一种多功能气体传感器测试系统

    公开(公告)号:CN105021777A

    公开(公告)日:2015-11-04

    申请号:CN201510464290.X

    申请日:2015-07-31

    Applicant: 湖北大学

    CPC classification number: G01N33/0006 G05D27/02

    Abstract: 本发明公开一种多功能气体传感器测试系统,包括配气机构与配气室、测试室、控制系统、测试机构、真空泵;配气机构用于向配气室内配制标准浓度气体和背景气体,测试室内存储有配置好标准浓度测试气体并用于测试标准待测气体浓度下的传感器敏感特性;控制系统用于控制配气室和测试室内的气体配置,包括温湿度控制、气压或真空度控制、气体的质量流量控制、各气路电磁阀的通断控制、真空泵的启停控制、搅拌风扇的启停控制、被测传感器的测试过程控制。该测试系统不仅能够通过自动化配置标准浓度气体实现传感器与标准气体的快速接触,还控制传感器测试环境的温度和湿度,也可实现多个传感器电学型气体响应、单个传感器光学型气体响应的同步测试。

    一种氧化钼纳米纤维纸及其制备方法

    公开(公告)号:CN104909407A

    公开(公告)日:2015-09-16

    申请号:CN201510308204.6

    申请日:2015-06-08

    Applicant: 湖北大学

    Abstract: 本发明涉及一种氧化钼纳米纤维纸及其制备方法,属于无机纳米功能材料技术领域。本发明旨在采用水热法和自组装技术在疏水性衬底上大面积制备出氧化钼纳米纤维纸。采用本发明水热法制备得到的氧化钼纳米纤维尺寸均一,可重复性高,单根氧化钼纳米带长度可达500um以上,利用该氧化钼纳米纤维自组装的纤维纸生长规律,柔性好,实用性强,具有优良的均一性和可重复性,柔性好,可应用于光电、环境净化处理等方面。另外,本发明的制备方法原料用量少,产量高,生产周期短,并且制备方法简单、成本低,适合产业化应用和大批量生产。

    一种氧化钼纳米带/石墨烯复合材料及其在制备氢气敏感元件方面的应用

    公开(公告)号:CN104777197A

    公开(公告)日:2015-07-15

    申请号:CN201510162163.4

    申请日:2015-04-08

    Applicant: 湖北大学

    Abstract: 本发明涉及一维纳米金属氧化钼纳米带/石墨烯复合半导体材料的制备方法,以氧化石墨烯和Na2MoO4·2H2O为原料,采用一步水热方法制备出了氧化钼纳米带/石墨烯复合材料,该方法工艺简单,可控性高,制备周期短,产量高,成本低廉,克服了传统氧化钼纳米带/石墨烯复合材料制备重复性差,性能不稳定的缺点。另外,本发明还通过一种简单的方法将超声分散后的氧化钼纳米带/石墨烯复合材料涂覆在叉指电极上,制备出了性能优异的氢气敏感元件,该氢气敏感元件室温下对低浓度氢气对于1000ppm(0.1%,体积分数)氢气的响应时间仅为10.6s,灵敏度约为95%,表现出高灵敏、快速响应和回复时间短的优点。

    金属Pd纳米颗粒阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN104131260A

    公开(公告)日:2014-11-05

    申请号:CN201410347428.3

    申请日:2014-07-21

    Applicant: 湖北大学

    Abstract: 本发明提供一种金属Pd纳米颗粒阵列的可控制备方法,包括将选取的溅射基片置于真空磁控溅射设备内,控制溅射室内真空度为10-4量级时,向溅射室充保护气体,调节流量计至保护气体的流量显示为10-15sccm;当磁控溅射设备的真空度为1-5Pa时,打开直流溅射总电源使靶逐渐起辉,起辉后调节闸板阀,使磁控溅射设备的真空度为0.5-7Pa,控制功率为30-80W进行溅射,溅射时间为1-5S;将得到的钯连续薄膜基片在真空度为0.1-1Torr的条件下进行加热,以4-10℃/min的速率加热钯连续薄膜基片,然后升温至200-800℃并在此温度下保持30-90min,即可获得退火后的钯纳米颗粒阵列。

    孔间距和孔直径可独立调节的Si纳米孔阵列模板的制备方法

    公开(公告)号:CN101949017B

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201010289475.9

    申请日:2010-09-19

    Applicant: 湖北大学

    Abstract: 本发明提出了一种小孔径的Si纳米孔阵列模板的制备方法。其工艺步骤分为磁控溅射,两步阳极氧化,H3PO4扩孔和RIE图案传递。首先,通过调节磁控溅射的功率、时间以及两步阳极氧化中第一步的氧化时间可以控制基于Si片的AAO模板的最终厚度;通过控制两步阳极氧化中的电解液种类、电解电压以及H3PO4扩孔的时间可以控制基于Si片的AAO模板的孔间距和孔直径;而利用最后RIE图案传递过程中的遮蔽角效应,以AAO模板的最终厚度大小使传递到Si基片上的孔径缩小,以实现制备出的Si纳米孔阵列模板孔直径满足小孔径的要求。本发明所制备的Si模板将可广泛地应用于纳米THz波源器件,纳米阵列场发射平板显示器件,铁电、铁磁纳米存储器件及纳米光波导等微电子、光电子器件中。

