使用激光位移测量法来测量激光束的反射光来观察两个峰值，使得内部距离 在两个峰之间的内表面侧的峰位置测量内表面; 通过将每个测量点的三维坐标与内表面距离相关联来确定石英玻璃坩埚的内表面的三维形状; 并且通过在该三维形状的多个测量点处测量内表面的表面粗糙度来确定内表面的表面粗糙度的三维分布。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：JP2019119621A
公开(公告)日：2019-07-22
申请号：JP2017253109
申请日：2017-12-28
Applicant: 株式会社SUMCO
Abstract: 【課題】シリカガラスルツボのガラス構造を非破壊で測定して、シリコン単結晶の引き上げ時に転位の発生を抑制することができるシリカガラスルツボを高精度に見極めること。 【解決手段】本発明のシリカガラスルツボの評価方法は、結晶層の表面のラマンスペクトルである第1ラマンスペクトルを取得する工程と、結晶層と非結晶層との界面における結晶層側のラマンスペクトルである第2ラマンスペクトルを取得する工程と、結晶層と非結晶層との界面における非結晶層側のラマンスペクトルである第3ラマンスペクトルを取得する工程と、第1ラマンスペクトルには鉱化剤に起因するラマンシフトのピークが存在しないこと、および第2ラマンスペクトルには鉱化剤に起因するラマンシフトのピークが存在することによってシリカガラスルツボの良否を判定する工程と、を備える。 【選択図】図9
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公开(公告)号：JP2017154971A
公开(公告)日：2017-09-07
申请号：JP2017117367
申请日：2017-06-15
Applicant: 株式会社SUMCO
Abstract: 【課題】初期液面を高精度に特定して、高精度なシリコン単結晶の引き上げを可能にするシリコン単結晶の製造方法を提供する。 【解決手段】本発明の一態様に係るシリコン単結晶の製造方法は、円筒状の側壁部を備え、内表面側に透明シリカガラス層、外表面側に気泡含有シリカガラス層を有するシリカガラスルツボ内に多結晶シリコンを充填し、多結晶シリコンを熔融して得られたシリコン融液に種結晶を接触させた後に種結晶を引き上げる工程を備える。種結晶をシリコン融液に接触させる前のシリコン融液の液面の高さ位置は、多結晶シリコンの質量とシリカガラスルツボの内表面の三次元形状に基づいて決定される。内表面の三次元形状は、内表面に対して斜め方向にレーザー光を照射し、反射光をレーザー変位計で測定して、2つのピークのうちの内表面側のピークの位置によって内表面距離を測定し、各測定点の三次元座標と関連付けることによって決定される。 【選択図】図2
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