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公开(公告)号：CN107055610A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710397769.5
申请日：2017-05-31
Applicant: 济南大学
IPC: C01G29/00
CPC classification number: C01G29/006 , C01P2004/03 , C01P2004/32 , C01P2004/52 , C01P2004/62
Abstract: 本发明公开了一种制备均匀纳米微球Na0.5Bi0.5TiO3晶体的方法，本发明所述方法以金属盐为原料，加入有机溶剂制得混合溶液，再加入碱性水溶液制备钛和铋的羟基氧化物沉淀作为反应物，加入适宜的氢氧化钠水溶液制得浆液，提供Na源并促进晶化，于175~185℃下保温23‑25h，水热反应得到钛酸铋钠纳米级均匀微球，其典型特征尺度球体直径约为100‑150nm。本发明实现了钛酸铋钠纳米微球的合成，微球呈完美球形分布且均匀程度极高，球体半径容易控制，且工艺过程实施很方便，对实验设备要求不高，成本低，污染小，易于实现规模化生产。该产品可用于制备高性能压电铁电陶瓷，在探测器、换能器、电光器件、光伏器件、机电耦合器件等领域前景无限。
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公开(公告)号：CN104129981B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201410393881.8
申请日：2014-08-12
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种制备Bi5Ti3Fe0.5Co0.5O15多铁性薄膜的方法，步骤包括：配制浓度为0.05mol/L~0.2mol/L的前驱体溶液；将前驱体溶液涂在(111)Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上，以3500-5500rpm的速度甩膜，沉积厚度为40-60nm的单层薄膜；对单层薄膜进行热处理，然后重复甩膜、热处理步骤，直至得到厚度300~500nm的多铁性薄膜。本发明方法实施很方便，对实验设备要求不高，成本低，所得薄膜晶粒尺寸大，具有优良的介电、电学和磁学性能，适合研制高密度的非挥发性存储器件以及其他磁电耦合器件。
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公开(公告)号：CN103346255B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201310258989.1
申请日：2013-06-26
Applicant: 济南大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种异质结，包括衬底和在衬底上外延生长的一层铁电薄膜，所述衬底为n型或p型掺杂硅半导体，所述铁电薄膜为SrTiO3薄膜。本发明还公开了一种铁电隧道结，包括上述异质结，所述异质结的铁电薄膜表面覆有上电极，异质结的铁电薄膜作为铁电隧道结的势垒层，异质结的衬底作为铁电隧道结的下电极。本发明还公开了它们的制备和应用。本发明异质结实现了钛酸锶与非本征硅的直接外延生长，表现出了稳定的极化翻转特性，制成隧道结可电调制势垒的高度而且可电调制势垒的宽度，从而大大提高了隧道电阻。
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公开(公告)号：CN103325942A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310254038.7
申请日：2013-06-24
Applicant: 济南大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种铁电隧道结器件，包括依次堆叠的一层N型半导体薄膜、一层铁电薄膜和一层P型半导体薄膜；其中N型半导体薄膜上连接有第一电极，而在P型半导体薄膜上连接有第二电极，并且第一电极和第二电极为同样的半导体材料基于不同的掺杂而形成，其中，第一电极为P型半导体电极，第二电极为N型半导体电极。依据本发明克服现有FTJ器件由于金属电极中屏蔽长度短的限制，实现大的开关比和长久的保持性。
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公开(公告)号：CN110676328A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910899167.9
申请日：2019-09-23
Applicant: 济南大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种功函驱动三明治结构铁电光伏器件及其制备方法，该光伏器件包括基底，所述基底上覆有BFCO层，所述BFCO层上覆有Pt层；所述BFCO层为外延生长的BiFe0.7Co0.3O3-δ薄膜。本发明巧妙地利用Co元素和氧空位掺杂增加BFCO层的吸光效率，利用Pt和NSTO电极的大的功函数差值引起的大的内建电势协同铁电退极化场，促进了光生电子空穴对的分离和高效收集，有效提高了铁电光伏器件的PCE。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110563048A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910899704.X
申请日：2019-09-23
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种高分子辅助外延生长BiFeO3多铁性薄膜的方法，包括：配制前驱体溶液，在(100)SrTiO3或(100)Nb:SrTiO3衬底上，采用层层退火工艺制备薄膜，每层薄膜制备时的温度为70-90℃，甩膜时的湿度为11-20%。本发明方法实施很方便，原料化学计量比可精确控制，对实验设备要求不高，成本低，所得薄膜外延程度高，具有较大的室温电极化强度、较低的室温漏电流密度，结构致密、均匀，在局部小区域来看具有单晶的性能，具有优良的介电、电学和磁学性能，适合研制高密度的非挥发性存储器件以及其他磁电耦合器件。
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公开(公告)号：CN104045335A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410309940.9
申请日：2014-07-02
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种择优取向生长的Bi5Ti3FeO15多铁性薄膜的制备方法，包括以下步骤：以(111)Pt/Ti/SiO2/Si为衬底，在衬底上先采用溶胶凝胶法沉积CoFe2O4薄膜作为种子层，然后在种子层上再采用溶胶凝胶法沉积Bi5Ti3FeO15薄膜，所得Bi5Ti3FeO15薄膜在c轴择优取向生长。本发明采用溶胶-凝胶法，在(111)Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上实现层状钙钛矿型Bi5Ti3FeO15多铁性薄膜的择优取向生长。该方法所制备的薄膜性能优异，用X射线定量估算c轴择优取向薄膜的择优取向度高达90%，适合研制高密度的非挥发性存储器件以及其他磁电耦合器件。
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公开(公告)号：CN102244192B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201110123826.3
申请日：2011-05-13
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于钛酸铋钠基和铁酸铋基的复合固溶体薄膜及其制备方法，该薄膜以通式(1-x)Na0.5(Bi0.95Ce0.05)0.5TiO3-xBiFe0.97Mn0.03O3表示，所述钛酸铋钠基为Na0.5(Bi0.95Ce0.05)0.5TiO3，所述铁酸铋基为BiFe0.97Mn0.03O3；其中，x为BiFe0.97Mn0.03O3的摩尔含量，0
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公开(公告)号：CN110676328B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201910899167.9
申请日：2019-09-23
Applicant: 济南大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种功函驱动三明治结构铁电光伏器件及其制备方法，该光伏器件包括基底，所述基底上覆有BFCO层，所述BFCO层上覆有Pt层；所述BFCO层为外延生长的BiFe0.7Co0.3O3‑δ薄膜。本发明巧妙地利用Co元素和氧空位掺杂增加BFCO层的吸光效率，利用Pt和NSTO电极的大的功函数差值引起的大的内建电势协同铁电退极化场，促进了光生电子空穴对的分离和高效收集，有效提高了铁电光伏器件的PCE。
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公开(公告)号：CN110563048B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201910899704.X
申请日：2019-09-23
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种高分子辅助外延生长BiFeO3多铁性薄膜的方法，包括：配制前驱体溶液，在(100)SrTiO3或(100)Nb:SrTiO3衬底上，采用层层退火工艺制备薄膜，每层薄膜制备时的温度为70‑90℃，甩膜时的湿度为11‑20%。本发明方法实施很方便，原料化学计量比可精确控制，对实验设备要求不高，成本低，所得薄膜外延程度高，具有较大的室温电极化强度、较低的室温漏电流密度，结构致密、均匀，在局部小区域来看具有单晶的性能，具有优良的介电、电学和磁学性能，适合研制高密度的非挥发性存储器件以及其他磁电耦合器件。
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