    一种配气机构及气体传感器性能检测系统

    公开(公告)号:CN120064572A

    公开(公告)日:2025-05-30

    申请号:CN202510199269.5

    申请日:2025-02-21

    Abstract: 本发明公开了一种配气机构,包括配气单元和测试单元,配气单元包括配气壳体,配气壳体的内腔形成配气室;测试单元包括测试壳体,测试壳体的内腔形成测试室。工作时,可利用配气口向配气室内注入不同气体,不同气体在配气室中混合,当需要测试时,调整控制阀,使测试室与配气室处于连通状态,混合后气体扩散至测试室内。可增大配气室的体积,以减少气体稀释次数,保证最终气体浓度;同时使配气室与测试室体积相差悬殊,从而在配气室与测试室气体交换过程中测试室内的气体可忽略不计,使得测试室的最终气体浓度与预设气体浓度相差不大,提高测试精度。本发明还提供一种气体传感器性能检测系统,包括上述的配气机构。

    一种氧化钼复合聚苯胺纳米纤维纸及其制备方法

    公开(公告)号:CN115160564A

    公开(公告)日:2022-10-11

    申请号:CN202210845829.6

    申请日:2022-07-19

    Applicant: 湖北大学

    Abstract: 本发明公开了一种氧化钼复合聚苯胺纳米纤维纸及其制备方法,通过水热法和原位聚合法制备得到氧化钼复合聚苯胺纳米纤维纸。第一,本发明得到的氧化钼复合聚苯胺纳米纤维纸应用范围广,采用有机无机复合的方式使氢敏元件的响应度更好,响应时间和恢复时间短、灵敏度高,性能稳定,能够更好的应用于传感器领域等;第二,本发明的制备过程无任何有害的气体产生,产物清洁,绿色环保无污染;第三,采用本发明制备的纳米纸不需要任何柔性材料作为基板如PET等,材料本身可作为柔性材料直接在上面镀电极,可直接作为氢敏元件使用;第四,本发明的制备方法使用原料少,产量高,并且制备方法简单,可应用于工业化生产。

    铌酸钾钠纳米棒阵列生长操作方法及其传感器件制作方法

    公开(公告)号:CN111174950B

    公开(公告)日:2022-04-19

    申请号:CN202010007281.9

    申请日:2020-01-04

    Applicant: 湖北大学

    Abstract: 本发明公开一种铌酸钾钠纳米棒阵列的图形化生长的操作方法及其自供电压力分布式传感器件的制作方法,所述传感器的制作包括:金属阻挡层的制备;铌酸钾钠纳米棒阵列的图形化生长;上电极的制备等步骤。将钛酸锶衬底经过清洗烘干后,在其上采用光刻溅射法制做出铬/金的金属阻挡层;采用传统水热合成工艺,用氢氧化钾、氢氧化钠,五氧化二铌在高温高压下水热合成铌酸钾钠纳米棒阵列;将KNN纳米棒阵列放置在旋涂仪上后旋涂覆盖一层PMMA将KNN纳米棒包裹起来,然后进行磁控溅射,溅射完后拿掉掩膜版得到所需要的基于图形化无铅压电纳米棒阵列的压力分布式传感器;所述传感器能够有效监测压力的大小和位置,且能够自供电。

    铌酸钾钠纳米棒阵列的图形化生长的操作方法及其自供电压力分布式传感器件的制作方法

    公开(公告)号:CN111174950A

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN202010007281.9

    申请日:2020-01-04

    Applicant: 湖北大学

    Abstract: 本发明公开一种铌酸钾钠纳米棒阵列的图形化生长的操作方法及其自供电压力分布式传感器件的制作方法,所述传感器的制作包括:金属阻挡层的制备;铌酸钾钠纳米棒阵列的图形化生长;上电极的制备等步骤。将钛酸锶衬底经过清洗烘干后,在其上采用光刻溅射法制作出铬/金的金属阻挡层;采用传统水热合成工艺,用氢氧化钾、氢氧化钠,五氧化二铌在高温高压下水热合成铌酸钾钠纳米棒阵列;将KNN纳米棒阵列放置在旋涂仪上后旋涂覆盖一层PMMA将KNN纳米棒包裹起来,然后进行磁控溅射,溅射完后拿掉掩膜版得到所需要的基于图形化无铅压电纳米棒阵列的压力分布式传感器;所述传感器能够有效监测压力的大小和位置,且能够自供电。

    一种基于MoO3纳米带修饰石墨烯的室温FET型氢气敏感元件的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN111122661A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN202010017147.7

    申请日:2020-01-08

    Applicant: 湖北大学

    Abstract: 本发明公开一种基于MoO3纳米带修饰石墨烯的室温FET型氢气敏感元件的制备方法及应用,属于无机纳米功能材料技术领域,其主要步骤包括:A:水热法制备MoO3纳米带粉末;B:用磁控溅射法制备FET型氢敏元件的源极、漏极和栅极;C:采用喷涂成膜法将配置好的MoO3纳米带混合液喷涂到源漏电极的中心部位;D:退火处理。本发明中采用对氢气敏感的MoO3纳米带修饰在石墨烯表面,可以明显的提高石墨烯基传感器的性能,因此在氢气的检测过程中,有很大的应用价值。

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